公开(公告)号：CN1805150A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510088226.2

申请日：2005-07-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大田贤儿 ,  山口义弘 ,  山口博史

IPC: H01L29/70

CPC classification number: H01L29/0661 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/74

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种为降低恢复损耗而能够使阳极电极区域的杂质扩散深度减小的功率半导体器件。备有半导体衬底(1)、栅极电极区域(控制电极区域)(2)、阴极电极区域(第一主电极区域)(3)、阳极电极区域(第二主电极区域)(4)以及护圈(5)。半导体衬底(1)从剖视图看具有侧面部，该侧面部具有与主面大致垂直地形成的垂直部(1a)和与该垂直部(1a)连接的台面部(1b)。栅极电极区域(2)形成在半导体衬底(1)的第一主面(1c)内。阴极电极区域(3)形成在栅极电极区域(2)的表面内的一部分上。阳极电极区域(4)形成在半导体衬底(1)的第二主面(1d)内。护圈(5)形成在半导体衬底(1)的第二主面(1d)内，并包围阳极电极区域(4)。

公开(公告)号：CN109743882B

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN201780056129.6

申请日：2017-09-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田启行 ,  原田耕三 ,  盐田裕基 ,  山口义弘 ,  山田浩司

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/10 ,  H01L23/24 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

Abstract: 一种半导体装置，其特征在于，具备：绝缘基板(52)，在上表面和下表面具有导体层(51、53)，在上表面的导体层(51)搭载有半导体元件(4)；底板(1)，与下表面的导体层(53)接合；壳体部件(2)，包围绝缘基板(52)，被粘接于底板(1)的接合有下表面的导体层(53)的面；作为硅组合物的第一填充材料(9)，被填充于由底板(1)和壳体部件(2)包围的区域；以及作为比第一填充材料(9)硬的硅组合物的第二填充材料(10)，在区域内的第一填充材料(9)的下部包围绝缘基板(52)的周缘部，该第二填充材料被填充于从底板(1)起的高度比上表面高且比上表面的导体层(51)的与半导体元件(4)的接合面低的区域。

公开(公告)号：CN103972276B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201410045198.5

申请日：2014-02-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石桥秀俊 ,  山口义弘 ,  吉松直树 ,  古贺英浩

IPC: H01L29/41 ,  H01L23/31 ,  H01L21/607 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明的目的在于提供一种接合部的可靠性高的直接引线接合构造的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具有：多个半导体芯片（5）；板电极（7），其配置在多个半导体芯片（5）上，对多个半导体芯片（5）进行连接；以及电极（17），其配置在板电极（7）上。电极（17）具有凸出部和间断的多个接合部（17a），其中，该多个接合部（17a）与板电极（7）接合，该凸出部以立起状从多个接合部（17a）凸出。凸出部具有与接合部（17a）平行且与外部电极超声波接合的超声波接合部（17b）。

公开(公告)号：CN104798194B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201380060012.7

申请日：2013-12-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 盐田裕基 ,  山竹厚 ,  菅健一 ,  山口义弘 ,  上田哲也

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L23/3737 ,  H01L23/08 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/36 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/482 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49558 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49586 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/564 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

Abstract: 得到散热性提高并且绝缘性提高的半导体器件。半导体器件具备：半导体元件(2)；引线框(4)，半导体元件(2)与该引线框的一个面接合；第1绝缘层(5)，配置于引线框(4)的另一个面；以及金属基体板(6)，隔着所述第1绝缘层(5)而与引线框(4)连接，其中，所述第1绝缘层的外周部比所述金属基体板的外周部靠内部，包括引线框(4)的外周部的电场集中部位的所述第1绝缘层(5)的外周部被具有比所述第1绝缘层(5)更高耐湿性和更高绝缘性的第2绝缘层(7)覆盖。

公开(公告)号：CN102437138B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201110198380.0

申请日：2011-07-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山口义弘 ,  大开美子

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/48 ,  H01L25/04

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，能够以低成本制造且具有高热循环性，并且，具有与多个芯片对应的板电极。本发明的半导体装置具有在基板上形成的多个半导体芯片（5）和将多个半导体芯片（5）的电极间连接的板电极（1）。板电极（1）具有利用半冲压加工所形成的半切部（1a），半切部（1a）的凸部侧与半导体芯片的电极接合。

公开(公告)号：CN103250243B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201180058644.0

申请日：2011-12-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 盐田裕基 ,  冈诚次 ,  山口义弘

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/36 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/072 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明的目的在于得到一种散热性提高、并且绝缘性提高的半导体装置。具备半导体元件（1a）、与半导体元件（1a）连接的引线框架（4a）、隔着第1绝缘层（5）配置于引线框架（4a）的金属基体板（6）、以及在金属基体板（6）中的与配置了第1绝缘层（5）的面相反的一侧设置的第2绝缘层（7），第1绝缘层（5）是散热性比第2绝缘层（7）高的绝缘层，第2绝缘层（7）是其绝缘性与第1绝缘层（5）的绝缘性相同或者比第1绝缘层（5）的绝缘性高的绝缘层。

公开(公告)号：CN118414700A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202180105114.0

申请日：2021-12-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山口义弘 ,  东畠猛

IPC: H01L23/36

Abstract: 使以Al为主成分的金属浸渍于多孔质SiC(2)。电路图案(4)设置于陶瓷基板(3)之上。半导体芯片(5)与电路图案(4)接合。多孔质SiC(2)具有对陶瓷基板(3)进行保持的保持部(7)。

公开(公告)号：CN110137140A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910107599.1

申请日：2019-02-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中原贤太 ,  山口义弘 ,  河原史伦

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明的目的在于提供能够实现功率模块的可靠性和散热性的提高的技术。功率模块(202)具备：凹状的基座板(1)，其具有谷部(9)；至少1个绝缘基板(4)，其配置于基座板(1)的谷部(9)；至少1个半导体芯片(5)，其搭载于至少1个绝缘基板(4)之上；以及封装树脂(7)，其对基座板(1)的谷部(9)侧的面、至少1个绝缘基板(4)以及至少1个半导体芯片(5)进行封装。

公开(公告)号：CN103579130A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310333447.6

申请日：2013-08-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈诚次 ,  山口义弘

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/36 ,  H01L21/50 ,  H01L23/053 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/49811 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有半导体元件（1）、基板（2）、金属板（3）、多个球状粒子（4）。基板（2）安装有半导体元件（1）。金属板（3）具有彼此对置的一个面（3a）和另一个面（3b），在一个面（3a）设置有基板（2）。多个球状粒子（4）具有球状的外形并且球状的外形的一部分埋没于金属板（3）的另一个面（3b）。由此，能够得到能够促进来自半导体元件的散热的半导体装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN102820271A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210081415.7

申请日：2012-03-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上田哲也 ,  山口义弘

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/00 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L23/4334 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3735 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供能防止翘曲、裂纹等缺陷并实现安装的适当化及容易化等的半导体装置。半导体装置(100)具有：基座板(120)，具有与搭载了半导体芯片等的绝缘基板接合的一个主面；传递模塑树脂(140)，以覆盖基座板(120)的一个主面、绝缘基板、半导体芯片等且使基座板（120）的另一个主面露出的方式设置。基座板（120）的线膨胀系数低于铜的线膨胀系数，传递模塑树脂（140）的线膨胀系数为16ppm/℃以下。传递模塑树脂（140）具有以基座板（120）的相对的短边中央部附近分别露出的方式被挖去的形状（142）。基座板（120）在利用传递模塑树脂（140）的被挖去的形状（142）而露出的各部分具有安装孔（122）。