片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法

    公开(公告)号:CN111007078A

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201911091011.4

    申请日:2019-11-09

    Abstract: 本发明涉及片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法,包括对样品进行剖面制样,再对制样剖面镜检;剖面镜检中对阴极二氧化锰层质量进行检查,检查是否满足如下要求:阴极二氧化锰层内无尺寸大于钽芯短边1/4的局部分层或空洞;对于A壳或B壳尺寸产品,阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/6的局部分层或空洞的数量<4,且不集中在一边;对于C壳及以上尺寸产品,阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/8的局部分层或空洞的数量<4,且不集中在一边。本发明增加阴极二氧化锰层质量控制要求,避免存在类似“固有局部电应力集中”的片式钽电容器用于产品,保证产品装机后的可靠性。

    光纤通信模块单粒子效应测试系统和方法

    公开(公告)号:CN114355228A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202111512529.8

    申请日:2021-12-11

    Abstract: 本发明涉及光纤通信模块单粒子效应测试系统和方法,移动靶、重离子枪、FPGA和第二中继器均置于真空辐照室内;被测光纤通信模块安装在移动靶上;SMA接头设置在真空辐照室舱壁上;被测光纤通信模块一路通道连接至SMA接头,再连接至误码仪;被测光纤通信模块其余通道连接FPGA,FPGA通过DB9串口连接至数据采集计算机;电源为被测光纤通信模块和FPGA提供直流稳定电压;主控计算机与电源连接;主控计算机、通讯板、第一中继器依次连接,第一中继器又通过DB9串口第二中继器与被测光纤通信模块内部寄存器连接。本发明涉及光纤通信模块单粒子效应测试系统和方法,能够对光纤通信模块的单粒子效应进行测试。

    元器件在轨飞行评价验证方法

    公开(公告)号:CN111337779A

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN202010220887.0

    申请日:2020-03-26

    Abstract: 本发明的元器件在轨飞行评价验证方法包括:1)确定被验证元器件在轨飞行评价验证阶段的工作状态;2)确定被验证元器件在轨飞行评价验证所需测试的功能及参数;3)研制开发在轨测试系统;4)对在轨测试系统进行地面标定试验;5)组装被验证元器件与在轨测试系统,并随航天器一起发射入轨;在轨期间,被验证元器件按步骤1)确定的工作状态运行,在轨测试系统在太空中对被验证元器件的功能及参数进行测试,该功能及参数即是步骤2)确定的所需测试和监测的功能及参数;6)在轨测试数据下传;7)开展被验证元器件在轨测试数据的分析和判读。

    可配置的半导体器件I-V特性测试装置

    公开(公告)号:CN213041950U

    公开(公告)日:2021-04-23

    申请号:CN202021568979.X

    申请日:2020-08-02

    Abstract: 本实用新型提供一种可配置的半导体器件I‑V特性测试装置,由PCB基板、电源端口、悬空端口、接地端口、第一夹具、第二夹具、单刀三掷开关组和单刀双掷开关组组成;电源端口、悬空端口和接地端口通过PCB基板引出,电源端口连接图示仪的电源端,接地端口连接图示仪的接地端;第一夹具和第二夹具分别用于安装失效器件和正常器件。本实用新型采用通用的双列直插夹具,可以较为简单地实现双列直插封装的半导体器件I‑V特性测试,同样能够针对可转换为双列直插的其它形式封装半导体器件的I‑V特性进行测试;通过单刀三掷开关选择需要进行I‑V特性测试的管脚,通过双掷开关组实现失效器件和正常器件的I‑V特性曲线快速对比。

    DIP封装功率器件的热阻测试装置

    公开(公告)号:CN213041948U

    公开(公告)日:2021-04-23

    申请号:CN202020379892.1

    申请日:2020-03-23

    Abstract: 本实用新型提供一种DIP封装功率器件的热阻测试装置,其特征在于,由散热基板和电极引出组件组成;所述散热基板上设置有与各DIP封装功率器件尺寸相匹配的多个测试工位,所述测试工位侧壁粘贴有绝缘层;所述电极引出组件包括电极插座和电极引出端,所述电极插座通过电线与所述电极引出端连接;所述电极插座插入各组测试工位中,所述电极引出端与外置电阻测试仪连接。本实用新型提供的DIP封装功率器件的热阻测试装置通过散热基板对被测器件散热引出端的压紧接触,满足了热量沿一维方向向下传导的要求,可准确地测试出DIP封装半导体器件的结壳热阻值,对于优化器件封装设计、提高器件的可靠性和使用寿命都具有重大意义。

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