公开(公告)号：CN110651368B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201880033268.1

申请日：2018-05-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·B·法尔梅尔 ,  唐建石 ,  J·J·尤尔卡斯 ,  汉述仁

IPC: H01L29/772

Abstract: 本发明的实施例涉及用于使用润湿层在具有缩放触点的n型碳纳米管场效应晶体管(CNT FET)中增强驱动电流和增加器件产量的方法和所得结构。在本发明的一些实施例中，在衬底的表面上形成纳米管。在纳米管上形成绝缘层，使得纳米管的端部暴露。在纳米管的端部上形成低功函数金属，并且在低功函数金属和纳米管之间形成润湿层。

公开(公告)号：CN110651368A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201880033268.1

申请日：2018-05-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·B·法尔梅尔 ,  唐建石 ,  J·J·尤尔卡斯 ,  汉述仁

IPC: H01L29/772

Abstract: 本发明的实施例涉及用于使用润湿层在具有缩放触点的n型碳纳米管场效应晶体管(CNT FET)中增强驱动电流和增加器件产量的方法和所得结构。在本发明的一些实施例中，在衬底的表面上形成纳米管。在纳米管上形成绝缘层，使得纳米管的端部暴露。在纳米管的端部上形成低功函数金属，并且在低功函数金属和纳米管之间形成润湿层。