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公开(公告)号：CN114132888B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202111479241.5
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种异构集成的芯片级光谱调谐微系统，包括：固定滤光结构层，在SOI硅片顶层硅上制作驱动电极（13）、驱动检测电极（12）、下支撑柱（14）、信号输入端（18），在信号输入端上设有导电键合层（16）；可动滤光结构层光刻可动结构（22）、上支撑柱（23），将上支撑柱、下支撑柱键合连接，由上述固定滤光结构和可动滤光结构构成法布里珀罗干涉腔；盖帽层（30）设有垂直导电柱（31）、导电金属（35）和PAD点（33）；驱动电路芯片（40）联于PAD点（41）。本发明有益效果：将静电驱动电极与复合光学薄膜结构结合于一体，提高了光学占空比，增加了驱动力，提高了滤光系统运行精度及稳定性。
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公开(公告)号：CN117289566A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311329911.4
申请日：2023-10-16
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种提升双面光刻对准精度的方法，包括以下步骤：制作掩膜板，它具有用于晶圆正面的第一步进对准标记、第一套刻检查标记和第一层图形，用于晶圆反面的第二步进对准标记、第二套刻检查标记和第二层图形；取硅晶圆，在晶圆正面光刻第一步进对准标记、第一套刻检查标记和第一层图形；在晶圆背面光刻第二步进对准标记、第二套刻检查标记；利用双面套刻检查设备，测量第一、第二套刻标记的偏差参数；将测得的套刻偏差参数补偿到背面的光刻程序中，利用第二步进对准标记进行对准，光刻第二层图形。本发明将测量第一、第二套刻标记的偏差参数，补偿到背面的光刻程序中光刻第二层图形，提高双面光刻对准精度至纳米量级。
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公开(公告)号：CN116644625A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310386061.5
申请日：2023-04-12
Applicant: 安徽大学 , 华东光电集成器件研究所 , 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: G06F30/23 , G06F17/11 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种高效的基于多物理场耦合的微镜芯片分析方法，属于微机电系统领域，包括：建立梳齿偏转角度和力矩的映射关系，先对梳齿进行近似周期边界条件处理计算得到梳齿偏转角度和力矩的映射关系，再根据该映射关系对单轴可调微镜静电驱动器进行验证。最终使用有限元方法对复杂的双轴静电驱动器进行仿真，从而更快地对双轴静电驱动器进行热黏性声学和力学耦合的频域分析，该方案可对双轴可调微镜静电驱动器进行更高效的优化设计。
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公开(公告)号：CN116295542A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211515863.3
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种提高N型压阻传感器结隔离特性的制备方法，其特征在于：它包括以下步骤S1在P型硅晶圆上，进行光刻、大剂量磷注入、去胶，形成重掺杂区；S2光刻、按设计要求进行磷注入、去胶，形成压敏电阻；S3光刻、硼注入、去胶，形成P型隔离环结构6；S4退火、氧化，形成绝缘层；S5光刻、刻蚀、去胶，在绝缘层上形成接触孔；S6溅射、光刻、刻蚀、去胶，形成金属引线。本发明步骤简单，实施方便，通过隔离环有效阻断N型压阻传感器与其他功能端口之间电子迁移通道，降低漏电流，提高产品性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN110568220B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201910793469.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开一种抗干扰耐过载MEMS加速度计，包括依次键合的衬底层、感应电极层、可动敏感结构层与盖帽，感应电极层包含感应电极中心锚点与两侧的感应电极，可动敏感结构层包含第一可动敏感结构中心锚点、第一实心可动敏感结构与第一空心可动敏感结构；感应电极底部设有硅支撑柱，硅支撑柱顶端与感应电极相连、底端与衬底层相连；第一可动敏感结构中心锚点、第一实心可动敏感结构与第一空心可动敏感结构上方分别对称键合有第二可动敏感结构中心锚点、第二实心可动敏感结构与第二空心可动敏感结构，第一空心可动敏感结构与第二空心可动敏感结构之间形成闭合的空腔；本加速度计能够降低外界环境对器件性能影响，提高器件的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105182005B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201510661916.6
申请日：2015-10-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种加速度计，包括：a.衬底（13）中设有浅腔（2）以及衬底锚点（5）；b.电极结构层（1）中部设有的中心锚点（16），中心锚点（16）的两侧对称设有至少一个悬浮电极（4），悬浮电极（4）与下面的浅腔（2）对应配合，悬浮电极（4）的上表面设有向上活动间隙（11）；c.可动结构层（15），及其中设有的可动结构（10），其中部设有上层锚点（18）与中心锚点（16）对应键合连接；d.盖帽（14）。本发明具有如下优点：热应力对电极结构的影响大幅下降，使得电极结构在全温范围内几乎无形变，从而保证了器件在全温范围内左右两边电容的对称性，提高了传感器全温性能。
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公开(公告)号：CN103557853B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310505577.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/5656
Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的MEMS陀螺，硅片中设有质量块（6），它通过连接梁（1）固支于锚点7），在质量块（6）的四周对称分布着带有防撞凸点（4）的固定块（3），质量块（6）中心掏空区域设置有带防撞凸点（5）的中心固定块（2），其特征在于：所述质量块（6）上设有一组网格空腔（6a）。本发明具有如下优点：网格空腔质量块的侧壁在碰撞过程中起到了弹性过载保护面的作用，它和防撞凸点共同作用可以释放高冲击产生的高冲击力，有效保护器件敏感结构，提高了器件抗高过载能力。本发明结构简单，采用单晶硅片材料，提高了MEMS陀螺产品的一致性和可靠性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN105293419A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510661530.5
申请日：2015-10-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种防止悬浮层刻蚀损伤的MEMS器件，其特征在于：衬底硅（3）表面设有浅腔（4）、电极（9）及电极隔离槽（5），在浅腔（4）表面设有厚度1500？-5000？的第一氧化层（6）和厚度范围500？-1500？的第二氧化层（7），可动结构层（8）键合到衬底的SOI硅片顶层硅（3）上；盖帽硅片（10）通过玻璃浆料（11）与衬底的SOI硅片顶层硅（3）键合，实现晶圆级真空封装。本发明与传统MEMS器件相比优点在于：采用台阶式二氧化硅层对下电极结构进行保护，即能很好地保护下电极结构不被刻蚀，又能避免结构层发生刻蚀反溅损伤，保证可动结构的完整性，器件结构实现方法简单、可行，便于形成标准工艺。
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公开(公告)号：CN103600287B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310589123.9
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/34
Abstract: 机电设备管线固定装置，其特征在于它包括：底座（1），立柱（2）、横梁（3）、锁紧螺母（4）、转子座（5）、固定销（7）、转子（8）、挂钩（9），立柱下端连接在底座上，上侧与横梁配合，锁紧螺母分别将它们固定锁紧，转子座固定在横梁的一侧，转子与转子座配合，挂钩连接在转子上。由于采用了上述技术方案，使得本发明结构简单，解决了加工过程中因管线无法固定造成的影响，具有方便加工和操作，提高工作效率等优点。
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公开(公告)号：CN104355286A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410535339.1
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种全硅MEMS器件，由衬底SOI硅片(17)、结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片(16)经硅硅直接键合后组成，其特征在于：结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片的顶层硅(6)采用低阻硅；盖帽SOI硅片的顶层硅(6)制成电互联线，通过键合面(5)与结构层硅进行硅硅直接键合，将该处结构层的电信号通过电互联线引出到盖帽SOI硅片中的硅电极(9)，与设置在硅电极(9)上的压焊点(3)电学连接，硅电极(9)与结构层硅硅直接键合。本发明优点在于：采用盖帽层体硅引线，避免结构层刻蚀反溅损伤；采用两次硅硅直接键合，无残余应力，硅硅直接键合气密性好，真空封装时无需额外添加吸气剂，能够有效降低成本。
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