公开(公告)号：CN112436087B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202010656452.0

申请日：2020-07-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 金海光 ,  吴启明 ,  蔡正原 ,  蔡子中 ,  江法伸

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10B63/10

Abstract: 本公开的各种实施例涉及包含数据存储结构的存储单元。顶部电极上覆于底部电极。数据存储结构安置于顶部电极与底部电极之间。数据存储结构包含第一数据存储层、第二数据存储层以及第三数据存储层。第二数据存储层安置于第一数据存储层与第三数据存储层之间。第二数据存储层具有比第三数据存储层低的带隙。第一数据存储层具有比第二数据存储层低的带隙。

公开(公告)号：CN112599475B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202011065670.3

申请日：2020-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨静茹 ,  吴启明 ,  蔡子中 ,  张耀文

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开的实施例在一些实施例中涉及形成集成芯片的方法。该方法包括在半导体主体的正面的互连结构上方形成多个接合焊盘结构，多个接合焊盘结构分别具有钛接触层。图案化互连结构和半导体主体，以形成延伸进入半导体主体的沟槽。在沟槽内形成介电填充材料。在将半导体主体接合至载体衬底之前，蚀刻介电填充材料以暴露钛接触层。减薄半导体主体以沿半导体主体的背面暴露介电填充材料，并形成多个集成芯片管芯；以及去除介电填充材料以分离多个集成芯片管芯。本申请的实施例还提供了集成芯片及其形成方法。

公开(公告)号：CN109802034B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN201810661636.9

申请日：2018-06-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 金海光 ,  林杏莲 ,  吴启明 ,  蔡正原

IPC: H01L45/00

Abstract: 一种半导体装置结构包括：一半导体基底及一下电极位于半导体基底上。半导体装置结构还包括：一第一氧化层位于下电极上；一第二氧化层位于第一氧化层上；及一第三氧化层位于第二氧化层上。第二氧化层内的氧离子键合较第一氧化层内的氧离子键合更为紧密。半导体装置结构还包括一上电极位于第三氧化层上。

公开(公告)号：CN112490220A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202010070339.4

申请日：2020-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林杏莲 ,  吴启明 ,  金海光 ,  江法伸

IPC: H01L23/64 ,  H01L49/02 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明的各种实施例涉及一种包含扩散阻挡层的金属绝缘体金属(MIM)电容器。底部电极上覆于衬底。电容器介电层上覆于底部电极。顶部电极上覆于电容器介电层。顶部电极包含第一顶部电极层、第二顶部电极层以及安置在第一顶部电极层与第二顶部电极层之间的扩散阻挡层。

公开(公告)号：CN112447904A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010652708.0

申请日：2020-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 金海光 ,  吴启明 ,  林杏莲 ,  蔡子中 ,  江法伸 ,  李璧伸

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种包括经共掺杂的数据储存结构的存储单元。底部电极上覆在衬底上，而顶部电极上覆在底部电极上。数据储存结构设置在顶部电极与底部电极之间。数据储存结构包含掺杂有第一掺杂剂及第二掺杂剂的介电材料。

公开(公告)号：CN112185843A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201911016170.8

申请日：2019-10-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡子中 ,  吴启明 ,  金海光

IPC: H01L21/67

Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种工艺工具，所述工艺工具包括界定真空室的壳体。晶圆夹盘位于所述壳体中且载体晶圆位于所述晶圆夹盘上。相机集成在所述载体晶圆上以使所述相机面对所述壳体的顶部。所述相机被配置成以无线方式拍摄所述壳体内的所关注物体的图像。位于所述壳体外部的是无线接收器。所述无线接收器被配置成在所述真空室被密封的同时从所述相机接收所述图像。

公开(公告)号：CN112030122A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201910788969.2

申请日：2019-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 金海光 ,  吴启明 ,  潘兴强

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/56 ,  C23C14/54

Abstract: 一种溅射系统包括：真空腔室；电源，具有耦合到背板的极，背板用于在真空腔室内保持靶；基座，用于在真空腔室内保持衬底；以及飞行时间照相机，被定位成扫描保持到背板的靶的表面。飞行时间照相机可用于获得与在靶处于低于大气压的压力下的同时所述靶的形貌有关的信息。靶信息可用于管理溅射系统的操作。管理溅射系统的操作可包括设定沉积工艺的可调节参数或决定何时替换溅射靶。可使用机器学习以将飞行时间照相机数据应用于管理溅射系统操作。

公开(公告)号：CN107301951A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201611096470.8

申请日：2016-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴启明 ,  萧茹雄 ,  陈弘斌 ,  薛森鸿 ,  郑志成

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明实施例提供了一种制造FinFET的方法，包括至少以下步骤。通过从半导体衬底的(110)晶格面法向向量倾斜8.05±2°来确定 方向。沿着垂直于 方向的晶格面图案化半导体衬底，从而在半导体衬底中形成多个沟槽和形成至少一个具有设置在(551)晶格面上的侧壁的半导体鳍。绝缘体位于沟槽中。在半导体鳍的部分上方和绝缘体的部分上方形成栅极堆叠件。在由栅极堆叠件暴露的半导体鳍上方形成应变材料部分。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管及其制造方法。

公开(公告)号：CN102623315B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201210020656.0

申请日：2012-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄玉莲 ,  蔡俊雄 ,  吴启明 ,  方子韦

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76229

Abstract: 本发明所述的实施例提供了用于以碳对STI中的氧化物进行掺杂以使窄结构和宽结构中的蚀刻率相等并且也使宽STI的角部变牢固的方法和结构。可以通过离子束(离子注入)或等离子体掺杂来进行这种碳掺杂。可以使用硬掩模层以防止下方的硅受到掺杂。通过使用该掺杂机制，硅和STI的平坦的表面形状能够实现先进的工艺技术的栅极结构图案化和ILD0间隙填充。

公开(公告)号：CN102446758B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201110061223.5

申请日：2011-03-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡俊雄 ,  吴启明 ,  林大文

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/67248

Abstract: 本发明提供了一种使图案化衬底退火的快速热退火方法和系统，其可以使对衬底温度非均匀性的图案效应最小化。快速热退火系统包括前侧加热源和背面加热源。快速热退火系统的背面加热源提供使衬底温度升高至峰值退火温度的主要热量。前侧加热源提供热量使靠近衬底前侧的环境温度升高至一温度，该温度低于峰值退火温度约100℃至约200℃。这种用于快速热退火的不对称前侧和背面加热可以减少或消除图案效应并且改善WIW和WID器件性能均匀性。