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公开(公告)号：CN108164711B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201710636140.1
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08G77/62 , C09D183/16 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种用于形成硅氧层的组成物、一种制造硅氧层的方法及一种电子装置，所述用于形成硅氧层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物的重量平均分子量在2,000到100,000范围内，并且由方程式1计算的含硅聚合物的分支比(a)在0.25到0.50范围内。η＝k×Ma[方程式1]在方程式1中，η是含硅聚合物的固有粘度，M是含硅聚合物的绝对分子量，a是分支比，以及k是固有常数。因此，使用用于形成硅氧层的组成物制造的硅氧层具有密集型结构，并且因此减少损耗和层应力以及改良抗蚀刻性和平面化特征。
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公开(公告)号：CN109957261A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811353793.X
申请日：2018-11-14
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D1/00 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开一种用于形成包含含硅聚合物和溶剂的二氧化硅层的组合物、由其制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置，其中二氧化硅(SiO2)转化率约大于0且约小于或等于15。二氧化硅转化率由关系等式1计算：[关系等式1]二氧化硅转化率＝(通过以6700埃的厚度将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在裸露晶片上且允许在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下承受24小时的Si‑O/Si‑H的面积比)‑(通过以6700埃的厚度将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在裸露晶片上且允许在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下承受2小时的Si‑O/Si‑H的面积比)。
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公开(公告)号：CN119432511A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411054043.8
申请日：2024-08-02
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 公开一种用于从含金属的抗蚀剂移除边缘珠粒的组合物、一种含金属的抗蚀剂的显影剂组合物、以及使用其形成图案的方法。根据一个或多个实施例的组合物包含：经至少一个氟取代的C1至C10羧酸化合物；以及有机溶剂。
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公开(公告)号：CN108335970B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201710893281.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/033
Abstract: 一种形成图案的方法、精细图案层以及半导体装置。形成图案的方法包括：在衬底上形成蚀刻对象层，在蚀刻对象层上形成具有凸图案的第一层，形成完全覆盖第一层的凸图案的第二层，部分地移除第二层以暴露出凸图案的顶部、同时留下设置于凸图案的侧处的第二层，移除第一层以暴露出蚀刻对象层的顶部，以及使用设置于被移除的第一层的凸部的侧面处的第二层作为蚀刻掩模对蚀刻对象层进行蚀刻，其中第一层及第二层中的一者为含碳的层且另一者为含硅的层，含硅的层是通过对含硅的组合物进行涂布并对硅的组合物进行热处理来形成。本发明可实现精细的图案并同时提高良率。
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公开(公告)号：CN117348341A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310445626.2
申请日：2023-04-24
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种含金属光刻胶显影剂组合物，及一种包含使用所述组合物进行显影的步骤的图案形成方法，且所述含金属光刻胶显影剂组合物包含：有机溶剂；以及至少一种添加剂，选自亚磷酸类化合物、次磷酸类化合物、亚硫酸类化合物以及氧肟酸类化合物，其中包含约0.0001重量％至小于约1.0重量％的量的所述添加剂。含金属光刻胶显影剂组合物可使曝光工艺之后存在于含金属光刻胶膜中的缺陷最小化且实现容易显影，由此实现极佳对比度特性、极佳敏感性以及减小的线边缘粗糙度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110903764B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201811610012.0
申请日：2018-12-27
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D183/14 , C09D1/00
Abstract: 本发明公开一种用于形成二氧化硅层的组合物、一种用于使用所述组合物制造二氧化硅层的方法、一种利用所述方法制造的二氧化硅层以及一种包括所述二氧化硅层的电子装置，所述用于形成二氧化硅层的组合物包含：含硅聚合物，包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合；以及溶剂，其中所述含硅聚合物具有4,000g/mol到13,000g/mol的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量，且满足方程式1，在方程式1中，A指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为2,700g/mol到9,000g/mol的峰面积，且B指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为200g/mol到2,700g/mol的峰面积。[方程式1]0.98≤B/A≤1.24。
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公开(公告)号：CN111944320A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010411761.1
申请日：2020-05-15
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 公开了一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置，用于形成二氧化硅层的组成物包含全氢聚硅氮烷和溶剂，其中在CDCl3中的全氢聚硅氮烷的1H-NMR光谱中，当从N3SiH1和N2SiH2导出的波峰称为波峰1且从NSiH3导出的波峰称为波峰2时，比率(P1/(P1+P2))大于或等于0.77，且比率(PA/PB)大于或等于约1.5。P1、P2、PA及PB的定义与说明书中的定义相同。本公开可提供具有极佳层厚度均一性的二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN119024655A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410573611.9
申请日：2024-05-10
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 一种含金属的光刻胶显影剂组合物包括有机溶剂和磺酰亚胺类化合物。一种利用显影剂组合物形成图案的方法包括：在衬底上涂布含金属的抗蚀剂组合物；沿着衬底的边缘涂布用于从含金属抗蚀剂移除边珠的组合物；对所得物进行干燥和加热以在衬底上形成含金属的抗蚀剂层；对含金属的抗蚀剂层进行曝光；以及涂布含金属的光刻胶显影剂组合物，并对所述含金属的光刻胶显影剂组合物进行显影。
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公开(公告)号：CN118963076A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410593379.5
申请日：2024-05-14
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 提供一种用于从含金属抗蚀剂移除边珠的组合物以及一种包括使用所述组合物来移除边珠的步骤的形成图案的方法及形成图案的系统。所述用于移除边珠的组合物包括：添加剂，包含选自磷酸、亚磷酸类化合物和次亚磷酸类化合物中的至少一者；羧酸类化合物；以及有机溶剂，其中选自磷酸、亚磷酸类化合物和次亚磷酸类化合物中的所述至少一者对羧酸类化合物的混合重量比为约9:1到约1.2:1。
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公开(公告)号：CN115572540B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202210699991.1
申请日：2022-06-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C08G77/62 , C04B41/65
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物，组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中由关系式1计算的折射率(RI)减少率小于或等于3％；由组合物制造的二氧化硅层；以及包含二氧化硅层的电子装置。在关系式1中，RI100：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在100℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率，且RI250：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在250℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率。折射率(RI)减少率(％)＝{(RI100‑RI250)/RI100}*100。
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