公开(公告)号：CN119987131A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411432186.8

申请日：2024-10-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 林秀斌 ,  徐也隐 ,  张水民 ,  禹昌秀 ,  李旻映 ,  成太根 ,  姜恩美 ,  金智敏 ,  张胜宇 ,  辛乘旭

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 提供了半导体光刻胶组合物和使用所述组合物形成图案的方法。该半导体光刻胶组合物包含有机金属化合物和混合溶剂，该混合溶剂包含重量比为约1:99至约30:70的醇类化合物和非醇类化合物。

公开(公告)号：CN117492324A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310577542.4

申请日：2023-05-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  韩承 ,  蔡承龙 ,  李旻映 ,  金智敏 ,  张水民 ,  任相均 ,  徐也隐 ,  姜恩美 ,  林秀斌 ,  文京守

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开一种包含第一有机金属化合物、第二有机金属化合物以及溶剂的半导体光刻胶组合物和一种使用其形成图案的方法。半导体光刻胶组合物可提供具有改进的敏感性、分辨率以及存储稳定性的光刻胶图案。

公开(公告)号：CN119439627A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410958943.9

申请日：2024-07-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐也隐 ,  金智敏 ,  李旻映 ,  姜恩美 ,  成太根 ,  禹昌秀 ,  张水民 ,  吴釜根 ,  李忠宪

IPC: G03F7/16

Abstract: 公开一种形成图案的方法，所述方法包括：在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物；进行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂层；使用经图案化的掩模对含金属的抗蚀剂层进行曝光；以及进行包括涂覆显影剂组合物以移除未曝光区的显影从而形成抗蚀剂图案，其中通过利用旋涂机以约100rpm到约1,500rpm的速度涂覆含金属的抗蚀剂组合物达约60秒到约120秒来实行对含金属的抗蚀剂组合物的涂覆，所述加热在约90℃到约200℃的温度下实行约30秒到约120秒，通过辐照极紫外光、波长为约5nm到约50nm的光、或所述极紫外光与所述光的组合来实行对含金属的抗蚀剂层的曝光。

公开(公告)号：CN117148672A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310071780.8

申请日：2023-02-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 林雪熙 ,  林栽范 ,  徐也隐 ,  张水民 ,  林秀斌 ,  李旻映 ,  金智敏 ,  白载烈 ,  姜恩美 ,  禹昌秀

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开一种包含由化学式1表示的有机金属化合物和溶剂的半导体光刻胶组合物以及一种使用其形成图案的方法。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1][R1L1SnO(R2L2C(＝O)O)]6。