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公开(公告)号：CN106252323A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201510736308.7
申请日：2015-11-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/4824 , H01L21/76898 , H01L23/48 , H01L23/481 , H01L23/485 , H01L23/5283 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/0508 , H01L23/49811 , H01L21/4853
Abstract: 本公开提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的焊盘结构。半导体衬底布置在后道工序(BEOL)金属化堆叠件上方，并且包括划线开口。缓冲层衬垫划线开口。导电焊盘包括基区和突出区。基区布置在划线开口中的缓冲层上方，并且突出区从基区伸至BEOL金属化堆叠件中。介电层填充导电焊盘上方的划线开口，并且与半导体衬底的上表面大致齐平。此外，本公开提供了一种制造焊盘结构的方法以及CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN110838499B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201910750283.4
申请日：2019-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的各个实施例针对包括用以增强性能的复合背照式(CBSI)结构的图像传感器。在一些实施例中，第一沟槽隔离结构延伸到衬底的背侧至第一深度并且包括一对第一沟槽隔离段。光电探测器位于衬底中、第一沟槽隔离段之间并且邻接所述第一沟槽隔离段。第二沟槽隔离结构位于第一沟槽隔离段之间并且延伸到衬底的背侧中至小于第一深度的第二深度。第二沟槽隔离结构包括一对第二沟槽隔离段。吸收增强结构位于光电探测器上面、第二沟槽隔离段之间，并且凹进至半导体衬底的背侧。吸收增强结构和第二沟槽隔离结构共同限定CBSI结构。本发明的实施例还涉及形成图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN110556389B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201910122237.X
申请日：2019-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，提供了像素传感器。像素传感器包括布置在半导体衬底中的第一光电探测器。第二光电探测器布置在半导体衬底中，其中，第一基本直线轴与第一光电探测器的中心点和第二光电探测器的中心点相交。浮置扩散节点设置在半导体衬底中的与第一光电探测器和第二光电探测器基本相等的距离点处。拾取阱接触区域布置在半导体衬底中，其中，基本垂直于第一基本直线轴的第二基本直线轴与浮置扩散节点的中心点和拾取阱接触区域的中心点相交。本发明的实施例还提供了一种用于形成像素传感器的方法。
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公开(公告)号：CN109817649B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201810661608.7
申请日：2018-06-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请实施例提供一种影像感测器装置结构及其形成方法。所述影像感测器装置结构包括一基板，且所述基板掺杂有一第一导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构包括形成于基板中的一光感测区域，且所述光感测区域掺杂有与第一导电类型不同的一第二导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构还包括延伸进入光感测区域的一掺杂区域，且所述掺杂区域掺杂有第一导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构也包括形成于掺杂区域上的多个滤色器。
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公开(公告)号：CN110838499A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910750283.4
申请日：2019-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的各个实施例针对包括用以增强性能的复合背照式(CBSI)结构的图像传感器。在一些实施例中，第一沟槽隔离结构延伸到衬底的背侧至第一深度并且包括一对第一沟槽隔离段。光电探测器位于衬底中、第一沟槽隔离段之间并且邻接所述第一沟槽隔离段。第二沟槽隔离结构位于第一沟槽隔离段之间并且延伸到衬底的背侧中至小于第一深度的第二深度。第二沟槽隔离结构包括一对第二沟槽隔离段。吸收增强结构位于光电探测器上面、第二沟槽隔离段之间，并且凹进至半导体衬底的背侧。吸收增强结构和第二沟槽隔离结构共同限定CBSI结构。本发明的实施例还涉及形成图像传感器的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110556389A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910122237.X
申请日：2019-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，提供了像素传感器。像素传感器包括布置在半导体衬底中的第一光电探测器。第二光电探测器布置在半导体衬底中，其中，第一基本直线轴与第一光电探测器的中心点和第二光电探测器的中心点相交。浮置扩散节点设置在半导体衬底中的与第一光电探测器和第二光电探测器基本相等的距离点处。拾取阱接触区域布置在半导体衬底中，其中，基本垂直于第一基本直线轴的第二基本直线轴与浮置扩散节点的中心点和拾取阱接触区域的中心点相交。本发明的实施例还提供了一种用于形成像素传感器的方法。
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公开(公告)号：CN109841574A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810067968.4
申请日：2018-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/146
Abstract: 本申请公开了CMOS图像传感器及其形成方法。本公开涉及具有多深沟槽隔离(MDTI)结构的CMOS图像传感器，以及相关联的形成方法。在一些实施例中，多个像素区域被布置在衬底内并分别包括光电二极管。边界深沟槽隔离(BDTI)结构被布置在相邻像素区域之间，从衬底的背面延伸到衬底内的第一深度，并围绕光电二极管。多深沟槽隔离(MDTI)结构被布置在各个像素区域内，从衬底的背面延伸到衬底内的第二深度，并覆盖光电二极管。电介质层填充在BDTI结构的BDTI沟槽和MDTI结构的MDTI沟槽中。
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公开(公告)号：CN109817649A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201810661608.7
申请日：2018-06-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请实施例提供一种影像感测器装置结构及其形成方法。所述影像感测器装置结构包括一基板，且所述基板掺杂有一第一导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构包括形成于基板中的一光感测区域，且所述光感测区域掺杂有与第一导电类型不同的一第二导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构还包括延伸进入光感测区域的一掺杂区域，且所述掺杂区域掺杂有第一导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构也包括形成于掺杂区域上的多个滤色器。
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公开(公告)号：CN113078175B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202010863694.7
申请日：2020-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一些实施例针对图像传感器器件。光电探测器设置在半导体衬底中，并且传输晶体管设置在光电探测器上方。传输晶体管包括传输栅极，该传输栅极具有在半导体衬底的前侧上方延伸的横向部分和延伸至半导体衬底的前侧下方第一深度的垂直部分。栅极电介质将横向部分和垂直部分与半导体衬底分隔开。背侧沟槽隔离结构从半导体衬底的背侧延伸到半导体衬底的前侧下方第二深度。背侧沟槽隔离结构横向围绕光电探测器，并且第二深度小于第一深度，使得传输晶体管的垂直部分的最下部与背侧沟槽隔离结构的最上部具有垂直重叠。本发明的实施例还涉及图像传感器器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN115911031A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210718052.7
申请日：2022-06-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L23/535
Abstract: 本公开的各种实施例针对3D IC和用于形成3D IC的方法。第二IC管芯位于第一IC管芯之下，而第三IC管芯位于第二IC管芯之下。第一管芯背面焊盘、第二管芯背面焊盘和第三管芯背面焊盘位于沿一个维度延伸的行中并且位于第一、第二和第三IC管芯之上。此外，第一管芯背面焊盘、第二管芯背面焊盘和第三管芯背面焊盘分别电连接到第一、第二和第三IC管芯的各自的半导体器件。第二和第三IC管芯包括在对应互连结构的顶部金属(TM)层处的各自的焊盘/桥接结构。焊盘/桥接结构共享共用的正面焊盘/桥接布局，并且为上述电连接提供在此维度上的横向布线。
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