公开(公告)号：CN111258174A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911199854.6

申请日：2019-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张世明 ,  陈秋翔 ,  刘如淦 ,  陈铭锋

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/62 ,  G03F7/20

Abstract: 一种光微影图案化系统包括：一光罩，其具有图案化特征；一薄膜，其具有多个开口；一辐射源，其用以发射辐射以反射及/或投射该些图案化特征；及一或多个反射镜，其用以将所反射及/或投射的图案化特征引导至一晶圆上。该薄膜用以保护该光罩免受颗粒及浮动污染物的影响。该多个开口占该薄膜的侧表面面积的5％至99.9％。该薄膜可在该些图案化特征的一侧上附接至该光罩、置放在该辐射源与该晶圆之间的一光路旁侧，或置放在反射镜与该辐射源之间的一光路中。该薄膜中的该多个开口由多种条形材料形成，或形成为一蜂巢状结构或一网状结构。

公开(公告)号：CN109786226A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811360328.9

申请日：2018-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄世钧 ,  陈秋翔 ,  叶雅雯 ,  沈育佃 ,  张博钦 ,  赖建文 ,  林纬良 ,  张雅惠 ,  严永松 ,  林立德 ,  林斌彦 ,  刘如淦 ,  林进祥

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 半导体装置的形成方法包括以光刻与蚀刻步骤形成第一硬遮罩于基板上的下方层上；形成多个侧壁间隔物图案，其具有第一侧壁部分与第二侧壁部分于第一硬遮罩的两侧侧壁上；蚀刻第一侧壁部分、蚀刻第一硬遮罩、与保留第二侧壁部分以桥接蚀刻的第一硬遮罩的间隙；以及采用第二硬遮罩，并对下方层进行工艺。