公开(公告)号：CN115152107A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202080097388.5

申请日：2020-02-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫越亮辅 ,  中村直干 ,  小坂尚希 ,  篠原弘介

IPC: H01S5/20 ,  G02B6/12 ,  H01S5/02253 ,  H01S5/026

Abstract: 本发明的半导体激光装置具备：透镜(6)；管座(1)；LD芯片(3)，以光束中心(Cb)沿着管座(1)的安装面(1ft)的方式射出激光；以及PD芯片(5)，在表面具有由电介质多层膜形成的反射面(5fm)，将从LD芯片(3)射出的激光朝向透镜(6)反射，并且测量激光的光量，在LD芯片(3)设置有波导部(3sw)，该波导部(3sw)具有：末端部(3swe)，形成于前端面(3ff)侧，并具有0.5μm以上且0.7μm以下的宽度(We)；和锥部(3swt)，与末端部(3swe)相连，并且宽度随着朝向末端部(3swe)而以0.018以上且0.033以下的梯度(Gt)变窄。

公开(公告)号：CN107026623B

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201710024873.X

申请日：2017-01-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 嘉藤胜也 ,  小坂尚希 ,  福田绘理 ,  藤原茂 ,  冈村笃司 ,  长明健一郎

IPC: H03F3/21 ,  H03F3/45

Abstract: 得到即使在多个FET单元并联连接的情况下也能抑制热失控的功率放大器。多个FET单元(3a、3b、3c)相互并联连接。电阻(4a、4b、4c)各自对应地连接于FET单元(3a、3b、3c)的栅极端子和接地端子间。电阻(5a、5b、5c)一端与FET单元(3a、3b、3c)的栅极端子分别连接，另一端相互连接。电容(6a、6b、6c)与电阻(5a、5b、5c)分别并联连接。电阻(7)连接于电阻(5a、5b、5c)的另一端的连接点和电源端子(8)之间。电阻(4a、4b、4c)具有比电阻(5a、5b、5c)及电阻(7)大的电阻温度系数，配置为比电阻(7)更接近所对应的FET单元(3a、3b、3c)。

公开(公告)号：CN107026623A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710024873.X

申请日：2017-01-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 嘉藤胜也 ,  小坂尚希 ,  福田绘理 ,  藤原茂 ,  冈村笃司 ,  长明健一郎

IPC: H03F3/21 ,  H03F3/45

Abstract: 得到即使在多个FET单元并联连接的情况下也能抑制热失控的功率放大器。多个FET单元(3a、3b、3c)相互并联连接。电阻(4a、4b、4c)各自对应地连接于FET单元(3a、3b、3c)的栅极端子和接地端子间。电阻(5a、5b、5c)一端与FET单元(3a、3b、3c)的栅极端子分别连接，另一端相互连接。电容(6a、6b、6c)与电阻(5a、5b、5c)分别并联连接。电阻(7)连接于电阻(5a、5b、5c)的另一端的连接点和电源端子(8)之间。电阻(4a、4b、4c)具有比电阻(5a、5b、5c)及电阻(7)大的电阻温度系数，配置为比电阻(7)更接近所对应的FET单元(3a、3b、3c)。

公开(公告)号：CN102456616B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201110317588.X

申请日：2011-10-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小坂尚希 ,  金谷康 ,  塚原良洋

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/4821 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供制造能够制造可抑制空气桥的强度下降、抑制半导体元件的特性劣化，而且能够避免隔离材料的残留且被覆面积大的空气桥的空气桥制造方法。该方法是：在抗蚀层(100)上涂布作为第2抗蚀层的抗蚀层(102)。对于抗蚀层(102)，也和第1层(抗蚀层(100))一样，通过进行曝光显影留下规定的尺寸(L2)，其后，涂布第3抗蚀层(抗蚀层(104))。在第3层(抗蚀层(104))也进行曝光显影，留下规定的尺寸(L3)。在形成的抗蚀层(100、102、104)的叠层结构上，叠层形成空气桥(10)的材料的层(106)，以形成空气桥(10)。通过去除抗蚀层，完成截面形状为阶梯状的空气桥(10)的制作。

公开(公告)号：CN114667652B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN201980102290.1

申请日：2019-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小坂尚希 ,  渊田步 ,  中村直干

IPC: H01S5/02255 ,  H01S5/02315

Abstract: 具备：半导体激光光源(3)，将光束中心(Cb)倾斜(α)地设置，使得具有朝向管座(2)的安装面(2ft)的成分；反射面(4fm)，使来自半导体激光光源(3)的激光朝向透镜(6)反射；以及第二反射面(5fm)，与反射面(4fm)的靠近半导体激光光源(3)侧的端部相连，并使激光朝向透镜(6)反射，反射面(4fm)以及第二反射面(5fm)中的一方由形成于测量激光的光量的PD芯片(41)的电介质多层膜构成，将反射面(4fm)的倾斜度(β)设定为从45°减去比倾斜度(α)小的值而得的值，将第二反射面(5fm)的倾斜度(γ)设定为从45°减去比倾斜度(α)大的值而得的值。

公开(公告)号：CN116783698A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202180091236.9

申请日：2021-01-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 白崎昭生 ,  小坂尚希 ,  岛田征明 ,  畑端佳 ,  广重直

IPC: H01L23/12

Abstract: 本公开所涉及的半导体装置具备：基体，具有第1面和与第1面相反侧的第2面，并形成有从第1面贯通到第2面的贯通孔；引线，通过贯通孔并向基体的第1面侧延伸；密封体，填埋引线与基体的形成贯通孔的侧面之间；电介质基板，具有第1主面和第2主面，第1主面相对于基体的第1面以立起的状态设置，第2主面为与第1主面相反侧的面，并且相对于基体的第1面以立起的状态设置；半导体激光器，设置于电介质基板的第1主面侧；信号线路，设置于电介质基板的第1主面，与半导体激光器电连接；连接部件，将信号线路与引线电连接；以及背面导体，设置于电介质基板的第2主面，在从与第1面垂直的方向观察时，密封体设置在背面导体的正下方。

公开(公告)号：CN114667652A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN201980102290.1

申请日：2019-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小坂尚希 ,  渊田步 ,  中村直干

IPC: H01S5/02255 ,  H01S5/02315

Abstract: 具备：半导体激光光源(3)，将光束中心(Cb)倾斜(α)地设置，使得具有朝向管座(2)的安装面(2ft)的成分；反射面(4fm)，使来自半导体激光光源(3)的激光朝向透镜(6)反射；以及第二反射面(5fm)，与反射面(4fm)的靠近半导体激光光源(3)侧的端部相连，并使激光朝向透镜(6)反射，反射面(4fm)以及第二反射面(5fm)中的一方由形成于测量激光的光量的PD芯片(41)的电介质多层膜构成，将反射面(4fm)的倾斜度(β)设定为从45°减去比倾斜度(α)小的值而得的值，将第二反射面(5fm)的倾斜度(γ)设定为从45°减去比倾斜度(α)大的值而得的值。

公开(公告)号：CN107068623B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201610827446.0

申请日：2016-09-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小坂尚希 ,  今井翔平 ,  冈村笃司 ,  三轮真一 ,  长明健一郎 ,  佐佐木善伸 ,  堀口健一

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49 ,  H03F3/04

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制键合线的熔断的放大器。具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于该封装件中；以及多条漏极键合线，其与该漏极焊盘连接，该多条漏极键合线具有：第1最外键合线，其与该漏极焊盘的一个末端部分连接；第2最外键合线，其与该漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其夹在该第1最外键合线和该第2最外键合线之间，该多条漏极键合线比1mm长，该第1最外键合线和该第2最外键合线的线环高度比该中间键合线的线环高度高。

公开(公告)号：CN107068623A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610827446.0

申请日：2016-09-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小坂尚希 ,  今井翔平 ,  冈村笃司 ,  三轮真一 ,  长明健一郎 ,  佐佐木善伸 ,  堀口健一

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49 ,  H03F3/04

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制键合线的熔断的放大器。具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于该封装件中；以及多条漏极键合线，其与该漏极焊盘连接，该多条漏极键合线具有：第1最外键合线，其与该漏极焊盘的一个末端部分连接；第2最外键合线，其与该漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其夹在该第1最外键合线和该第2最外键合线之间，该多条漏极键合线比1mm长，该第1最外键合线和该第2最外键合线的线环高度比该中间键合线的线环高度高。

公开(公告)号：CN102376664A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110225510.5

申请日：2011-08-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小坂尚希 ,  天清宗山 ,  金谷康

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L23/12 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7322 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80123 ,  H01L2224/80129 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H05K1/14 ,  H05K2201/047 ,  H05K2201/10515 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01031

Abstract: 本发明提供一种能够节减化合物半导体材料并且得到使用了化合物半导体的高性能的半导体元件的半导体装置、半导体电路基板及半导体电路基板的制造方法。半导体电路基板具有晶体管形成基板（10）和电路形成基板（50）。晶体管形成基板（10）是GaN基板，在表面形成BJT（40）。晶体管形成基板（10）的背面平滑，并且在背面具有接触区域。电路形成基板（50）由化合物半导体以外的材料形成，不具有半导体有源元件。电路形成基板（50）为平滑的表面，具有以在表面露出的方式埋入的接触区域（52、54）及无源电路（未图示）。晶体管形成基板（10）和电路形成基板（50）不插入绝缘膜等其他膜地直接接合。