公开(公告)号：CN115895662B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202211018998.9

申请日：2022-08-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文炯朗 ,  崔正敏 ,  李圭原 ,  张俊英 ,  尹志贤 ,  李智惠 ,  李在珉 ,  赵娟振 ,  韩美莲 ,  金贤贞

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法。该蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；以及硅烷化合物，其中，该硅烷化合物包括含反应性基团的第一硅烷化合物和含可溶性基团的第二硅烷化合物的混合物的聚合物、聚合物的反应产物、其盐、或它们的组合。

公开(公告)号：CN105713512A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510591897.4

申请日：2015-09-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 任浣熙 ,  郭泽秀 ,  李汉松 ,  朴银秀 ,  姜善惠 ,  金补宣 ,  金相均 ,  朴玺美 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  张俊英 ,  赵娟振 ,  韩权愚 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16

CPC classification number: C09D183/14 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C08K5/01 ,  C09D183/16

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的方法以及电子装置。本发明的用于形成二氧化硅类层的组成物包括含硅化合物和一或多种类别的溶剂。所述含硅化合物包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合。并且，所述组成物具有小于或等于0.13的浊度增加率。本发明可以提供一种具有极好储存稳定性的用于形成二氧化硅类层的组成物。

公开(公告)号：CN115895662A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211018998.9

申请日：2022-08-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文炯朗 ,  崔正敏 ,  李圭原 ,  张俊英 ,  尹志贤 ,  李智惠 ,  李在珉 ,  赵娟振 ,  韩美莲 ,  金贤贞

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法。该蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；以及硅烷化合物，其中，该硅烷化合物包括含反应性基团的第一硅烷化合物和含可溶性基团的第二硅烷化合物的混合物的聚合物、聚合物的反应产物、其盐、或它们的组合。

公开(公告)号：CN112166167B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201980034252.7

申请日：2019-04-05

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  高尙兰 ,  赵娟振 ,  崔正敏 ,  韩权愚 ,  张俊英 ,  尹龙云

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/306

Abstract: 揭示一种用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法，所述用于氮化硅的蚀刻组成物包含：磷酸化合物；水；以及硅烷化合物及其反应产物中的至少一者。该蚀刻组成物执行蚀刻时，可提高相较于氧化硅层对氮化硅层的蚀刻选择率。

公开(公告)号：CN113969106A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202110829759.0

申请日：2021-07-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李义郞 ,  具仑永 ,  金元中 ,  金亨默 ,  朴泰远 ,  李锺元 ,  赵娟振

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/48

Abstract: 一种用于抛光钨图案晶片的CMP浆料组合物以及使用其抛光钨图案晶片的方法。所述CMP浆料组合物包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一种溶剂；研磨剂；以及杀生物剂，其中所述研磨剂包含用选自含两个氮原子的硅烷及含三个氮原子的硅烷中的至少一者改性的二氧化硅，并且所述杀生物剂包含式3的化合物。所述CMP浆料组合物可在抛光钨图案晶片时提高钨图案晶片的抛光速率及平整度。

公开(公告)号：CN110437837A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910360034.4

申请日：2019-04-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  赵娟振 ,  黄基煜 ,  高尚兰

IPC: C09K13/06

Abstract: 一种用于氮化硅的蚀刻组合物和使用其进行蚀刻的方法。蚀刻组合物包括：磷酸化合物；取代或未取代的C7至C8环烃；和水。该蚀刻组合物对氮化硅层具有高选择性，并且可以抑制硅化合物的沉淀。

公开(公告)号：CN113969106B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202110829759.0

申请日：2021-07-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李义郞 ,  具仑永 ,  金元中 ,  金亨默 ,  朴泰远 ,  李锺元 ,  赵娟振

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/48

Abstract: 一种用于抛光钨图案晶片的CMP浆料组合物以及使用其抛光钨图案晶片的方法。所述CMP浆料组合物包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一种溶剂；研磨剂；以及杀生物剂，其中所述研磨剂包含用选自含两个氮原子的硅烷及含三个氮原子的硅烷中的至少一者改性的二氧化硅，并且所述杀生物剂包含式3的化合物。所述CMP浆料组合物可在抛光钨图案晶片时提高钨图案晶片的抛光速率及平整度。

公开(公告)号：CN105315679A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410779783.8

申请日：2014-12-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 裵镇希 ,  郭泽秀 ,  李汉松 ,  赵娟振 ,  黄丙奎 ,  金补宣 ,  朴玺美 ,  朴银秀 ,  徐珍雨 ,  任浣熙 ,  张俊英 ,  韩权愚

IPC: C08L83/16 ,  C09D1/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种形成二氧化硅基层的组成物及制造二氧化硅基层的方法，所述形成二氧化硅基层的组成物，包含：选自氢化聚硅氮烷、氢化聚环氧硅氮烷或它们的组合的二氧化硅基化合物；以及溶剂，其中，具有0.2μm到1μm粒子直径的粒子的数目少于或等于10/mL。本发明提供的用以形成二氧化硅基层的组成物可以减少粒子的产生，因此能极小化形成的层中的缺陷。

公开(公告)号：CN104513613A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410487212.7

申请日：2014-09-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩权愚 ,  郭泽秀 ,  金补宣 ,  朴银秀 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  李汉松 ,  任浣熙 ,  黄丙奎 ,  金相均 ,  赵娟振

IPC: C09D183/16 ,  C09D183/00

CPC classification number: C09D183/16 ,  B05D3/0254 ,  B05D2518/10 ,  C01B33/126 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C09D183/14 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本发明公开了一种用于形成基于二氧化硅的层的组合物和基于二氧化硅的层。该组合物包含具有20,000至160,000的重均分子量的含硅聚合物以及溶剂。另外，本发明还公开了一种用于制造基于二氧化硅的层的方法。

公开(公告)号：CN114350263B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202111152096.X

申请日：2021-09-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金元中 ,  具仑永 ,  金亨默 ,  朴泰远 ,  李义郞 ,  李锺元 ,  赵娟振

IPC: C09G1/02 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明涉及一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法。化学机械抛光组合物包含溶剂和研磨剂。研磨剂包含用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅，且组合物具有4到7的pH。所述组合物可改进钨图案晶片的抛光速率和平整度，同时抑制在抛光后产生刮痕缺陷。