公开(公告)号：CN119987131A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411432186.8

申请日：2024-10-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 林秀斌 ,  徐也隐 ,  张水民 ,  禹昌秀 ,  李旻映 ,  成太根 ,  姜恩美 ,  金智敏 ,  张胜宇 ,  辛乘旭

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 提供了半导体光刻胶组合物和使用所述组合物形成图案的方法。该半导体光刻胶组合物包含有机金属化合物和混合溶剂，该混合溶剂包含重量比为约1:99至约30:70的醇类化合物和非醇类化合物。

公开(公告)号：CN112652519B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202011057384.2

申请日：2020-09-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金容兑 ,  吴釜根 ,  朴景铃 ,  成太根 ,  任相均 ,  林雪熙 ,  田桓承

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明公开一种用于沉积薄膜的组合物，包含含有锶、钡或其组合的有机金属化合物和至少一个由化学式1表示的含非共用电子对的化合物；一种使用用于沉积薄膜的组合物制造薄膜的方法；以及一种由用于沉积薄膜的组合物制造的薄膜；以及一种包含薄膜的半导体装置。在式1中，R1到R3的定义如本说明书中所描述。[化学式1]R1R2R3N

公开(公告)号：CN118050954A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311347353.4

申请日：2023-10-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 任相均 ,  蔡承龙 ,  徐也隐 ,  成太根 ,  李旻映 ,  金智敏

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 公开一种半导体光刻胶组合物，包含由化学式1表示的有机锡化合物和溶剂；以及一种使用其形成图案的方法。

公开(公告)号：CN119439627A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410958943.9

申请日：2024-07-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐也隐 ,  金智敏 ,  李旻映 ,  姜恩美 ,  成太根 ,  禹昌秀 ,  张水民 ,  吴釜根 ,  李忠宪

IPC: G03F7/16

Abstract: 公开一种形成图案的方法，所述方法包括：在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物；进行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂层；使用经图案化的掩模对含金属的抗蚀剂层进行曝光；以及进行包括涂覆显影剂组合物以移除未曝光区的显影从而形成抗蚀剂图案，其中通过利用旋涂机以约100rpm到约1,500rpm的速度涂覆含金属的抗蚀剂组合物达约60秒到约120秒来实行对含金属的抗蚀剂组合物的涂覆，所述加热在约90℃到约200℃的温度下实行约30秒到约120秒，通过辐照极紫外光、波长为约5nm到约50nm的光、或所述极紫外光与所述光的组合来实行对含金属的抗蚀剂层的曝光。

公开(公告)号：CN118732423A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202311571205.0

申请日：2023-11-23

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 成太根 ,  文炯朗 ,  崔有廷 ,  任浣熙 ,  李忠宪 ,  宋大锡 ,  司空峻

IPC: G03F7/32

Abstract: 提供一种含金属光刻胶显影剂组合物以及包括使用所述含金属光刻胶显影剂组合物进行显影的步骤的形成图案的方法，所述含金属光刻胶显影剂组合物包含有机溶剂、酸化合物以及所述酸化合物的共轭碱化合物。

公开(公告)号：CN118444539A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202311535938.9

申请日：2023-11-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴景铃 ,  文炯朗 ,  许伦旼 ,  郭泽秀 ,  成太根 ,  李忠宪 ,  黄丙奎 ,  金旼秀

IPC: G03F7/32

Abstract: 本发明公开一种含金属光刻胶显影剂组合物、和一种形成包含使用所述含金属光刻胶显影剂组合物的显影步骤的图案的方法，含金属光刻胶显影剂组合物包含：有机溶剂；酸化合物，具有1.0≤pKa1≤4.8；以及至少一种醇类化合物，选自衍生自非环烃的二醇化合物和环状醇化合物。

公开(公告)号：CN113087747A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202011416809.4

申请日：2020-12-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 任相均 ,  朴景铃 ,  金容兑 ,  成太根 ,  吴釜根 ,  林雪熙

IPC: C07F17/00 ,  C07F3/00 ,  C23C16/40 ,  H01L27/28

Abstract: 公开一种由化学式1表示的有机金属化合物、一种用于沉积包含有机金属化合物的薄膜的组合物、一种使用用于沉积薄膜的组合物制造薄膜的方法、一种由用于沉积薄膜的组合物制造的有机金属化合物薄膜以及一种包含薄膜的半导体装置。所述有机金属化合物在室温下呈液态且呈现低粘度和极佳挥发性。在化学式1中，M和A的定义如本说明书中所描述。[化学式1]M(A)2。

公开(公告)号：CN112652519A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011057384.2

申请日：2020-09-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金容兑 ,  吴釜根 ,  朴景铃 ,  成太根 ,  任相均 ,  林雪熙 ,  田桓承

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明公开一种用于沉积薄膜的组合物，包含含有锶、钡或其组合的有机金属化合物和至少一个由化学式1表示的含非共用电子对的化合物；一种使用用于沉积薄膜的组合物制造薄膜的方法；以及一种由用于沉积薄膜的组合物制造的薄膜；以及一种包含薄膜的半导体装置。在式1中，R1到R3的定义如本说明书中所描述。[化学式1]R1R2R3N。