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公开(公告)号：CN111315724B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201880071999.5
申请日：2018-06-28
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 林栽范
IPC: C07D235/02 , C08G73/10 , G03F7/11 , G03F7/09 , C09D4/00 , C09D179/08 , G03F7/20 , G03F7/26
Abstract: 涉及包括由下述化学式1表示的部分以及取代或者未取代的C6至C30芳香环部分的单体、通过所述单体的缩聚反应形成的聚合物、包括所述单体和/或聚合物的有机膜组合物、以及使用所述有机膜组合物的图案形成方法。[化学式1]化学式1的定义与说明书中记载的相同。[化学式1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN111542558A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201880079125.4
申请日：2018-09-17
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08G61/12 , C09D183/04 , G03F7/11 , G03F7/09 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本公开是有关于一种聚合物、包含所述聚合物的有机膜组成物以及使用所述有机膜组成物形成图案的方法，其中所述聚合物包括由化学式1表示的结构单元、以及由化学式2或3表示的结构单元。化学式1至3的定义与在说明书中的描述相同。[化学式1] [化学式2] [化学式3]
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公开(公告)号：CN111352300B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201911326113.X
申请日：2019-12-20
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种硬掩模组合物、硬掩模层及形成图案的方法。硬掩模组合物包含由化学式1表示的化合物和溶剂：[化学式1]在化学式1中，A、B以及n的定义与详细描述中描述的相同。本发明的硬掩模组合物及硬掩模层具有改进的耐蚀刻性和耐化学性。
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公开(公告)号：CN112979408B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202011473598.8
申请日：2020-12-15
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 林栽范
IPC: C07C15/14 , C07C15/20 , C07C2/86 , C07C5/41 , C07C45/74 , C07C49/657 , C07C45/28 , C07C49/784 , G03F7/20 , G03F1/50
Abstract: 善了耐蚀刻性。公开了一种化合物、所述化合物的合成方法、包括所述化合物的硬掩模组合物、以及使用所述硬掩模组合物形成图案的方法。所述化合物具有：缩合或非缩合多环芳族核，具有40个或大于40个碳原子并且在所述核的末端具有多个取代基，其中所述取代基选自经取代或未经取代的C3到C20支链烷基、被至少一个经取代或未经取代的C3到C20支链烷基取代的C6到C30芳基、被至少一个经取代或未经取代的C3到C20支链烷基取代的C3到C30环烷基、被至少一个经取代或未经(56)对比文件Jonas Jarvholm et al..Traversing the“Top-Down/Bottom-Up” Divide: Molecular-Scale Lithography of Self-AssembledRibbons《.JACS》.2018,第131卷第398-399页.Junzhi Liu et al..Toward Cove-EdgedLow Band Gap Graphene Nanoribbons《.J. Am.Chem. Soc》.2015,第137卷第6097-6103页.Jonas Jarvholm et al..Traversing the“Top-Down/Bottom-Up” Divide: Molecular-Scale Lithography of Self-AssembledRibbons《.JACS》.2008,第131卷第398-399页.Vivekanantan S. Iyer et al..FromHexa-peri-hexabenzocoronene to“Superacenes”《.Angew Chmm Int Ed Engl》.1997,第36卷(第15期),第1604-1607页.Johannes Holzwarth et al..HighlyRegioselective Alkylation ofHexabenzocoronenes -Fundamental Insightsinto the Covalent Chemistry of Graphene.《Angew. Chem. Int. Ed.》.2017,第56卷第12184-12190页.Junzhi Liu et al..Toward Cove-EdgedLow Band Gap Graphene Nanoribbons《.J. Am.Chem. Soc》.2015,第137卷第6097-6103页.
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公开(公告)号：CN111542558B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201880079125.4
申请日：2018-09-17
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08G61/12 , C09D183/04 , G03F7/11 , G03F7/09 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本公开是有关于一种聚合物、包含所述聚合物的有机膜组成物以及使用所述有机膜组成物形成图案的方法，其中所述聚合物包括由化学式1表示的结构单元、以及由化学式2或3表示的结构单元。化学式1至3的定义与在说明书中的描述相同。[化学式1]；[化学式2]；[化学式3]
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110713588B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201910618657.7
申请日：2019-07-10
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开一种硬掩模组合物、硬掩模层以及形成图案的方法，所述硬掩模组合物包括聚合物及溶剂，所述聚合物包括经取代的亚联苯基结构单元，其中所述经取代的亚联苯基结构单元包括具有羟基的C6到C30芳基以及具有羟基的C3到C30杂芳基中的至少一者。
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公开(公告)号：CN109983053A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780069472.4
申请日：2017-07-21
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08G61/12 , C08G61/02 , H01L21/027 , H01L21/033 , G03F7/00 , G03F7/09
Abstract: 本发明揭示一种聚合物，包含由化学式1表示的结构单元及由化学式2表示的结构单元；一种包含所述聚合物的有机膜组成物；以及一种使用所述有机膜组成物形成图案的方法。化学式1及化学式2与本说明书中所定义相同。
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公开(公告)号：CN117148672A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310071780.8
申请日：2023-02-07
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开一种包含由化学式1表示的有机金属化合物和溶剂的半导体光刻胶组合物以及一种使用其形成图案的方法。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1][R1L1SnO(R2L2C(＝O)O)]6。
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公开(公告)号：CN108431691B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201680072484.8
申请日：2016-09-22
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明揭示一种有机膜组合物及使用所述有机膜组合物形成图案的方法，有机膜组合物包含有包含由化学式1表示的结构单元的聚合物、由化学式2表示的添加剂以及溶剂。化学式1及化学式2与实施方式中所定义相同。本发明的有机膜组合物能够改良间隙填充特征及平面化特征以及抗蚀刻性。
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