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公开(公告)号:CN110845649B
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN201910768316.8
申请日:2019-08-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08F138/00
Abstract: 本发明公开一种包含由化学式1或化学式2表示的结构单元的聚合物、包括所述聚合物的有机层组合物以及使用所述有机层组合物来形成图案的方法。化学式1和化学式2的定义与说明书中所描述的定义相同。
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公开(公告)号:CN111542558A
公开(公告)日:2020-08-14
申请号:CN201880079125.4
申请日:2018-09-17
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08G61/12 , C09D183/04 , G03F7/11 , G03F7/09 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本公开是有关于一种聚合物、包含所述聚合物的有机膜组成物以及使用所述有机膜组成物形成图案的方法,其中所述聚合物包括由化学式1表示的结构单元、以及由化学式2或3表示的结构单元。化学式1至3的定义与在说明书中的描述相同。[化学式1] [化学式2] [化学式3]
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公开(公告)号:CN116430672A
公开(公告)日:2023-07-14
申请号:CN202211466675.6
申请日:2022-11-22
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种硬掩模组合物、一种由硬掩模组合物制造的硬掩模层以及一种由硬掩模组合物形成图案的方法,所述硬掩模组合物包含聚合物和溶剂,所述聚合物包含由化学式1表示的结构单元,其中,化学式1的定义如本说明书中所描述。[化学式1]
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公开(公告)号:CN111542558B
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN201880079125.4
申请日:2018-09-17
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08G61/12 , C09D183/04 , G03F7/11 , G03F7/09 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本公开是有关于一种聚合物、包含所述聚合物的有机膜组成物以及使用所述有机膜组成物形成图案的方法,其中所述聚合物包括由化学式1表示的结构单元、以及由化学式2或3表示的结构单元。化学式1至3的定义与在说明书中的描述相同。[化学式1];[化学式2];[化学式3]
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公开(公告)号:CN104749886B
公开(公告)日:2020-04-21
申请号:CN201410705160.6
申请日:2014-11-27
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种硬掩模组合物、形成图案的方法与半导体集成电路装置。所述硬掩模组合物包含:聚合物,所述聚合物包含由以下化学式1a到化学式1c中的一个表示的部分;由以下化学式2表示的单体;以及溶剂。[化学式1a][化学式1b][化学式1c][化学式2]在上述化学式1a、化学式1b、化学式1c和化学式2中,R1a、R1b、R4a、R4b、R2a、R2b、R5a、R5b和R3与说明书中定义的相同。
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公开(公告)号:CN110845649A
公开(公告)日:2020-02-28
申请号:CN201910768316.8
申请日:2019-08-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08F138/00
Abstract: 本发明公开一种包含由化学式1或化学式2表示的结构单元的聚合物、包括所述聚合物的有机层组合物以及使用所述有机层组合物来形成图案的方法。化学式1和化学式2的定义与说明书中所描述的定义相同。
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公开(公告)号:CN104749886A
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201410705160.6
申请日:2014-11-27
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种硬掩模组合物、形成图案的方法与半导体集成电路装置。所述硬掩模组合物包含:聚合物,所述聚合物包含由以下化学式1a到化学式1c中的一个表示的部分;由以下化学式2表示的单体;以及溶剂。[化学式1a][化学式1b][化学式1c][化学式2]在上述化学式1a、化学式1b、化学式1c和化学式2中,R1a、R1b、R4a、R4b、R2a、R2b、R5a、R5b和R3与说明书中定义的相同。
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