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公开(公告)号：CN108335970B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201710893281.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/033
Abstract: 一种形成图案的方法、精细图案层以及半导体装置。形成图案的方法包括：在衬底上形成蚀刻对象层，在蚀刻对象层上形成具有凸图案的第一层，形成完全覆盖第一层的凸图案的第二层，部分地移除第二层以暴露出凸图案的顶部、同时留下设置于凸图案的侧处的第二层，移除第一层以暴露出蚀刻对象层的顶部，以及使用设置于被移除的第一层的凸部的侧面处的第二层作为蚀刻掩模对蚀刻对象层进行蚀刻，其中第一层及第二层中的一者为含碳的层且另一者为含硅的层，含硅的层是通过对含硅的组合物进行涂布并对硅的组合物进行热处理来形成。本发明可实现精细的图案并同时提高良率。
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公开(公告)号：CN107129757B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201610835603.2
申请日：2016-09-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D183/14 , C09D7/20 , C09D1/00 , C04B35/14 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅的聚合物和作为溶剂的由化学式1表示的化合物。在化学式1中，L1、L2、m、n、X1以及X2与说明书中所定义相同。本发明可将二氧化硅层中缺陷的产生降到最低并且确保涂布特性。
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公开(公告)号：CN106409652B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201610160367.9
申请日：2016-03-21
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/12 , C09D7/20 , C09D183/08 , C09D183/16
Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置。用于形成氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和包含至少两种溶剂的混合溶剂，其中所述混合溶剂在25℃下的表面张力是5毫牛/米至35毫牛/米。本发明的用于形成氧化硅层的组合物能够提供具有小缺陷和均一厚度的氧化硅层。
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公开(公告)号：CN107129757A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201610835603.2
申请日：2016-09-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D183/14 , C09D7/00 , C09D1/00 , C04B35/14 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅的聚合物和作为溶剂的由化学式1表示的化合物。在化学式1中，L1、L2、m、n、X1以及X2与说明书中所定义相同。本发明可将二氧化硅层中缺陷的产生降到最低并且确保涂布特性。
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公开(公告)号：CN105720041A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510574210.6
申请日：2015-09-10
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物以及由所述组成物形成的二氧化硅类层、以及包括所述二氧化硅类层的电子装置，其中所述组成物包括多分散性为从3.0到30的含硅聚合物以及溶剂，且在25℃下的黏度为从1.30cps到1.80cps。所述组成物能够提供具有绝佳平坦化特征的膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111212881A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201880066432.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 提供了一种用于形成二氧化硅膜的组合物，该组合物含有含硅聚合物和溶剂，其中由用于形成二氧化硅膜的组合物形成的二氧化硅膜满足关系式1。关系式1的定义如说明书中的描述。
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公开(公告)号：CN109957261A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811353793.X
申请日：2018-11-14
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D1/00 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开一种用于形成包含含硅聚合物和溶剂的二氧化硅层的组合物、由其制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置，其中二氧化硅(SiO2)转化率约大于0且约小于或等于15。二氧化硅转化率由关系等式1计算：[关系等式1]二氧化硅转化率＝(通过以6700埃的厚度将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在裸露晶片上且允许在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下承受24小时的Si‑O/Si‑H的面积比)‑(通过以6700埃的厚度将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在裸露晶片上且允许在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下承受2小时的Si‑O/Si‑H的面积比)。
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公开(公告)号：CN105315679A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410779783.8
申请日：2014-12-16
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种形成二氧化硅基层的组成物及制造二氧化硅基层的方法，所述形成二氧化硅基层的组成物，包含：选自氢化聚硅氮烷、氢化聚环氧硅氮烷或它们的组合的二氧化硅基化合物；以及溶剂，其中，具有0.2μm到1μm粒子直径的粒子的数目少于或等于10/mL。本发明提供的用以形成二氧化硅基层的组成物可以减少粒子的产生，因此能极小化形成的层中的缺陷。
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公开(公告)号：CN115895662B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202211018998.9
申请日：2022-08-24
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法。该蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；以及硅烷化合物，其中，该硅烷化合物包括含反应性基团的第一硅烷化合物和含可溶性基团的第二硅烷化合物的混合物的聚合物、聚合物的反应产物、其盐、或它们的组合。
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公开(公告)号：CN109957261B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201811353793.X
申请日：2018-11-14
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D1/00 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开一种用于形成包含含硅聚合物和溶剂的二氧化硅层的组合物、由其制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置，其中二氧化硅(SiO2)转化率约大于0且约小于或等于15。二氧化硅转化率由关系等式1计算：[关系等式1]二氧化硅转化率＝(通过以6700埃的厚度将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在裸露晶片上且允许在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下承受24小时的Si‑O/Si‑H的面积比)‑(通过以6700埃的厚度将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在裸露晶片上且允许在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下承受2小时的Si‑O/Si‑H的面积比)。
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