公开(公告)号：CN102054715A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010132236.2

申请日：2010-03-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄冠杰 ,  杨敦年 ,  吴志仁 ,  黄振铭

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/02 ,  H01L23/485 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/0232 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49805 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/18 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10151 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供了背照式图像传感器的制造方法，包括：设置具有前侧和背侧的器件衬底，在前侧形成多个像素，并在前侧的上方形成互连结构；在互连结构的上方形成重新分布层(RDL)；将玻璃衬底结合至RDL；从背侧减薄器件衬底；以及去除玻璃衬底。

公开(公告)号：CN116632016A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202210990024.0

申请日：2022-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈祥麟 ,  江欣益 ,  黄陈嵩文 ,  廖英凯 ,  林荣义 ,  朱怡欣 ,  黄冠杰

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器、图像传感器结构及其形成方法。根据本公开的图像传感器包括硅衬底、布置在硅衬底中的锗区域、布置在硅衬底和锗区域之间的掺杂半导体隔离层、布置在锗区域上的重p掺杂区域、布置在硅衬底上的重n掺杂区域、布置在锗区域正下方的第一n型阱，布置在重n掺杂区域正下方的第二n型阱，以及布置在第一n型阱和第二n型阱下方并与第一n型阱和第二n型阱接触的深n型阱。

公开(公告)号：CN106409880A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610525328.4

申请日：2016-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李正德 ,  喻中一 ,  刘人诚 ,  黄冠杰 ,  杜友伦

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/187 ,  H01L21/223 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/768 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L25/00 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L21/02587 ,  H01L24/83

Abstract: 一种示例性半导体晶圆包括具有第一掺杂浓度的底部半导体层、位于底部半导体层上方的中间半导体层和位于中间半导体层上方的顶部半导体层。中间半导体层具有大于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，并且顶部半导体层具有小于第二掺杂浓度的第三掺杂浓度。底部半导体层的横向表面是半导体晶圆的外表面，并且底部半导体层、中间半导体层和顶部半导体层的侧壁基本对齐。本发明实施例涉及用于集成封装件的半导体晶圆。

公开(公告)号：CN102054715B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201010132236.2

申请日：2010-03-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄冠杰 ,  杨敦年 ,  吴志仁 ,  黄振铭

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/02 ,  H01L23/485 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/0232 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49805 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/18 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10151 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供了背照式图像传感器的制造方法，包括：设置具有前侧和背侧的器件衬底，在前侧形成多个像素，并在前侧的上方形成互连结构；在互连结构的上方形成重新分布层(RDL)；将玻璃衬底结合至RDL；从背侧减薄器件衬底；以及去除玻璃衬底。

公开(公告)号：CN101567371B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200810149552.3

申请日：2008-09-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘克群 ,  黄冠杰 ,  林志旻 ,  傅文键 ,  刘醇明

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/144

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明是有关于一种集成电路结构，包括：一基底；一金属化层，位于该基底之上，且该金属化层包括一介电层，以及位于该介电层之中的一金属线；以及一感应元件，位于该金属化层之上。该集成电路结构，包括：一半导体基底；多个金属化层，位于该半导体基底之上，且每一该些该金属化层包括一低介电系数介电层，以及位于该低介电系数介电层之中的复数条金属线；一第一钝化层，位于该些金属化层之上；以及一感应元件，位于该第一钝化层之中。藉由集成电路结构来增加感应元件的信号强度，减少串音(Cross-Talk)现象的发生，以降低制造成本。

公开(公告)号：CN117316967A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310973034.8

申请日：2023-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨皓麟 ,  黄冠杰 ,  徐伟诚 ,  王子睿 ,  王铨中 ,  杨敦年 ,  陈宥均

IPC: H01L27/146 ,  H01L25/065 ,  H01L25/00

Abstract: 本申请的实施例涉及图像传感器及其形成方法。本公开的各种实施例针对包括第一芯片和第二芯片的图像传感器。第一芯片包括第一衬底、设置在第一衬底中的多个光电检测器、设置在该第一衬底的前侧上的第一互连结构以及设置在第一互连结构上的第一接合结构。第二芯片位于第一芯片之下。第二芯片包括第二衬底、设置在第二衬底上的多个半导体器件、设置在第二衬底的前侧上的第二互连结构以及设置在第二互连结构上的第二接合结构。第一接合界面设置在第二接合结构和第一接合结构之间。第二互连结构通过第一和第二接合结构电耦接到第一互连结构。第一接合结构和第二接合结构中的至少一个包括一个或更少的导电接合层。

公开(公告)号：CN115939249A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210899190.X

申请日：2022-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简弘昌 ,  林荣义 ,  徐铭杰 ,  黄冠杰 ,  王子睿 ,  黄世民 ,  王铨中 ,  杨敦年 ,  朱怡欣 ,  陈祥麟

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种单光子雪崩检测器(SPAD)器件，该器件包括硅衬底，该硅衬底包括在硅衬底的上表面中的凹槽。p型区域布置在凹槽的下表面下方的硅衬底中。n型雪崩区域布置在p型区域下方的硅衬底中，并在p‑n结处与p型区域相交。锗区域设置在p‑n结上方的凹槽内。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN113948536A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110585730.2

申请日：2021-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈祥麟 ,  朱怡欣 ,  廖英凯 ,  江欣益 ,  黄冠杰 ,  施俊吉

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开的各种实施例针对具有用于降低暗电流的钝化层的图像传感器。器件层覆盖衬底。此外，盖层覆盖器件层。盖层和器件层以及衬底是半导体材料，并且器件层具有比盖层和衬底小的带隙。例如，盖层和衬底可以是硅，而器件层可以是锗或包括锗。光电检测器位于器件层和盖层中，钝化层覆盖盖层。钝化层包括高k介电材料，并引起沿盖层的顶面的偶极矩的形成。本申请的实施例提供了图像传感器及其形成方法。

公开(公告)号：CN107026151A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201611247588.6

申请日：2016-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱怡欣 ,  陈保同 ,  黄冠杰 ,  陈逸豪 ,  蔡双吉 ,  张丰桂

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/585 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2225/06541 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明实施例提供三维集成电路芯片。在一些实施例中，第一集成电路芯片包含第一半导体基板、第一内连线结构位于第一半导体基板上、以及第一混合接合结构位于第一内连线结构上。第一混合接合结构包含混合接合连接层，以及自混合接合连接层延伸至第一内连线结构的混合接合接点层。第二集成电路芯片位于第一集成电路芯片上，并包含第二半导体基板、第二混合接合结构、以及第二内连线结构位于第二半导体基板与第二混合接合结构之间。第二混合接合结构接触第一混合接合结构。封环结构位于第一集成电路芯片与第二集成电路芯片中。此外，封环结构自第一半导体基板延伸至第二半导体基板，且混合接合接点层定义部分封环结构。

公开(公告)号：CN101567371A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200810149552.3

申请日：2008-09-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘克群 ,  黄冠杰 ,  林志旻 ,  傅文键 ,  刘醇明

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/144

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明是有关于一种集成电路结构，包括：一基底；一金属化层，位于该基底之上，且该金属化层包括一介电层，以及位于该介电层之中的一金属线；以及一感应元件，位于该金属化层之上。该集成电路结构，包括：一半导体基底；多个金属化层，位于该半导体基底之上，且每一该些该金属化层包括一低介电系数介电层，以及位于该低介电系数介电层之中的复数条金属线；一第一钝化层，位于该些金属化层之上；以及一感应元件，位于该第一钝化层之中。藉由集成电路结构来增加感应元件的信号强度，减少串音(Cross－Talk)现象的发生，以降低制造成本。