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公开(公告)号：CN105315679A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410779783.8
申请日：2014-12-16
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种形成二氧化硅基层的组成物及制造二氧化硅基层的方法，所述形成二氧化硅基层的组成物，包含：选自氢化聚硅氮烷、氢化聚环氧硅氮烷或它们的组合的二氧化硅基化合物；以及溶剂，其中，具有0.2μm到1μm粒子直径的粒子的数目少于或等于10/mL。本发明提供的用以形成二氧化硅基层的组成物可以减少粒子的产生，因此能极小化形成的层中的缺陷。
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公开(公告)号：CN104513613A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410487212.7
申请日：2014-09-22
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D183/00
CPC classification number: C09D183/16 , B05D3/0254 , B05D2518/10 , C01B33/126 , C08G77/54 , C08G77/62 , C09D183/14 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明公开了一种用于形成基于二氧化硅的层的组合物和基于二氧化硅的层。该组合物包含具有20,000至160,000的重均分子量的含硅聚合物以及溶剂。另外，本发明还公开了一种用于制造基于二氧化硅的层的方法。
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公开(公告)号：CN111462940A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010064725.2
申请日：2020-01-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01B1/22 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供一种用于形成太阳能电池电极的组合物、使用其制备的电极以及包含电极的太阳能电池，组合物包含导电粉末；玻璃料；纤维素聚合物；有机硅聚合物；触变剂；以及溶剂，其中Tanδ的最大值出现在23℃和0.1弧度/秒到1,000弧度/秒下的角速度大于80弧度/秒且小于或等于1,000弧度/秒。
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公开(公告)号：CN111316381A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880071089.7
申请日：2018-05-09
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01B1/22 , C03C8/14 , C03C8/10 , C03C8/08 , C03C8/04 , H01L31/0224 , H01L31/068 , C08L1/12 , C08K5/14
Abstract: 本发明提供一种形成太阳能电池电极的组成物、一种使用所述形成太阳能电池电极的组成物制造的太阳能电池电极、及一种包括所述电极的太阳能电池。形成太阳能电池电极的组成物包含导电粉、玻璃料、包含由特定化学式表示的纤维素系聚合物的有机黏合剂、热聚合起始剂及溶剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105720041A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510574210.6
申请日：2015-09-10
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物以及由所述组成物形成的二氧化硅类层、以及包括所述二氧化硅类层的电子装置，其中所述组成物包括多分散性为从3.0到30的含硅聚合物以及溶剂，且在25℃下的黏度为从1.30cps到1.80cps。所述组成物能够提供具有绝佳平坦化特征的膜。
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公开(公告)号：CN115572540B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202210699991.1
申请日：2022-06-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C08G77/62 , C04B41/65
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物，组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中由关系式1计算的折射率(RI)减少率小于或等于3％；由组合物制造的二氧化硅层；以及包含二氧化硅层的电子装置。在关系式1中，RI100：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在100℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率，且RI250：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在250℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率。折射率(RI)减少率(％)＝{(RI100‑RI250)/RI100}*100。
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公开(公告)号：CN115572540A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202210699991.1
申请日：2022-06-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C08G77/62 , C04B41/65
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物，组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中由关系式1计算的折射率(RI)减少率小于或等于3％；由组合物制造的二氧化硅层；以及包含二氧化硅层的电子装置。在关系式1中，RI100：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在100℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率，且RI250：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在250℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率。折射率(RI)减少率(％)＝{(RI100‑RI250)/RI100}*100。
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公开(公告)号：CN115703943B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210845890.0
申请日：2022-07-19
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D5/25 , C09D1/00 , C08G77/62
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物、由组合物制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中70％浓缩固体含量的粘度与50％浓缩固体含量的粘度之间的差值为400厘泊到2,200厘泊。
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公开(公告)号：CN115703943A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210845890.0
申请日：2022-07-19
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D5/25 , C09D1/00 , C08G77/62
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物、由组合物制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中70％浓缩固体含量的粘度与50％浓缩固体含量的粘度之间的差值为400厘泊到2,200厘泊。
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