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公开(公告)号：CN101587893B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200910141079.9
申请日：2009-05-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 山口博史
IPC: H01L27/06 , H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/739 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L23/49844 , H01L23/647 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/41741 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48111 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/4847 , H01L2224/4911 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/12036 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供功率半导体装置，其中，在半导体衬底(1)上形成有立式功率器件的多个单元结构。多个单元结构中的位于主表面的中央部(CR)的一个单元结构构成为，具有：比多个单元结构中的位于主表面的外周部(PR)的其它单元结构的通电能力低的通电能力。由此，得到具有优良的功率循环寿命的功率半导体装置。
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公开(公告)号：CN100479186C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510088226.2
申请日：2005-07-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/70
CPC classification number: H01L29/0661 , H01L29/0619 , H01L29/0834 , H01L29/74
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种为降低恢复损耗而能够使阳极电极区域的杂质扩散深度减小的功率半导体器件。备有半导体衬底(1)、栅极电极区域(控制电极区域)(2)、阴极电极区域(第一主电极区域)(3)、阳极电极区域(第二主电极区域)(4)以及护圈(5)。半导体衬底(1)从剖视图看具有侧面部，该侧面部具有与主面大致垂直地形成的垂直部(1a)和与该垂直部(1a)连接的台面部(1b)。栅极电极区域(2)形成在半导体衬底(1)的第一主面(1c)内。阴极电极区域(3)形成在栅极电极区域(2)的表面内的一部分上。阳极电极区域(4)形成在半导体衬底(1)的第二主面(1d)内。护圈(5)形成在半导体衬底(1)的第二主面(1d)内，并包围阳极电极区域(4)。
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公开(公告)号：CN1805150A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510088226.2
申请日：2005-07-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/70
CPC classification number: H01L29/0661 , H01L29/0619 , H01L29/0834 , H01L29/74
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种为降低恢复损耗而能够使阳极电极区域的杂质扩散深度减小的功率半导体器件。备有半导体衬底(1)、栅极电极区域(控制电极区域)(2)、阴极电极区域(第一主电极区域)(3)、阳极电极区域(第二主电极区域)(4)以及护圈(5)。半导体衬底(1)从剖视图看具有侧面部，该侧面部具有与主面大致垂直地形成的垂直部(1a)和与该垂直部(1a)连接的台面部(1b)。栅极电极区域(2)形成在半导体衬底(1)的第一主面(1c)内。阴极电极区域(3)形成在栅极电极区域(2)的表面内的一部分上。阳极电极区域(4)形成在半导体衬底(1)的第二主面(1d)内。护圈(5)形成在半导体衬底(1)的第二主面(1d)内，并包围阳极电极区域(4)。
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公开(公告)号：CN101587893A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910141079.9
申请日：2009-05-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 山口博史
IPC: H01L27/06 , H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/739 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L23/49844 , H01L23/647 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/41741 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48111 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/4847 , H01L2224/4911 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/12036 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供功率半导体装置，其中，在半导体衬底(1)上形成有立式功率器件的多个单元结构。多个单元结构中的位于主表面的中央部(CR)的一个单元结构构成为，具有：比多个单元结构中的位于主表面的外周部(PR)的其它单元结构的通电能力低的通电能力。由此，得到具有优良的功率循环寿命的功率半导体装置。
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