公开(公告)号：CN118444539A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202311535938.9

申请日：2023-11-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴景铃 ,  文炯朗 ,  许伦旼 ,  郭泽秀 ,  成太根 ,  李忠宪 ,  黄丙奎 ,  金旼秀

IPC: G03F7/32

Abstract: 本发明公开一种含金属光刻胶显影剂组合物、和一种形成包含使用所述含金属光刻胶显影剂组合物的显影步骤的图案的方法，含金属光刻胶显影剂组合物包含：有机溶剂；酸化合物，具有1.0≤pKa1≤4.8；以及至少一种醇类化合物，选自衍生自非环烃的二醇化合物和环状醇化合物。

公开(公告)号：CN107129757B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201610835603.2

申请日：2016-09-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩权愚 ,  郭泽秀 ,  卢健培 ,  徐珍雨 ,  沈秀姸 ,  尹熙灿 ,  李知虎 ,  张俊英 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16 ,  C09D183/14 ,  C09D7/20 ,  C09D1/00 ,  C04B35/14 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅的聚合物和作为溶剂的由化学式1表示的化合物。在化学式1中，L1、L2、m、n、X1以及X2与说明书中所定义相同。本发明可将二氧化硅层中缺陷的产生降到最低并且确保涂布特性。

公开(公告)号：CN106409652B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201610160367.9

申请日：2016-03-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张俊英 ,  尹熙灿 ,  金佑翰 ,  卢健培 ,  李殷善 ,  郭泽秀 ,  金真教 ,  金哈尼 ,  罗隆熙 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  黄丙奎

IPC: H01L21/02 ,  G02F1/133 ,  H01L33/44

CPC classification number: C09D1/00 ,  C01B33/12 ,  C09D7/20 ,  C09D183/08 ,  C09D183/16

Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置。用于形成氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和包含至少两种溶剂的混合溶剂，其中所述混合溶剂在25℃下的表面张力是5毫牛/米至35毫牛/米。本发明的用于形成氧化硅层的组合物能够提供具有小缺陷和均一厚度的氧化硅层。

公开(公告)号：CN107129757A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201610835603.2

申请日：2016-09-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩权愚 ,  郭泽秀 ,  卢健培 ,  徐珍雨 ,  沈秀姸 ,  尹熙灿 ,  李知虎 ,  张俊英 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16 ,  C09D183/14 ,  C09D7/00 ,  C09D1/00 ,  C04B35/14 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅的聚合物和作为溶剂的由化学式1表示的化合物。在化学式1中，L1、L2、m、n、X1以及X2与说明书中所定义相同。本发明可将二氧化硅层中缺陷的产生降到最低并且确保涂布特性。

公开(公告)号：CN119882348A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411482622.2

申请日：2024-10-23

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李恩受 ,  白载烈 ,  黄丙奎 ,  阵和英 ,  金秀贞 ,  金圣振 ,  曹雅罗 ,  崔有廷 ,  郑盛宇 ,  林昌模 ,  权纯亨

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/09

Abstract: 公开一种抗蚀剂底层组合物和使用该抗蚀剂底层组合物形成图案的方法。该抗蚀剂底层组合物包括：包含由化学式1表示的结构单元、由化学式2表示的结构单元、由化学式3表示的结构单元或其组合的聚合物；由化学式4至化学式6中选择的一者或多者表示的化合物；以及溶剂。化学式1到化学式6的定义如说明书中所述。#imgabs0#

公开(公告)号：CN119668032A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411313526.5

申请日：2024-09-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄丙奎 ,  林昌模 ,  白载烈 ,  权纯亨 ,  阵和英 ,  金秀贞 ,  李恩受 ,  金圣振 ,  曹雅罗 ,  崔有廷 ,  郑盛宇

IPC: G03F7/09

Abstract: 公开一种抗蚀剂底层组合物和使用所述抗蚀剂底层组合物形成图案的方法。所述抗蚀剂底层组合物包括聚合物和溶剂，所述聚合物包括由化学式1表示的结构单元、由化学式2表示的结构单元、由化学式3表示的结构单元或其组合。化学式1到化学式3的定义如说明书中所述。化学式1#imgabs0#化学式2#imgabs1#化学式3#imgabs2#

公开(公告)号：CN115572540B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202210699991.1

申请日：2022-06-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郭泽秀 ,  金义贤 ,  裵鎭希 ,  司空峻 ,  李忠宪 ,  李汉松 ,  任浣熙 ,  张胜宇 ,  赵炫洙 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16 ,  C08G77/62 ,  C04B41/65

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物，组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中由关系式1计算的折射率(RI)减少率小于或等于3％；由组合物制造的二氧化硅层；以及包含二氧化硅层的电子装置。在关系式1中，RI100：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在100℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率，且RI250：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在250℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率。折射率(RI)减少率(％)＝{(RI100‑RI250)/RI100}*100。

公开(公告)号：CN115572540A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202210699991.1

申请日：2022-06-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郭泽秀 ,  金义贤 ,  裵鎭希 ,  司空峻 ,  李忠宪 ,  李汉松 ,  任浣熙 ,  张胜宇 ,  赵炫洙 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16 ,  C08G77/62 ,  C04B41/65

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物，组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中由关系式1计算的折射率(RI)减少率小于或等于3％；由组合物制造的二氧化硅层；以及包含二氧化硅层的电子装置。在关系式1中，RI100：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在100℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率，且RI250：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在250℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率。折射率(RI)减少率(％)＝{(RI100‑RI250)/RI100}*100。

公开(公告)号：CN111944320B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202010411761.1

申请日：2020-05-15

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张胜宇 ,  郭泽秀 ,  裵鎭希 ,  赵炫洙 ,  金义贤 ,  卢健培 ,  司空峻 ,  李忠宪 ,  任浣熙 ,  黄丙奎

IPC: C08L83/16 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置，用于形成二氧化硅层的组成物包含全氢聚硅氮烷和溶剂，其中在CDCl3中的全氢聚硅氮烷的1H‑NMR光谱中，当从N3SiH1和N2SiH2导出的波峰称为波峰1且从NSiH3导出的波峰称为波峰2时，比率(P1/(P1+P2))大于或等于0.77，且比率(PA/PB)大于或等于约1.5。P1、P2、PA及PB的定义与说明书中的定义相同。本公开可提供具有极佳层厚度均一性的二氧化硅层。

公开(公告)号：CN115703943B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202210845890.0

申请日：2022-07-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李汉松 ,  郭泽秀 ,  金义贤 ,  裵鎭希 ,  司空峻 ,  李忠宪 ,  任浣熙 ,  张胜宇 ,  赵炫洙 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16 ,  C09D5/25 ,  C09D1/00 ,  C08G77/62

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物、由组合物制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中70％浓缩固体含量的粘度与50％浓缩固体含量的粘度之间的差值为400厘泊到2,200厘泊。