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公开(公告)号：CN106147604B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201510940597.2
申请日：2015-12-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D1/00 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中所述含硅聚合物在1H‑NMR光谱中具有小于或等于12的Si‑H积分值的总和。所述Si‑H积分值的所述和在说明书中描述的条件下计算。本发明的用于形成二氧化硅层的组成物能够减少在固化期间产生的出气的量，获得具有最小缺陷的二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN106147604A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510940597.2
申请日：2015-12-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D1/00 , H01L21/02
CPC classification number: C09D183/16 , C08G77/62 , H01B3/46 , C09D1/00 , H01L21/02107
Abstract: 本发明涉及一种用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中所述含硅聚合物在1H-NMR光谱中具有小于或等于12的Si-H积分值的总和。所述Si-H积分值的所述和在说明书中描述的条件下计算。本发明的用于形成二氧化硅层的组成物能够减少在固化期间产生的出气的量，获得具有最小缺陷的二氧化硅层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106409652B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201610160367.9
申请日：2016-03-21
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/12 , C09D7/20 , C09D183/08 , C09D183/16
Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置。用于形成氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和包含至少两种溶剂的混合溶剂，其中所述混合溶剂在25℃下的表面张力是5毫牛/米至35毫牛/米。本发明的用于形成氧化硅层的组合物能够提供具有小缺陷和均一厚度的氧化硅层。
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公开(公告)号：CN104916766B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201510104480.0
申请日：2015-03-10
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L33/56 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/80 , C08K5/56 , C08L83/00 , C08L83/04 , H01L33/501 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种封装剂的组合物、封装剂‑荧光体混合组合物、封装剂和电子装置。封装剂为通过固化所述组合物而获得的，电子装置包含所述封装剂。封装剂的组合物在使用布洛克菲尔德主轴第52号在约90％的扭矩下在大气压下在约23℃下测量时的粘度为约4,000毫帕·秒到约9,500毫帕·秒，由此在包含荧光体并允许在约23℃下静置大于或等于约2小时时维持荧光体沉淀率在约18％内，并包含至少一种具有硅键结氢的第一硅氧烷化合物和至少一种具有硅键结烯基的第二硅氧烷化合物。
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公开(公告)号：CN104916766A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510104480.0
申请日：2015-03-10
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L33/56 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/80 , C08K5/56 , C08L83/00 , C08L83/04 , H01L33/501 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , C09D183/06 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供一种封装剂的组合物、封装剂-荧光体混合组合物、封装剂和电子装置。封装剂为通过固化所述组合物而获得的，电子装置包含所述封装剂。封装剂的组合物在使用布洛克菲尔德主轴第52号在约90％的扭矩下在大气压下在约23℃下测量时的粘度为约4,000毫帕·秒到约9,500毫帕·秒，由此在包含荧光体并允许在约23℃下静置大于或等于约2小时时维持荧光体沉淀率在约18％内，并包含至少一种具有硅键结氢的第一硅氧烷化合物和至少一种具有硅键结烯基的第二硅氧烷化合物。
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公开(公告)号：CN106409652A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610160367.9
申请日：2016-03-21
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/12 , C09D7/20 , C09D183/08 , C09D183/16 , H01L21/02107 , G02F1/133 , H01L21/02112 , H01L21/02164 , H01L21/02282 , H01L33/44
Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置。用于形成氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和包含至少两种溶剂的混合溶剂，其中所述混合溶剂在25℃下的表面张力是5毫牛/米至35毫牛/米。本发明的用于形成氧化硅层的组合物能够提供具有小缺陷和均一厚度的氧化硅层。
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公开(公告)号：CN106189267A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510282712.1
申请日：2015-05-28
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 尹熙灿 , 金佑翰 , 高尚兰 , 郭泽秀 , 金补宣 , 金真敎 , 罗隆熙 , 卢健培 , 朴玺美 , 裵镇希 , 司空峻 , 李殷善 , 任浣熙 , 张俊英 , 郑日 , 黄丙奎
IPC: C08L83/16 , C08L83/14 , C01B33/113
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含重量平均分子量为20,000到70,000并且多分散指数为5.0到17.0的含硅聚合物和溶剂。本发明提供的用于形成二氧化硅层的组成物能同时确保间隙填充特征和间隙蚀刻特征。
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