公开(公告)号：CN110651368A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201880033268.1

申请日：2018-05-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·B·法尔梅尔 ,  唐建石 ,  J·J·尤尔卡斯 ,  汉述仁

IPC: H01L29/772

Abstract: 本发明的实施例涉及用于使用润湿层在具有缩放触点的n型碳纳米管场效应晶体管(CNT FET)中增强驱动电流和增加器件产量的方法和所得结构。在本发明的一些实施例中，在衬底的表面上形成纳米管。在纳米管上形成绝缘层，使得纳米管的端部暴露。在纳米管的端部上形成低功函数金属，并且在低功函数金属和纳米管之间形成润湿层。

公开(公告)号：CN112118786A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201980032021.2

申请日：2019-05-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 曹庆 ,  汉述仁 ,  唐建石 ,  B·库玛

IPC: A61B5/053

Abstract: 一种药物递送系统包括基底、设置在基底上的集成传感器、设置在基底上的药物递送元件、以及耦合到集成传感器和药物递送元件的控制单元。集成传感器包括设置在基底的第一表面上的第一电极和第二电极。药物递送元件包括设置在基底的第一表面上的贮存器、包围贮存器的热活性聚合物和设置在热活性聚合物上方的加热线圈。控制单元被配置成通过测量集成传感器的第一电极和第二电极之间的电压差来测量生物参数，并且响应于指示指定条件的所测量的生物参数而将触发信号施加到药物递送元件的加热线圈，以加热热活性聚合物，从而选择性地从贮存器释放药物。

公开(公告)号：CN111328429B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201880073064.0

申请日：2018-11-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 曹庆 ,  唐建石 ,  李宁

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种垂直集成多谱成像传感器包含：位于衬底上的第一金属接触层；在第一金属接触层上的SiO2层，其中第一检测器元件嵌入其中的孔中，第一石墨烯层，覆盖第一检测器元件；在所述第一石墨烯的一侧上的SiO2层上的第二金属接触层，SiO2层上的AlO3层，其中，第二检测器元件被嵌入在所述第一石墨烯层上的孔中，在所述第二检测器元件上的第二石墨烯层，以及在AlO3层上与第二石墨烯层相邻的第三金属接触层。第一检测器材料与第二检测器材料对电磁光谱的不同的波长带敏感。

公开(公告)号：CN110651368B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201880033268.1

申请日：2018-05-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·B·法尔梅尔 ,  唐建石 ,  J·J·尤尔卡斯 ,  汉述仁

IPC: H01L29/772

Abstract: 本发明的实施例涉及用于使用润湿层在具有缩放触点的n型碳纳米管场效应晶体管(CNT FET)中增强驱动电流和增加器件产量的方法和所得结构。在本发明的一些实施例中，在衬底的表面上形成纳米管。在纳米管上形成绝缘层，使得纳米管的端部暴露。在纳米管的端部上形成低功函数金属，并且在低功函数金属和纳米管之间形成润湿层。

公开(公告)号：CN111328429A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201880073064.0

申请日：2018-11-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 曹庆 ,  唐建石 ,  李宁

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种垂直集成多谱成像传感器包含：位于衬底上的第一金属接触层；在第一金属接触层上的SiO2层，其中第一检测器元件嵌入其中的孔中，第一石墨烯层，覆盖第一检测器元件；在所述第一石墨烯的一侧上的SiO2层上的第二金属接触层，SiO2层上的AlO3层，其中，第二检测器元件被嵌入在所述第一石墨烯层上的孔中，在所述第二检测器元件上的第二石墨烯层，以及在AlO3层上与第二石墨烯层相邻的第三金属接触层。第一检测器材料与第二检测器材料对电磁光谱的不同的波长带敏感。