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公开(公告)号：CN112409824A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010771243.0
申请日：2020-08-04
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D1/00 , H01L21/316
Abstract: 提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、由其制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子器件，组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中当将70克的用于形成二氧化硅层的组成物添加到100毫升容器，在40℃下使其静置28天，且获得由组成物产生的1毫升的气体时，1毫升的气体包含氢气、硅烷气体SiH4以及氨气，且氢气、硅烷气体SiH4以及氨气满足等式1：[等式1](氢气量(ppm))/(硅烷气体SiH4的量(ppm)+氨气量(ppm))≥1.5本申请能使二氧化硅层内部的空隙的数目最小。
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公开(公告)号：CN106409652B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201610160367.9
申请日：2016-03-21
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/12 , C09D7/20 , C09D183/08 , C09D183/16
Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置。用于形成氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和包含至少两种溶剂的混合溶剂，其中所述混合溶剂在25℃下的表面张力是5毫牛/米至35毫牛/米。本发明的用于形成氧化硅层的组合物能够提供具有小缺陷和均一厚度的氧化硅层。
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公开(公告)号：CN105720041A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510574210.6
申请日：2015-09-10
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物以及由所述组成物形成的二氧化硅类层、以及包括所述二氧化硅类层的电子装置，其中所述组成物包括多分散性为从3.0到30的含硅聚合物以及溶剂，且在25℃下的黏度为从1.30cps到1.80cps。所述组成物能够提供具有绝佳平坦化特征的膜。
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公开(公告)号：CN112409824B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202010771243.0
申请日：2020-08-04
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D1/00 , H01L21/316
Abstract: 提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、由其制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子器件，组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中当将70克的用于形成二氧化硅层的组成物添加到100毫升容器，在40℃下使其静置28天，且获得由组成物产生的1毫升的气体时，1毫升的气体包含氢气、硅烷气体SiH4以及氨气，且氢气、硅烷气体SiH4以及氨气满足等式1：[等式1](氢气量(ppm))/(硅烷气体SiH4的量(ppm)+氨气量(ppm))≥1.5本申请能使二氧化硅层内部的空隙的数目最小。
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公开(公告)号：CN105720041B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201510574210.6
申请日：2015-09-10
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物以及由所述组成物形成的二氧化硅类层、以及包括所述二氧化硅类层的电子装置，其中所述组成物包括多分散性为从3.0到30的含硅聚合物以及溶剂，且在25℃下的黏度为从1.30cps到1.80cps。所述组成物能够提供具有绝佳平坦化特征的膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105713512A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510591897.4
申请日：2015-09-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16
CPC classification number: C09D183/14 , C08G77/54 , C08G77/62 , C08K5/01 , C09D183/16
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的方法以及电子装置。本发明的用于形成二氧化硅类层的组成物包括含硅化合物和一或多种类别的溶剂。所述含硅化合物包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合。并且，所述组成物具有小于或等于0.13的浊度增加率。本发明可以提供一种具有极好储存稳定性的用于形成二氧化硅类层的组成物。
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公开(公告)号：CN111212881A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201880066432.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 提供了一种用于形成二氧化硅膜的组合物，该组合物含有含硅聚合物和溶剂，其中由用于形成二氧化硅膜的组合物形成的二氧化硅膜满足关系式1。关系式1的定义如说明书中的描述。
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公开(公告)号：CN106558483A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610329591.6
申请日：2016-05-18
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/283 , H01L21/31 , H01L23/28 , H01L29/51
Abstract: 本发明提供一种制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。制造二氧化硅层的方法包含将包含碳化合物的预润湿液体物质涂布于衬底上、将用于形成二氧化硅层的组合物涂布于涂布有预润湿液体物质的衬底上以及使涂布有用于形成二氧化硅层的组合物的衬底固化。根据本发明的方法，可以使得用于形成二氧化硅层的组合物充分润湿衬底，并且可以有效涂布少量组合物，形成均匀的二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN105315679A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410779783.8
申请日：2014-12-16
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种形成二氧化硅基层的组成物及制造二氧化硅基层的方法，所述形成二氧化硅基层的组成物，包含：选自氢化聚硅氮烷、氢化聚环氧硅氮烷或它们的组合的二氧化硅基化合物；以及溶剂，其中，具有0.2μm到1μm粒子直径的粒子的数目少于或等于10/mL。本发明提供的用以形成二氧化硅基层的组成物可以减少粒子的产生，因此能极小化形成的层中的缺陷。
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公开(公告)号：CN104513613A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410487212.7
申请日：2014-09-22
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D183/00
CPC classification number: C09D183/16 , B05D3/0254 , B05D2518/10 , C01B33/126 , C08G77/54 , C08G77/62 , C09D183/14 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明公开了一种用于形成基于二氧化硅的层的组合物和基于二氧化硅的层。该组合物包含具有20,000至160,000的重均分子量的含硅聚合物以及溶剂。另外，本发明还公开了一种用于制造基于二氧化硅的层的方法。
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