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公开(公告)号：CN101252126A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200710185180.5
申请日：2007-11-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/00 , H01L23/522
CPC classification number: H01L28/10
Abstract: 一种半导体元件，即一种使用焊垫金属层的电感，包括金属螺旋体、金属桥接体以及金属互连，金属桥接体是以焊垫金属层与多个连接窗形成，且有一端与金属螺旋体连接，金属互连与金属螺旋体的另一端连接，此外，焊垫金属层的电阻系数比金属螺旋体要低。本发明提供使用焊垫金属层的电感，由于焊垫金属层通常很厚，因此使用焊垫金属层的电感的品质因数有所改善，此外，使用焊垫金属层的电感可相容于标准的制造工艺，而不需有工艺的调整。
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公开(公告)号：CN102468180A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110241601.8
申请日：2011-08-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/8238 , H01L21/768 , H01L29/78 , H01L27/092
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76802 , H01L21/76816 , H01L21/76895 , H01L21/823425 , H01L21/823475 , H01L21/823842 , H01L21/823871 , H01L27/088 , H01L29/0653 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66545
Abstract: 一种形成集成电路结构的方法，包括：在层间电介质(ILD)中提供栅极带。栅极带包括高k栅极电介质上方的金属栅电极。电传导结构形成在栅极带上方，且导电带形成在电传导结构上方。导电带的宽度比栅极带的宽度大。接触插塞形成在导电带上方，并被附加ILD层围绕。
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公开(公告)号：CN101252126B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200710185180.5
申请日：2007-11-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/00 , H01L23/522
CPC classification number: H01L28/10
Abstract: 一种半导体元件，即一种使用焊垫金属层的电感，包括金属螺旋体、金属桥接体以及金属互连，金属桥接体是以焊垫金属层与多个连接窗形成，且有一端与金属螺旋体连接，金属互连与金属桥接体的另一端连接，此外，焊垫金属层的电阻系数比金属螺旋体要低。本发明提供使用焊垫金属层的电感，由于焊垫金属层通常很厚，因此使用焊垫金属层的电感的品质因数有所改善，此外，使用焊垫金属层的电感可相容于标准的制造工艺，而不需有工艺的调整。
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公开(公告)号：CN106887402A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201611084056.5
申请日：2011-08-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L21/8234 , H01L29/51 , H01L21/336
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76802 , H01L21/76816 , H01L21/76895 , H01L21/823425 , H01L21/823475 , H01L21/823842 , H01L21/823871 , H01L27/088 , H01L29/0653 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66545
Abstract: 一种形成集成电路结构的方法，包括：在层间电介质(ILD)中提供栅极带。栅极带包括高k栅极电介质上方的金属栅电极。电传导结构形成在栅极带上方，且导电带形成在电传导结构上方。导电带的宽度比栅极带的宽度大。接触插塞形成在导电带上方，并被附加ILD层围绕。
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