公开(公告)号：CN106409652B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201610160367.9

申请日：2016-03-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张俊英 ,  尹熙灿 ,  金佑翰 ,  卢健培 ,  李殷善 ,  郭泽秀 ,  金真教 ,  金哈尼 ,  罗隆熙 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  黄丙奎

IPC: H01L21/02 ,  G02F1/133 ,  H01L33/44

CPC classification number: C09D1/00 ,  C01B33/12 ,  C09D7/20 ,  C09D183/08 ,  C09D183/16

Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置。用于形成氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和包含至少两种溶剂的混合溶剂，其中所述混合溶剂在25℃下的表面张力是5毫牛/米至35毫牛/米。本发明的用于形成氧化硅层的组合物能够提供具有小缺陷和均一厚度的氧化硅层。

公开(公告)号：CN106409652A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610160367.9

申请日：2016-03-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张俊英 ,  尹熙灿 ,  金佑翰 ,  卢健培 ,  李殷善 ,  郭泽秀 ,  金真教 ,  金哈尼 ,  罗隆熙 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  黄丙奎

IPC: H01L21/02 ,  G02F1/133 ,  H01L33/44

CPC classification number: C09D1/00 ,  C01B33/12 ,  C09D7/20 ,  C09D183/08 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02107 ,  G02F1/133 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置。用于形成氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和包含至少两种溶剂的混合溶剂，其中所述混合溶剂在25℃下的表面张力是5毫牛/米至35毫牛/米。本发明的用于形成氧化硅层的组合物能够提供具有小缺陷和均一厚度的氧化硅层。

公开(公告)号：CN105695165A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510452174.6

申请日：2015-07-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 任浣熙 ,  郑日 ,  高尙兰 ,  金佑翰 ,  金哈尼 ,  尹熙灿 ,  李汉松

IPC: C11D7/60 ,  C11D7/24 ,  C11D7/26 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02343

Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅薄膜用的冲洗溶液、二氧化硅薄膜及其生产方法。所述冲洗溶液包含：三甲基苯、二乙基苯、茚满、茚、叔丁基甲苯、甲基萘、包含具有12个或12个以上的碳的芳香烃的混合物、包含具有12个或12个以上的碳的脂肪烃的混合物、包含含有苯基和氧原子的杂烃化合物的混合物、或其组合。本发明的用于二氧化硅薄膜的冲洗溶液能够彻底剥离二氧化硅薄膜的界面区域。