公开(公告)号：CN104350597A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201280061803.7

申请日：2012-11-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郭德超 ,  汉述仁 ,  E·W·基维拉 ,  徐崑庭

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0605

Abstract: 本发明提供了在相同的CMOS电路中使用不同沟道材料的技术。在一个方面，制造CMOS电路的方法包括以下步骤。提供具有在绝缘体上的第一半导体层的晶片。STI被用于将第一半导体层划分为第一有源区和第二有源区域。凹陷在所述第一有源区中的第一半导体层。在所述第一半导体层上外延生长第二半导体层，其中所述第二半导体层包括具有至少一种Ⅲ族元素和至少一种Ⅴ族元素的材料。使用所述第二半导体层作为用于n-FET的沟道材料在所述第一有源区中形成所述n-FET。使用所述第一半导体层作为p-FET的沟道材料在所述第二有源区中形成所述p-FET。

公开(公告)号：CN104350597B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201280061803.7

申请日：2012-11-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郭德超 ,  汉述仁 ,  E·W·基维拉 ,  徐崑庭

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0605

Abstract: 提供了在相同的CMOS电路中使用不同沟道材料的技术。在一个方面，制造CMOS电路的方法包括以下步骤。提供具有在绝缘体上的第一半导体层的晶片。STI被用于将第一半导体层划分为第一有源区和第二有源区域。凹陷在所述第一有源区中的第一半导体层。在所述第一半导体层上外延生长第二半导体层，其中所述第二半导体层包括具有至少一种Ⅲ族元素和至少一种Ⅴ族元素的材料。使用所述第二半导体层作为用于n-FET的沟道材料在所述第一有源区中形成所述n-FET。使用所述第一半导体层作为p-FET的沟道材料在所述第二有源区中形成所述p-FET。