公开(公告)号：CN119350858A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202410990399.6

申请日：2024-07-23

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 高尚兰 ,  李成根 ,  卢锺贤 ,  柳智铉 ,  徐贤柱 ,  申东珠 ,  徐东均

IPC: C08L83/06 ,  G02B5/22 ,  G02B5/23 ,  G09F9/33 ,  H10K59/80 ,  C08K9/06 ,  C08K7/26 ,  C08J5/18

Abstract: 公开一种可固化树脂组合物、由所述可固化树脂组合物制造的薄层、包括所述薄层的颜色转换面板及包括所述薄层的显示装置，所述可固化树脂组合物包括由化学式1表示的含硅聚合物、中空颗粒及溶剂，[化学式1](R4R5R6SiO1/2)M(R7R8SiO2/2)D(R9SiO3/2)T1(SiO3/2‑Y‑SiO3/2)T2(SiO4/2)Q。

公开(公告)号：CN110437837A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910360034.4

申请日：2019-04-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  赵娟振 ,  黄基煜 ,  高尚兰

IPC: C09K13/06

Abstract: 一种用于氮化硅的蚀刻组合物和使用其进行蚀刻的方法。蚀刻组合物包括：磷酸化合物；取代或未取代的C7至C8环烃；和水。该蚀刻组合物对氮化硅层具有高选择性，并且可以抑制硅化合物的沉淀。

公开(公告)号：CN111836873B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201980018129.6

申请日：2019-03-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  高尚兰 ,  赵娟振 ,  崔正敏

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种用于氮化硅的蚀刻组成物与使用其进行的半导体元件的蚀刻方法。所述蚀刻组成物包含：磷酸化合物；多元醇；以及水。所述蚀刻组成物相对于氧化硅层对氮化硅层具有高选择性且能够抑制硅化合物的沉淀。

公开(公告)号：CN111836873A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201980018129.6

申请日：2019-03-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  高尚兰 ,  赵娟振 ,  崔正敏

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种氮化硅膜蚀刻组成物。所述氮化硅膜蚀刻组成物包含：磷酸化合物；多元醇；以及水。所述氮化硅膜蚀刻组成物相对于氧化硅层对氮化硅层具有高选择性且能够抑制硅化合物的沉淀。

公开(公告)号：CN110437837B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201910360034.4

申请日：2019-04-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  赵娟振 ,  黄基煜 ,  高尚兰

IPC: C09K13/06

Abstract: 一种用于氮化硅的蚀刻组合物和使用其进行蚀刻的方法。蚀刻组合物包括：磷酸化合物；取代或未取代的C7至C8环烃；和水。该蚀刻组合物对氮化硅层具有高选择性，并且可以抑制硅化合物的沉淀。

公开(公告)号：CN106189267A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510282712.1

申请日：2015-05-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  金佑翰 ,  高尚兰 ,  郭泽秀 ,  金补宣 ,  金真敎 ,  罗隆熙 ,  卢健培 ,  朴玺美 ,  裵镇希 ,  司空峻 ,  李殷善 ,  任浣熙 ,  张俊英 ,  郑日 ,  黄丙奎

IPC: C08L83/16 ,  C08L83/14 ,  C01B33/113

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含重量平均分子量为20,000到70,000并且多分散指数为5.0到17.0的含硅聚合物和溶剂。本发明提供的用于形成二氧化硅层的组成物能同时确保间隙填充特征和间隙蚀刻特征。