公开(公告)号：CN105720041A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510574210.6

申请日：2015-09-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张俊英 ,  郭泽秀 ,  金佑翰 ,  尹熙灿 ,  裵镇希 ,  金补宣 ,  罗隆熙 ,  朴玺美 ,  李汉松 ,  任浣熙

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物以及由所述组成物形成的二氧化硅类层、以及包括所述二氧化硅类层的电子装置，其中所述组成物包括多分散性为从3.0到30的含硅聚合物以及溶剂，且在25℃下的黏度为从1.30cps到1.80cps。所述组成物能够提供具有绝佳平坦化特征的膜。

公开(公告)号：CN105315679A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410779783.8

申请日：2014-12-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 裵镇希 ,  郭泽秀 ,  李汉松 ,  赵娟振 ,  黄丙奎 ,  金补宣 ,  朴玺美 ,  朴银秀 ,  徐珍雨 ,  任浣熙 ,  张俊英 ,  韩权愚

IPC: C08L83/16 ,  C09D1/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种形成二氧化硅基层的组成物及制造二氧化硅基层的方法，所述形成二氧化硅基层的组成物，包含：选自氢化聚硅氮烷、氢化聚环氧硅氮烷或它们的组合的二氧化硅基化合物；以及溶剂，其中，具有0.2μm到1μm粒子直径的粒子的数目少于或等于10/mL。本发明提供的用以形成二氧化硅基层的组成物可以减少粒子的产生，因此能极小化形成的层中的缺陷。

公开(公告)号：CN105720041B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201510574210.6

申请日：2015-09-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张俊英 ,  郭泽秀 ,  金佑翰 ,  尹熙灿 ,  裵镇希 ,  金补宣 ,  罗隆熙 ,  朴玺美 ,  李汉松 ,  任浣熙

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物以及由所述组成物形成的二氧化硅类层、以及包括所述二氧化硅类层的电子装置，其中所述组成物包括多分散性为从3.0到30的含硅聚合物以及溶剂，且在25℃下的黏度为从1.30cps到1.80cps。所述组成物能够提供具有绝佳平坦化特征的膜。

公开(公告)号：CN105713512A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510591897.4

申请日：2015-09-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 任浣熙 ,  郭泽秀 ,  李汉松 ,  朴银秀 ,  姜善惠 ,  金补宣 ,  金相均 ,  朴玺美 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  张俊英 ,  赵娟振 ,  韩权愚 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16

CPC classification number: C09D183/14 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C08K5/01 ,  C09D183/16

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的方法以及电子装置。本发明的用于形成二氧化硅类层的组成物包括含硅化合物和一或多种类别的溶剂。所述含硅化合物包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合。并且，所述组成物具有小于或等于0.13的浊度增加率。本发明可以提供一种具有极好储存稳定性的用于形成二氧化硅类层的组成物。

公开(公告)号：CN105315679B

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201410779783.8

申请日：2014-12-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 裵镇希 ,  郭泽秀 ,  李汉松 ,  赵娟振 ,  黄丙奎 ,  金补宣 ,  朴玺美 ,  朴银秀 ,  徐珍雨 ,  任浣熙 ,  张俊英 ,  韩权愚

IPC: C08L83/16 ,  C09D1/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种形成二氧化硅基层的组成物及制造二氧化硅基层的方法，所述形成二氧化硅基层的组成物，包含：选自氢化聚硅氮烷、氢化聚环氧硅氮烷或它们的组合的二氧化硅基化合物；以及溶剂，其中，具有0.2μm到1μm粒子直径的粒子的数目少于或等于10/mL。本发明提供的用以形成二氧化硅基层的组成物可以减少粒子的产生，因此能极小化形成的层中的缺陷。

公开(公告)号：CN105713512B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201510591897.4

申请日：2015-09-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 任浣熙 ,  郭泽秀 ,  李汉松 ,  朴银秀 ,  姜善惠 ,  金补宣 ,  金相均 ,  朴玺美 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  张俊英 ,  赵娟振 ,  韩权愚 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16

CPC classification number: C09D183/14 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C08K5/01 ,  C09D183/16

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的方法以及电子装置。本发明的用于形成二氧化硅类层的组成物包括含硅化合物和一或多种类别的溶剂。所述含硅化合物包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合。并且，所述组成物具有小于或等于0.13的浊度增加率。本发明可以提供一种具有极好储存稳定性的用于形成二氧化硅类层的组成物。

公开(公告)号：CN106189267A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510282712.1

申请日：2015-05-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  金佑翰 ,  高尚兰 ,  郭泽秀 ,  金补宣 ,  金真敎 ,  罗隆熙 ,  卢健培 ,  朴玺美 ,  裵镇希 ,  司空峻 ,  李殷善 ,  任浣熙 ,  张俊英 ,  郑日 ,  黄丙奎

IPC: C08L83/16 ,  C08L83/14 ,  C01B33/113

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含重量平均分子量为20,000到70,000并且多分散指数为5.0到17.0的含硅聚合物和溶剂。本发明提供的用于形成二氧化硅层的组成物能同时确保间隙填充特征和间隙蚀刻特征。