半导体装置及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118414700A

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202180105114.0

    申请日:2021-12-28

    Abstract: 使以Al为主成分的金属浸渍于多孔质SiC(2)。电路图案(4)设置于陶瓷基板(3)之上。半导体芯片(5)与电路图案(4)接合。多孔质SiC(2)具有对陶瓷基板(3)进行保持的保持部(7)。

    半导体装置
    3.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN118369759A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202180104838.3

    申请日:2021-12-16

    Inventor: 东畠猛

    Abstract: 在散热板(1)之上设置有绝缘基板(2)。在绝缘基板(2)之上安装有半导体芯片(4)。壳体(7)以包围绝缘基板(2)及半导体芯片(4)的方式通过硅酮粘接剂(8)粘接于散热板(1)的外周部。导线键合(10)在绝缘基板(2)的绝缘层(2a)的外周和壳体(7)的内壁之间设置于散热板(1)之上。

    电力半导体装置
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN212033017U

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN201790001792.1

    申请日:2017-09-20

    Abstract: 本实用新型涉及的电力半导体装置具有:半导体芯片;第1电极,其与半导体芯片连接;第2电极,其与半导体芯片连接,与第1电极电位不同;以及壳体,其收容半导体芯片,壳体具有:第1保持部,其对第1电极进行保持;第2保持部,其对第2电极进行保持,与第1保持部分离;以及连接部,其将第1保持部和第2保持部连接,在连接部的侧面设置壳体侧凹凸部。

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