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公开(公告)号：CN107993947A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201710710938.6
申请日：2017-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/20 , G03F7/70633 , H01L22/12 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L22/26
Abstract: 本发明的实施例提供了一种方法，包括接收具有第一层和位于第一层上方第二层的器件，该第一层具有第一重叠标记。该方法还包括在第二层上方形成第一光刻胶图案，第一光刻胶图案具有第二重叠标记。该方法还包括使用第一光刻胶图案中的第二重叠标记和第一重叠标记实施第一重叠测量；以及实施一个或多个第一制造工艺，由此将第二重叠标记转印至第二层中并且去除第一光刻胶图案。该方法还包括实施包括在第二层上方形成第三层的一个或多个第二制造工艺。在实施一个或多个第二制造工艺之后，该方法包括使用第二层中的第二重叠标记和第一重叠标记来实施第二重叠测量。
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公开(公告)号：CN102420215A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110294592.9
申请日：2011-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/308
CPC classification number: H01L23/544 , G03F1/42 , G03F9/7076 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种具有多个亚分辨率元件的对准标记。每个亚分辨率元件具有小于能被对准工艺中的对准信号检测到的最小分辨率的尺寸。也提供了一种其上具有第一、第二和第三图案的半导体晶圆。第一和第二图案在第一方向上延伸，以及第三图案在垂直于第一方向的第二方向上延伸。通过在第二方向上测量的第一距离将第二图案与第一图案分离。通过在第一方向上测量的第二距离将第三图案与所第一图案分离。通过在第一方向上测量的第三距离将第三图案与第二图案分离。第一距离约等于第三距离。第二距离小于第一距离的两倍。本发明同样涉及了一种多边缘的图案化。
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公开(公告)号：CN109427552B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201711131821.9
申请日：2017-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本公开一些实施例提供半导体装置的形成方法，包括提供基板以及基板上的图案化层，其中基板包含多个结构以接受处理工艺；形成至少一开口于图案化层中，其中结构部分地露出于至少一开口中；进行方向性蚀刻，使至少一开口于第一方向中的尺寸扩大，以形成至少一扩大的开口；以及经由至少一扩大的开口对结构进行处理工艺。
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公开(公告)号：CN108231549B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201710673891.0
申请日：2017-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 一种半导体制造方法，包括：提供基板，且于基板上提供图案层；于图案层中形成孔洞；沿着第一方向施加第一定向蚀刻至孔洞的内侧壁；以及沿着第二方向施加第二定向蚀刻至孔洞的内侧壁，其中第二方向与第一方向不同。
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公开(公告)号：CN105988283B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201510052976.8
申请日：2015-02-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了用于制造集成电路的光掩模和方法。光掩模包括：封闭在至少一个第一区域和至少一个第二区域中的多个主要部件，其中，第一区域包括单个主要部件并且第二区域包括多个主要部件；以及设置在第一区域和第二区域之间或者设置在第二区域之间的多个辅助部件。光掩模提高了临界尺寸的精度并且有利于制造集成电路。本发明涉及用于制造集成电路的光掩模和方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109786226A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811360328.9
申请日：2018-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 半导体装置的形成方法包括以光刻与蚀刻步骤形成第一硬遮罩于基板上的下方层上；形成多个侧壁间隔物图案，其具有第一侧壁部分与第二侧壁部分于第一硬遮罩的两侧侧壁上；蚀刻第一侧壁部分、蚀刻第一硬遮罩、与保留第二侧壁部分以桥接蚀刻的第一硬遮罩的间隙；以及采用第二硬遮罩，并对下方层进行工艺。
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公开(公告)号：CN108231549A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710673891.0
申请日：2017-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033
CPC classification number: H01L21/26586 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/0274
Abstract: 一种半导体制造方法，包括：提供基板，且于基板上提供图案层；于图案层中形成孔洞；沿着第一方向施加第一定向蚀刻至孔洞的内侧壁；以及沿着第二方向施加第二定向蚀刻至孔洞的内侧壁，其中第二方向与第一方向不同。
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公开(公告)号：CN107015446A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610858785.5
申请日：2016-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F9/00
CPC classification number: G03F7/70141 , G03F7/70633 , G03F9/7076 , H01L22/12 , Y10S438/975 , G03F9/708
Abstract: 用于半导体制造的器件包括衬底和形成在衬底上方的层，其中，层包括对准标记。对准标记包括沿着第一方向纵向定向的多个第一纵长构件，并且该多个第一纵长构件沿着第二方向分布。对准标记还包括沿着与第一方向垂直的第三方向纵向定向的多个第二纵长构件，并且该多个第二纵长构件沿着第二方向分布，其中第二方向与第一方向和第三方向中的每一个都不同。本发明还提供了光刻对准标记。
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公开(公告)号：CN105988283A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510052976.8
申请日：2015-02-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了用于制造集成电路的光掩模和方法。光掩模包括：封闭在至少一个第一区域和至少一个第二区域中的多个主要部件，其中，第一区域包括单个主要部件并且第二区域包括多个主要部件；以及设置在第一区域和第二区域之间或者设置在第二区域之间的多个辅助部件。光掩模提高了临界尺寸的精度并且有利于制造集成电路。本发明涉及用于制造集成电路的光掩模和方法。
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公开(公告)号：CN103383912B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310347541.7
申请日：2011-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F1/42
CPC classification number: H01L23/544 , G03F1/42 , G03F9/7076 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种具有多个亚分辨率元件的对准标记。每个亚分辨率元件具有小于能被对准工艺中的对准信号检测到的最小分辨率的尺寸。也提供了一种其上具有第一、第二和第三图案的半导体晶圆。第一和第二图案在第一方向上延伸，以及第三图案在垂直于第一方向的第二方向上延伸。通过在第二方向上测量的第一距离将第二图案与第一图案分离。通过在第一方向上测量的第二距离将第三图案与所第一图案分离。通过在第一方向上测量的第三距离将第三图案与第二图案分离。第一距离约等于第三距离。第二距离小于第一距离的两倍。本发明同样涉及了一种多边缘的图案化。
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