公开(公告)号：CN110023433B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201780074614.6

申请日：2017-09-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金廷熙 ,  姜东宪 ,  崔正敏 ,  俞龙植

IPC: C09G1/18 ,  B24B57/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明的一种用于抛光有机膜的浆料组合物，其包括氧化剂、有机酸、包含衍生自马来酸或马来酸酐的重复单元的抛光促进剂和水，其中该抛光促进剂以低于有机酸的重量被包括。

公开(公告)号：CN107922819B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201680047980.8

申请日：2016-07-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 都均奉 ,  金东珍 ,  郑荣哲 ,  兪龙植 ,  崔正敏

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/306 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明是有关于一种用于有机膜的化学机械研磨研浆组成物、其制备方法以及使用其的研磨有机膜的方法，化学机械研磨研浆组成物包括氧化剂及溶剂。本发明的有机膜的化学机械研磨研浆具有通过方程式(1)所呈现的为约5°至90°的Δθw，其为水接触角变化，且在将涂布有有机膜而待研磨的晶圆，浸渍于化学机械研磨研浆中10小时之后所测量。方程式(1)：水接触角变化Δθw＝|θ1‑θ2|。

公开(公告)号：CN107636110B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201680027986.9

申请日：2016-05-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  金泰完 ,  都均奉 ,  姜东宪 ,  金东珍 ,  兪龙植 ,  崔渶楠

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明揭示用于研磨碳含量为约50原子％至约99原子％的有机膜的化学机械研磨(CMP)浆料组合物的用途及用于研磨有机膜的方法。CMP浆料组合物包含：极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者；金属氧化物磨蚀剂；氧化剂；以及分子量为3500克/摩尔或小于3500克/摩尔的聚丙烯酸。CMP浆料组合物在研磨具有高碳含量、高膜密度以及高硬度的有机膜时提供优良效应，在研磨有机膜时具有比在研磨无机膜时更佳的研磨速率，在研磨有机膜之后在经研磨表面上提供良好平坦性，以及通过容易自研磨停止膜移除残余有机膜材料而使得研磨更均一。

公开(公告)号：CN110023433A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201780074614.6

申请日：2017-09-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金廷熙 ,  姜东宪 ,  崔正敏 ,  俞龙植

IPC: C09G1/18 ,  B24B57/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明的一种用于抛光有机膜的浆料组合物，其包括氧化剂、有机酸、包含衍生自马来酸或马来酸酐的重复单元的抛光促进剂和水，其中该抛光促进剂以低于有机酸的重量被包括。

公开(公告)号：CN115895662B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202211018998.9

申请日：2022-08-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文炯朗 ,  崔正敏 ,  李圭原 ,  张俊英 ,  尹志贤 ,  李智惠 ,  李在珉 ,  赵娟振 ,  韩美莲 ,  金贤贞

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法。该蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；以及硅烷化合物，其中，该硅烷化合物包括含反应性基团的第一硅烷化合物和含可溶性基团的第二硅烷化合物的混合物的聚合物、聚合物的反应产物、其盐、或它们的组合。

公开(公告)号：CN115598942A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210794402.8

申请日：2022-07-07

Applicant: 三星SDI株式会社(KR) ,  三星电子株式会社(KR)

Inventor： 李旻映 ,  文炯朗 ,  许伦旼 ,  金旼秀 ,  金荣权 ,  金宰贤 ,  禹昌秀 ,  崔正敏 ,  高武铉 ,  金贞儿 ,  都星安 ,  裵相元 ,  韩勋 ,  洪锡九

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明提供了一种从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物，及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法。该从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物包含有机溶剂、以及被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中该七角环化合物在该环中具有至少两个双键。

公开(公告)号：CN111315836A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880072308.3

申请日：2018-07-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  郑荣哲 ,  金廷熙 ,  姜东宪

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供了包含二氧化铈、含铈的二氧化铈活化剂和无机膜表面保护剂的有机膜CMP浆料组合物，以及使用其的有机膜抛光方法。

公开(公告)号：CN105143390B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201480021926.7

申请日：2014-04-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  能条治辉 ,  朴容淳 ,  兪龙植 ,  姜东宪 ,  金高恩 ,  金泰完

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B1/00 ,  B24B37/044 ,  C09G1/00 ,  C09G1/04 ,  C09G1/06 ,  C09K3/1454 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472 ,  C09K13/06 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及一种用于研磨有机膜的有机膜CMP浆料组成物及使用其的研磨方法，该CMP浆料组成物包含至少极性溶剂或非极性溶剂以及金属氧化物研磨剂，其中所述组成物为酸性，且所述有机膜具有约50原子％至95原子％的碳含量。该CMP浆料组成物在研磨具有高碳含量、膜密度及硬度的有机膜后在研磨表面上展示极优良平坦化程度，且使残余在研磨停止膜上的有机膜的残余物(residue)易于移除，借此确保更均匀研磨。

公开(公告)号：CN106687553B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201580049063.9

申请日：2015-06-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 俞龙植 ,  崔正敏 ,  姜东宪 ,  金泰完 ,  金古恩 ,  金容国

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及用于抛光有机膜的用于有机膜的CMP浆料组合物以及使用其的有机膜抛光方法，所述CMP浆料组合物包含：极性溶剂和/或非极性溶剂；金属氧化物研磨剂；氧化剂；和杂环化合物，其中作为杂原子的杂环化合物包含氧(O)原子、硫(S)原子和氮(N)原子中的一种或两种并且具有50‑95原子％的碳含量。

公开(公告)号：CN108138029A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680056927.4

申请日：2016-09-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  都均奉 ,  姜东宪 ,  金东珍 ,  兪龙植 ,  郑荣哲 ,  赵炫洙

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/306

CPC classification number: C09K3/14 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种有机膜CMP浆料组成物及使用其的研磨方法。所述CMP浆料组成物包含氧化铈及硝酸铈，其中由方程式(1)所计算的选择性比为约100或大于100：[方程式(1)]选择性比＝α/β(其中α是对有机膜的研磨速率(埃/分钟)且β是对无机膜的研磨速率(埃/分钟))。