公开(公告)号：CN101252126B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200710185180.5

申请日：2007-11-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王松雄 ,  赵治平 ,  苏嘉祎

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L28/10

Abstract: 一种半导体元件，即一种使用焊垫金属层的电感，包括金属螺旋体、金属桥接体以及金属互连，金属桥接体是以焊垫金属层与多个连接窗形成，且有一端与金属螺旋体连接，金属互连与金属桥接体的另一端连接，此外，焊垫金属层的电阻系数比金属螺旋体要低。本发明提供使用焊垫金属层的电感，由于焊垫金属层通常很厚，因此使用焊垫金属层的电感的品质因数有所改善，此外，使用焊垫金属层的电感可相容于标准的制造工艺，而不需有工艺的调整。

公开(公告)号：CN101373739B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200810091951.9

申请日：2008-04-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡永智 ,  俞正明 ,  赵治平 ,  张智胜

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823892 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823493 ,  H01L21/823807 ,  Y10S438/919

Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括下列步骤：提供半导体衬底；以及形成高漏极电压金属氧化物半导体装置于该半导体衬底的表面上。于一实施例中，上述形成该高漏极电压金属氧化物半导体装置于该半导体衬底的表面上的步骤，包括下列步骤：形成阱区，该阱区具有第一导电型态；形成埋设阱区于该半导体衬底内与该高漏极电压金属氧化物半导体装置的漏极侧上，其中该埋设阱区具有与该第一导电性质相反的第二导电型态；以及形成自该埋设阱区上延伸至该阱区上的栅堆叠物。本发明可依据工艺需要而定制化高漏极电压金属氧化物半导体装置的浅掺杂漏极区且无须额外制作成本，其制造程序亦可完全兼容于既有的CMOS工艺中。

公开(公告)号：CN100539077C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200610145740.X

申请日：2006-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 俞正明 ,  赵治平 ,  张智胜 ,  陈俊宏

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供一种半导体结构的形成方法，特别涉及一种去耦合浅掺杂源/漏极区和袋状注入区的形成方法。上述方法包括：提供一半导体晶片，其包含多个有源区。于上述有源区中形成多个栅极结构。利用一N-浅掺杂源/漏极掩模，形成多个N-浅掺杂源/漏极区于上述半导体晶片上。利用一N-袋状注入掩模，形成多个N-袋状注入区于上述半导体晶片上。利用一P-浅掺杂源/漏极掩模，形成多个P-浅掺杂源/漏极区于上述半导体晶片上；以及利用一P-袋状注入掩模，形成多个P-袋状注入区于上述半导体晶片上。本发明所提供的半导体结构的形成方法及电阻，可以降低模拟MOS元件之间的失配，并提升其本征增益。

公开(公告)号：CN101488498A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910001320.8

申请日：2007-09-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈家逸 ,  张家龙 ,  赵治平

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01G4/38

CPC classification number: H01L27/0805 ,  H01G4/38 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路装置与电容器对，该集成电路装置包括电容器阵列，其具有排列成行与列的单位电容器，其中每个单位电容器由两电性绝缘的电容板组成。单位电容器具有至少一第一单位电容器，位于电容器阵列的每一列与每一行中，至少一第一单位电容器彼此互相电性连接，其中电容器阵列的每一行如同其它行与列，具有相同数量的至少一第一单位电容器，并且其中电容器阵列的每一列如同其它列与行，具有相同数量的至少一第一单位电容器。单位电容器还具有至少一第二单位电容器，位于上述电容器阵列的每一列与每一行中，其中至少一第二单位电容器彼此互相电性连接且平均分布于电容器阵列中。

公开(公告)号：CN101320681A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200710165144.2

申请日：2007-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴俊杰 ,  黄崎峰 ,  陈俊宏 ,  赵治平 ,  陈冠中

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明涉及一种电容器及半导体结构的制造方法，该电容器制造方法包括下述步骤：首先在基材上形成一介电层；再在该介电层上形成一导电层；在形成该介电层之后，注入掺杂质以穿过该介电层和导电层中的至少一个，以在介电层下方形成一导电区，其中该导电层为电容器的上方电极，而导电区则为电容器的底部电极。

公开(公告)号：CN102468328A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110324281.2

申请日：2011-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张家龙 ,  赵治平 ,  陈俊宏 ,  曾华洲 ,  郑价言 ,  庄学理

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53257 ,  H01L29/665 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于减少栅极电阻的接触结构及其制造方法。一种衬底上具有栅极且栅极与源极/漏极(S/D)相邻的半导体器件。第一介电层覆盖栅极和S/D区域，第一介电层具有位于S/D区域上的第一接触孔且第一接触插塞由第一材料形成，第一接触插塞与各自的S/D区域连接。第二介电层覆盖第一介电层和第一接触插塞。由第二材料形成的第二接触插塞填充形成在第一介电层和第二介电层中的第二接触孔。第二接触插塞与形成在第二介电层中的栅极和互连结构连接，互连结构与第一接触插塞连接。第二材料与第一材料不同，且第二材料具有比第一材料低的电阻。

公开(公告)号：CN102129900A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010170233.8

申请日：2010-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶德强 ,  匡训沖 ,  刘铭棋 ,  喻中一 ,  赵治平 ,  亚历山大·卡尼斯基

IPC: H01C17/075 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76865 ,  H01L27/016 ,  H01L28/24

Abstract: 本发明提供一种薄膜电阻器的制造方法，包括：形成一掺杂区于一半导体基板中；形成一介电层于该基板上；形成一薄膜电阻器于该介电层上；于该薄膜电阻器进行回火之前，形成一接触孔于该介电层中，其中该接触孔露出一部分的该掺杂区；以及于形成该接触孔之后，对该薄膜电阻器实施一快速热回火。本发明可减少工艺时间，且经调整后的薄膜电阻器(TFR)特性不会因后续第二次的回火步骤而受影响。

公开(公告)号：CN100461413C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610136698.5

申请日：2006-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈硕懋 ,  赵治平 ,  张智胜

IPC: H01L27/082

CPC classification number: H01L29/0692 ,  H01L29/735

Abstract: 提供一种具有提高电流增益的横向双极结型晶体管。该晶体管包含在基板上形成属于第一导通类型的阱区，至少一个发射极位于阱区内，属于与第一导通类型相反的第二导通类型，其中至少一个发射极中的每一个彼此连接；多个集电极，位于该阱区内，属于第二导通类型，其中多个集电极彼此连接；以及多个基极接点，位于阱区内，属于第一导通类型，其中基极彼此连接。最好让至少一个发射极的所有侧边与集电极邻接，基极接点中无一与发射极的侧边接触。邻近的发射极、集电极与基极接点由阱区中的间隔所隔开。

公开(公告)号：CN101174620A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710101842.6

申请日：2007-04-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈家逸 ,  张家龙 ,  赵治平

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，包括：第一电容组件及第二电容组件。第一电容组件包括彼此连接的多个第一单元电容组件，且每一第一单元电容组件具有第一单元电容值，而第二电容组件包括彼此连接的多个第二单元电容组件，且每一第二单元电容组件具有第二单元电容值，其中所述第一单元电容组件与第二单元电容组件具有相同的数量。所述第一单元电容组件与第二单元电容组件排列成一个阵列，并在每一列及每一栏中交替排置且总数分别大于2。同时，本发明还公开了一种集成电路，包括有上述电容组件阵列。总之，本发明通过有效降低工艺变异的敏感性，使得在不增加电容值不匹配的情形下可以形成较大的电容组件对。

公开(公告)号：CN101000908A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200610094199.4

申请日：2006-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈岳猷 ,  张家龙 ,  赵治平

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路的电容器结构及其制造方法，包含：一第一板状物层，包含一系列相互交叉(interdigitated)的第一板状物；一第一介电层，覆盖于该第一板状物层上；一第一延伸层，在该第一介电层上，包含一系列相互交叉的第一延伸板，各个该第一延伸板分别配置于各个该第一板状物上方；一系列的第一导通层，分别连接于各个该第一延伸板上；以及一第二板状物层，包含一系列相互交叉的第二板状物，各个该第二板状物分别连接于各个该第一导通层上；其中相连的第一延伸板、第一导通层、及第二板状物的极性与相对应的第一板状物的极性互异。本发明可有效地结合MOM电容器与MIM电容器，并还可改善对准误差所造成的影响。