公开(公告)号：CN105720041B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201510574210.6

申请日：2015-09-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张俊英 ,  郭泽秀 ,  金佑翰 ,  尹熙灿 ,  裵镇希 ,  金补宣 ,  罗隆熙 ,  朴玺美 ,  李汉松 ,  任浣熙

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物以及由所述组成物形成的二氧化硅类层、以及包括所述二氧化硅类层的电子装置，其中所述组成物包括多分散性为从3.0到30的含硅聚合物以及溶剂，且在25℃下的黏度为从1.30cps到1.80cps。所述组成物能够提供具有绝佳平坦化特征的膜。

公开(公告)号：CN110780536B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201910694739.X

申请日：2019-07-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  金宰贤 ,  罗隆熙 ,  南宫烂 ,  田桓承 ,  蔡承龙

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 本公开涉及一种包含由化学式1表示的有机金属化合物以及溶剂的半导体抗蚀剂组合物，以及涉及一种使用所述组合物形成图案的方法及系统，其中，在化学式1中，R1是脂族烃基、芳族烃基或‑亚烷基‑O‑烷基，且R2到R4分别独立地选自‑ORa及‑OC(＝O)Rb。本公开的半导体抗蚀剂组合物具有改善的耐刻蚀性、灵敏度且易于处置。[化学式1]

公开(公告)号：CN110780536A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910694739.X

申请日：2019-07-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  金宰贤 ,  罗隆熙 ,  南宫烂 ,  田桓承 ,  蔡承龙

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 本公开涉及一种包含由化学式1表示的有机金属化合物以及溶剂的半导体抗蚀剂组合物，以及涉及一种使用所述组合物形成图案的方法及系统，其中，在化学式1中，R1是脂族烃基、芳族烃基或-亚烷基-O-烷基，且R2到R4分别独立地选自-ORa及-OC(＝O)Rb。本公开的半导体抗蚀剂组合物具有改善的耐刻蚀性、灵敏度且易于处置。[化学式1]

公开(公告)号：CN106409652B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201610160367.9

申请日：2016-03-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张俊英 ,  尹熙灿 ,  金佑翰 ,  卢健培 ,  李殷善 ,  郭泽秀 ,  金真教 ,  金哈尼 ,  罗隆熙 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  黄丙奎

IPC: H01L21/02 ,  G02F1/133 ,  H01L33/44

CPC classification number: C09D1/00 ,  C01B33/12 ,  C09D7/20 ,  C09D183/08 ,  C09D183/16

Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置。用于形成氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和包含至少两种溶剂的混合溶剂，其中所述混合溶剂在25℃下的表面张力是5毫牛/米至35毫牛/米。本发明的用于形成氧化硅层的组合物能够提供具有小缺陷和均一厚度的氧化硅层。

公开(公告)号：CN105720041A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510574210.6

申请日：2015-09-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张俊英 ,  郭泽秀 ,  金佑翰 ,  尹熙灿 ,  裵镇希 ,  金补宣 ,  罗隆熙 ,  朴玺美 ,  李汉松 ,  任浣熙

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物以及由所述组成物形成的二氧化硅类层、以及包括所述二氧化硅类层的电子装置，其中所述组成物包括多分散性为从3.0到30的含硅聚合物以及溶剂，且在25℃下的黏度为从1.30cps到1.80cps。所述组成物能够提供具有绝佳平坦化特征的膜。

公开(公告)号：CN106409652A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610160367.9

申请日：2016-03-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张俊英 ,  尹熙灿 ,  金佑翰 ,  卢健培 ,  李殷善 ,  郭泽秀 ,  金真教 ,  金哈尼 ,  罗隆熙 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  黄丙奎

IPC: H01L21/02 ,  G02F1/133 ,  H01L33/44

CPC classification number: C09D1/00 ,  C01B33/12 ,  C09D7/20 ,  C09D183/08 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02107 ,  G02F1/133 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置。用于形成氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和包含至少两种溶剂的混合溶剂，其中所述混合溶剂在25℃下的表面张力是5毫牛/米至35毫牛/米。本发明的用于形成氧化硅层的组合物能够提供具有小缺陷和均一厚度的氧化硅层。

公开(公告)号：CN106189267A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510282712.1

申请日：2015-05-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  金佑翰 ,  高尚兰 ,  郭泽秀 ,  金补宣 ,  金真敎 ,  罗隆熙 ,  卢健培 ,  朴玺美 ,  裵镇希 ,  司空峻 ,  李殷善 ,  任浣熙 ,  张俊英 ,  郑日 ,  黄丙奎

IPC: C08L83/16 ,  C08L83/14 ,  C01B33/113

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含重量平均分子量为20,000到70,000并且多分散指数为5.0到17.0的含硅聚合物和溶剂。本发明提供的用于形成二氧化硅层的组成物能同时确保间隙填充特征和间隙蚀刻特征。