公开(公告)号：CN1805150A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510088226.2

申请日：2005-07-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大田贤儿 ,  山口义弘 ,  山口博史

IPC: H01L29/70

CPC classification number: H01L29/0661 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/74

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种为降低恢复损耗而能够使阳极电极区域的杂质扩散深度减小的功率半导体器件。备有半导体衬底(1)、栅极电极区域(控制电极区域)(2)、阴极电极区域(第一主电极区域)(3)、阳极电极区域(第二主电极区域)(4)以及护圈(5)。半导体衬底(1)从剖视图看具有侧面部，该侧面部具有与主面大致垂直地形成的垂直部(1a)和与该垂直部(1a)连接的台面部(1b)。栅极电极区域(2)形成在半导体衬底(1)的第一主面(1c)内。阴极电极区域(3)形成在栅极电极区域(2)的表面内的一部分上。阳极电极区域(4)形成在半导体衬底(1)的第二主面(1d)内。护圈(5)形成在半导体衬底(1)的第二主面(1d)内，并包围阳极电极区域(4)。

公开(公告)号：CN100479186C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200510088226.2

申请日：2005-07-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大田贤儿 ,  山口义弘 ,  山口博史

IPC: H01L29/70

CPC classification number: H01L29/0661 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/74

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种为降低恢复损耗而能够使阳极电极区域的杂质扩散深度减小的功率半导体器件。备有半导体衬底(1)、栅极电极区域(控制电极区域)(2)、阴极电极区域(第一主电极区域)(3)、阳极电极区域(第二主电极区域)(4)以及护圈(5)。半导体衬底(1)从剖视图看具有侧面部，该侧面部具有与主面大致垂直地形成的垂直部(1a)和与该垂直部(1a)连接的台面部(1b)。栅极电极区域(2)形成在半导体衬底(1)的第一主面(1c)内。阴极电极区域(3)形成在栅极电极区域(2)的表面内的一部分上。阳极电极区域(4)形成在半导体衬底(1)的第二主面(1d)内。护圈(5)形成在半导体衬底(1)的第二主面(1d)内，并包围阳极电极区域(4)。

公开(公告)号：CN212033017U

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201790001792.1

申请日：2017-09-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 本宫哲男 ,  田中宜彦 ,  东畠猛 ,  大田贤儿

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

Abstract: 本实用新型涉及的电力半导体装置具有：半导体芯片；第1电极，其与半导体芯片连接；第2电极，其与半导体芯片连接，与第1电极电位不同；以及壳体，其收容半导体芯片，壳体具有：第1保持部，其对第1电极进行保持；第2保持部，其对第2电极进行保持，与第1保持部分离；以及连接部，其将第1保持部和第2保持部连接，在连接部的侧面设置壳体侧凹凸部。