-
公开(公告)号：CN107922620B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201680049195.6
申请日：2016-08-01
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08G77/04 , C08G59/30 , C08L83/04 , C08L63/00 , C09D183/04 , C09D163/00 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供一种低温固化组合物、一种通过对所述组合物进行固化而获得的固化膜、以及一种包括所述固化膜的电子装置，所述组合物包含：(A)由以下化学式1表示的含环氧基的硅氧烷化合物：[化学式1](R1R2R3SiO1/2)M(R4R5SiO2/2)D1(R6SiO3/2)T1(R7R8SiO2/2)D2(R9SiO3/2)T2在化学式1中，R1到R9、M、D1、T1、D2及T2与在本发明的以下详细说明中所定义的相同；以及(B)用于环氧化物的开环反应的阳离子热引发剂，引发剂为锍系阳离子与硼酸根系阴离子的盐，其中由化学式1表示的化合物为数量平均分子量介于100到1,000范围内的硅氧烷化合物与数量平均分子量介于1,000到10,000范围内的硅氧烷化合物的组合。
-
公开(公告)号：CN105720041B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201510574210.6
申请日：2015-09-10
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物以及由所述组成物形成的二氧化硅类层、以及包括所述二氧化硅类层的电子装置，其中所述组成物包括多分散性为从3.0到30的含硅聚合物以及溶剂，且在25℃下的黏度为从1.30cps到1.80cps。所述组成物能够提供具有绝佳平坦化特征的膜。
-
公开(公告)号：CN105273196A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510016411.4
申请日：2015-01-13
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种可固化有机聚硅氧烷组合物、封装物以及电子装置。所述可固化有机聚硅氧烷组合物包含(A)由化学式1表示的酰胺化合物、(B)至少一种包含硅键结烯基(Si-Vi)并且具有三维网状结构的第一硅氧烷化合物以及(C)至少一种具有硅键结氢(Si-H)的第二硅氧烷化合物：[化学式1]通过显著改良抗裂痕性以及保持高抗热与抗光性来确保发光装置的稳定性。
-
公开(公告)号：CN106147604B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201510940597.2
申请日：2015-12-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D1/00 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中所述含硅聚合物在1H‑NMR光谱中具有小于或等于12的Si‑H积分值的总和。所述Si‑H积分值的所述和在说明书中描述的条件下计算。本发明的用于形成二氧化硅层的组成物能够减少在固化期间产生的出气的量，获得具有最小缺陷的二氧化硅层。
-
公开(公告)号：CN106147604A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510940597.2
申请日：2015-12-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D1/00 , H01L21/02
CPC classification number: C09D183/16 , C08G77/62 , H01B3/46 , C09D1/00 , H01L21/02107
Abstract: 本发明涉及一种用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中所述含硅聚合物在1H-NMR光谱中具有小于或等于12的Si-H积分值的总和。所述Si-H积分值的所述和在说明书中描述的条件下计算。本发明的用于形成二氧化硅层的组成物能够减少在固化期间产生的出气的量，获得具有最小缺陷的二氧化硅层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106409652B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201610160367.9
申请日：2016-03-21
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/12 , C09D7/20 , C09D183/08 , C09D183/16
Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置。用于形成氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和包含至少两种溶剂的混合溶剂，其中所述混合溶剂在25℃下的表面张力是5毫牛/米至35毫牛/米。本发明的用于形成氧化硅层的组合物能够提供具有小缺陷和均一厚度的氧化硅层。
-
公开(公告)号：CN105720041A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510574210.6
申请日：2015-09-10
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物以及由所述组成物形成的二氧化硅类层、以及包括所述二氧化硅类层的电子装置，其中所述组成物包括多分散性为从3.0到30的含硅聚合物以及溶剂，且在25℃下的黏度为从1.30cps到1.80cps。所述组成物能够提供具有绝佳平坦化特征的膜。
-
公开(公告)号：CN104916766B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201510104480.0
申请日：2015-03-10
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L33/56 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/80 , C08K5/56 , C08L83/00 , C08L83/04 , H01L33/501 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种封装剂的组合物、封装剂‑荧光体混合组合物、封装剂和电子装置。封装剂为通过固化所述组合物而获得的，电子装置包含所述封装剂。封装剂的组合物在使用布洛克菲尔德主轴第52号在约90％的扭矩下在大气压下在约23℃下测量时的粘度为约4,000毫帕·秒到约9,500毫帕·秒，由此在包含荧光体并允许在约23℃下静置大于或等于约2小时时维持荧光体沉淀率在约18％内，并包含至少一种具有硅键结氢的第一硅氧烷化合物和至少一种具有硅键结烯基的第二硅氧烷化合物。
-
公开(公告)号：CN104916766A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510104480.0
申请日：2015-03-10
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L33/56 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/80 , C08K5/56 , C08L83/00 , C08L83/04 , H01L33/501 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , C09D183/06 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供一种封装剂的组合物、封装剂-荧光体混合组合物、封装剂和电子装置。封装剂为通过固化所述组合物而获得的，电子装置包含所述封装剂。封装剂的组合物在使用布洛克菲尔德主轴第52号在约90％的扭矩下在大气压下在约23℃下测量时的粘度为约4,000毫帕·秒到约9,500毫帕·秒，由此在包含荧光体并允许在约23℃下静置大于或等于约2小时时维持荧光体沉淀率在约18％内，并包含至少一种具有硅键结氢的第一硅氧烷化合物和至少一种具有硅键结烯基的第二硅氧烷化合物。
-
公开(公告)号：CN107922620A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680049195.6
申请日：2016-08-01
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08G77/04 , C08G59/30 , C08L83/04 , C08L63/00 , C09D183/04 , C09D163/00 , H01L51/50
CPC classification number: C08G59/306 , C08G59/30 , C08G59/4078 , C08G77/04 , C08L63/00 , C08L83/04 , C09D163/00 , C09D183/04 , H01L51/0034 , H01L51/50 , H01L51/5253
Abstract: 本发明提供一种低温固化组合物、一种通过对所述组合物进行固化而获得的固化膜、以及一种包括所述固化膜的电子装置，所述组合物包含：(A)由以下化学式1表示的含环氧基的硅氧烷化合物：[化学式1](R1R2R3SiO1/2)M(R4R5SiO2/2)D1(R65iO3/2)T1(R7R8SiO2/2)D2(R9SiO3/2)T2(在化学式1中，R1到R9中的每一者为独立地选自经取代或未经取代的C1到C6单价脂肪族烃基、经取代或未经取代的C6到C20单价环状脂肪族烃基、经取代或未经取代的C6到C20单价芳香族烃基、及经环氧基取代的单价有机基的有机基，R1到R6中的至少一者为经环氧基取代的单价有机基，0≤M＜1，0≤D1＜1，0＜T1≤1，0≤D2＜1，0≤T2＜1，且M+D1+T1+D2+T2＝1，其中由M、D1、T1、D2及T2表示的结构单元中的每一者可包括一种或多种类型的不同的结构单元)；以及(B)用于环氧化物的开环反应的阳离子热引发剂，引发剂为锍系阳离子与硼酸根系阴离子的盐，其中由化学式1表示的化合物为数量平均分子量介于100到1,000范围内的硅氧烷化合物与数量平均分子量介于1,000到10,000范围内的硅氧烷化合物的组合。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.019 seconds)
