公开(公告)号：CN118732423A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202311571205.0

申请日：2023-11-23

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 成太根 ,  文炯朗 ,  崔有廷 ,  任浣熙 ,  李忠宪 ,  宋大锡 ,  司空峻

IPC: G03F7/32

Abstract: 提供一种含金属光刻胶显影剂组合物以及包括使用所述含金属光刻胶显影剂组合物进行显影的步骤的形成图案的方法，所述含金属光刻胶显影剂组合物包含有机溶剂、酸化合物以及所述酸化合物的共轭碱化合物。

公开(公告)号：CN105720041A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510574210.6

申请日：2015-09-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张俊英 ,  郭泽秀 ,  金佑翰 ,  尹熙灿 ,  裵镇希 ,  金补宣 ,  罗隆熙 ,  朴玺美 ,  李汉松 ,  任浣熙

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物以及由所述组成物形成的二氧化硅类层、以及包括所述二氧化硅类层的电子装置，其中所述组成物包括多分散性为从3.0到30的含硅聚合物以及溶剂，且在25℃下的黏度为从1.30cps到1.80cps。所述组成物能够提供具有绝佳平坦化特征的膜。

公开(公告)号：CN106558483A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610329591.6

申请日：2016-05-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李知虎 ,  卢健培 ,  尹熙灿 ,  裵镇希 ,  任浣熙

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/31 ,  H01L23/28 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明提供一种制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。制造二氧化硅层的方法包含将包含碳化合物的预润湿液体物质涂布于衬底上、将用于形成二氧化硅层的组合物涂布于涂布有预润湿液体物质的衬底上以及使涂布有用于形成二氧化硅层的组合物的衬底固化。根据本发明的方法，可以使得用于形成二氧化硅层的组合物充分润湿衬底，并且可以有效涂布少量组合物，形成均匀的二氧化硅层。

公开(公告)号：CN105315679A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410779783.8

申请日：2014-12-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 裵镇希 ,  郭泽秀 ,  李汉松 ,  赵娟振 ,  黄丙奎 ,  金补宣 ,  朴玺美 ,  朴银秀 ,  徐珍雨 ,  任浣熙 ,  张俊英 ,  韩权愚

IPC: C08L83/16 ,  C09D1/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种形成二氧化硅基层的组成物及制造二氧化硅基层的方法，所述形成二氧化硅基层的组成物，包含：选自氢化聚硅氮烷、氢化聚环氧硅氮烷或它们的组合的二氧化硅基化合物；以及溶剂，其中，具有0.2μm到1μm粒子直径的粒子的数目少于或等于10/mL。本发明提供的用以形成二氧化硅基层的组成物可以减少粒子的产生，因此能极小化形成的层中的缺陷。

公开(公告)号：CN104513613A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410487212.7

申请日：2014-09-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩权愚 ,  郭泽秀 ,  金补宣 ,  朴银秀 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  李汉松 ,  任浣熙 ,  黄丙奎 ,  金相均 ,  赵娟振

IPC: C09D183/16 ,  C09D183/00

CPC classification number: C09D183/16 ,  B05D3/0254 ,  B05D2518/10 ,  C01B33/126 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C09D183/14 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本发明公开了一种用于形成基于二氧化硅的层的组合物和基于二氧化硅的层。该组合物包含具有20,000至160,000的重均分子量的含硅聚合物以及溶剂。另外，本发明还公开了一种用于制造基于二氧化硅的层的方法。

公开(公告)号：CN119335813A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410807870.3

申请日：2024-06-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李旻映 ,  金智敏 ,  任浣熙 ,  司空峻 ,  千玟基 ,  禹昌秀 ,  辛乘旭

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/80 ,  G03F1/56

Abstract: 公开一种半导体光刻胶组合物以及使用所述半导体光刻胶组合物来形成图案的方法，所述半导体光刻胶组合物包含有机金属性化合物；含乙烯基的酸化合物；以及溶剂。

公开(公告)号：CN115572540B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202210699991.1

申请日：2022-06-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郭泽秀 ,  金义贤 ,  裵鎭希 ,  司空峻 ,  李忠宪 ,  李汉松 ,  任浣熙 ,  张胜宇 ,  赵炫洙 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16 ,  C08G77/62 ,  C04B41/65

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物，组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中由关系式1计算的折射率(RI)减少率小于或等于3％；由组合物制造的二氧化硅层；以及包含二氧化硅层的电子装置。在关系式1中，RI100：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在100℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率，且RI250：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在250℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率。折射率(RI)减少率(％)＝{(RI100‑RI250)/RI100}*100。

公开(公告)号：CN115572540A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202210699991.1

申请日：2022-06-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郭泽秀 ,  金义贤 ,  裵鎭希 ,  司空峻 ,  李忠宪 ,  李汉松 ,  任浣熙 ,  张胜宇 ,  赵炫洙 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16 ,  C08G77/62 ,  C04B41/65

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物，组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中由关系式1计算的折射率(RI)减少率小于或等于3％；由组合物制造的二氧化硅层；以及包含二氧化硅层的电子装置。在关系式1中，RI100：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在100℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率，且RI250：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在250℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率。折射率(RI)减少率(％)＝{(RI100‑RI250)/RI100}*100。

公开(公告)号：CN111944320B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202010411761.1

申请日：2020-05-15

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张胜宇 ,  郭泽秀 ,  裵鎭希 ,  赵炫洙 ,  金义贤 ,  卢健培 ,  司空峻 ,  李忠宪 ,  任浣熙 ,  黄丙奎

IPC: C08L83/16 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置，用于形成二氧化硅层的组成物包含全氢聚硅氮烷和溶剂，其中在CDCl3中的全氢聚硅氮烷的1H‑NMR光谱中，当从N3SiH1和N2SiH2导出的波峰称为波峰1且从NSiH3导出的波峰称为波峰2时，比率(P1/(P1+P2))大于或等于0.77，且比率(PA/PB)大于或等于约1.5。P1、P2、PA及PB的定义与说明书中的定义相同。本公开可提供具有极佳层厚度均一性的二氧化硅层。

公开(公告)号：CN115703943B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202210845890.0

申请日：2022-07-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李汉松 ,  郭泽秀 ,  金义贤 ,  裵鎭希 ,  司空峻 ,  李忠宪 ,  任浣熙 ,  张胜宇 ,  赵炫洙 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16 ,  C09D5/25 ,  C09D1/00 ,  C08G77/62

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物、由组合物制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中70％浓缩固体含量的粘度与50％浓缩固体含量的粘度之间的差值为400厘泊到2,200厘泊。