半导体结构和相关联的制造方法

    公开(公告)号:CN109755267B

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN201811324426.7

    申请日:2018-11-08

    Abstract: 本发明实施例揭露一种半导体结构和相关联的制造方法。所述半导体结构包含:第一发光二极管LED层,其包含第一色彩类型的第一LED,所述第一LED层具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧;第二LED层,其在所述第一LED层上方,所述第二LED层包含第二色彩类型的第二LED,且所述第二LED层具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧;和第三LED层,其在所述第二LED层上方,所述第三LED层包含第三色彩类型的第三LED,且所述第三LED层具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧;其中所述第一色彩类型、所述第二色彩类型和所述第三色彩类型彼此不同。

    半导体结构和集成电路以及用于形成三维沟槽电容器的方法

    公开(公告)号:CN113053855A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202110197888.2

    申请日:2021-02-22

    Abstract: 本发明的各种实施例针对三维(3D)沟槽电容器及其形成方法。在一些实施例中,第一衬底位于第二衬底上面,使得第一衬底的正面面对第二衬底的正面。第一沟槽电容器和第二沟槽电容器分别延伸至第一衬底的正面和第二衬底的正面中。多个导线和多个通孔堆叠在第一沟槽电容器和第二沟槽电容器之间,并且电连接至第一沟槽电容器和第二沟槽电容器。第一贯穿衬底通孔(TSV)从第一衬底的背面延伸穿过第一衬底,并且导线和通孔将第一TSV电连接至第一沟槽电容器和第二沟槽电容器。第一沟槽电容器和第二沟槽电容器及其之间的电连接共同限定3D沟槽电容器。根据本申请的其他实施例,还提供了半导体结构和集成电路。

    对准的方法、处理工具以及用于晶片级对准的方法

    公开(公告)号:CN110634728A

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201910433405.7

    申请日:2019-05-23

    Abstract: 本申请的各种实施例指向一种以低对准误差及高生产量进行工件级对准的方法。在一些实施例中,所述方法包括:基于来自成像装置的反馈将第一工件上的第一对准标记对准所述成像装置的视场(FOV),并进一步基于来自所述成像装置的反馈将第二工件上的第二对准标记对准所述第一对准标记。在所述第一对准标记的所述对准期间,所述第二工件处于所述视场外。所述第二对准标记的所述对准是在不将所述第一对准标记移动出所述视场的情况下执行。此外,在所述第二对准标记的所述对准期间,所述成像装置观察所述第二对准标记,且进一步穿过所述第二工件观察所述第一对准标记。所述成像装置可例如利用反射红外辐射执行成像。

Patent Agency Ranking