公开(公告)号：CN106409652B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201610160367.9

申请日：2016-03-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张俊英 ,  尹熙灿 ,  金佑翰 ,  卢健培 ,  李殷善 ,  郭泽秀 ,  金真教 ,  金哈尼 ,  罗隆熙 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  黄丙奎

IPC: H01L21/02 ,  G02F1/133 ,  H01L33/44

CPC classification number: C09D1/00 ,  C01B33/12 ,  C09D7/20 ,  C09D183/08 ,  C09D183/16

Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置。用于形成氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和包含至少两种溶剂的混合溶剂，其中所述混合溶剂在25℃下的表面张力是5毫牛/米至35毫牛/米。本发明的用于形成氧化硅层的组合物能够提供具有小缺陷和均一厚度的氧化硅层。

公开(公告)号：CN106409652A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610160367.9

申请日：2016-03-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张俊英 ,  尹熙灿 ,  金佑翰 ,  卢健培 ,  李殷善 ,  郭泽秀 ,  金真教 ,  金哈尼 ,  罗隆熙 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  黄丙奎

IPC: H01L21/02 ,  G02F1/133 ,  H01L33/44

CPC classification number: C09D1/00 ,  C01B33/12 ,  C09D7/20 ,  C09D183/08 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02107 ,  G02F1/133 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置。用于形成氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和包含至少两种溶剂的混合溶剂，其中所述混合溶剂在25℃下的表面张力是5毫牛/米至35毫牛/米。本发明的用于形成氧化硅层的组合物能够提供具有小缺陷和均一厚度的氧化硅层。

公开(公告)号：CN111212881A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201880066432.9

申请日：2018-02-13

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 卢健培 ,  郭泽秀 ,  张俊英 ,  具仑永 ,  金龙国 ,  金真教 ,  裵镇希 ,  司空峻 ,  徐珍雨 ,  沈秀妍 ,  尹熙灿 ,  李知虎 ,  韩权愚 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306

Abstract: 提供了一种用于形成二氧化硅膜的组合物，该组合物含有含硅聚合物和溶剂，其中由用于形成二氧化硅膜的组合物形成的二氧化硅膜满足关系式1。关系式1的定义如说明书中的描述。