公开(公告)号：CN107109135A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580073046.9

申请日：2015-10-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 卢钟一 ,  姜东宪 ,  郑正焕 ,  崔渶楠

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种用于抛光铜线的CMP浆料组合物，CMP浆料组合物包含胶态二氧化硅、氧化剂、络合剂、腐蚀抑制剂、pH调节剂、以及超纯水。胶态二氧化硅具有72.9至88.5m2/g的比表面积(BET)，并且CMP浆料组合物中包括0.1至2wt％的胶态二氧化硅。CMP浆料组合物具有优异的铜线抛光速率，具有少量的缺陷，并且最小化抛光之后的刮痕，并且可以最小化凹陷。

公开(公告)号：CN107636110A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680027986.9

申请日：2016-05-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  金泰完 ,  都均奉 ,  姜东宪 ,  金东珍 ,  兪龙植 ,  崔渶楠

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明揭示用于研磨碳含量为约50原子％至约99原子％的有机膜的CMP浆料组合物及使用其的研磨方法。CMP浆料组合物包含：极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者；金属氧化物磨蚀剂；氧化剂；以及分子量为3500克/摩尔或小于3500克/摩尔的聚丙烯酸。CMP浆料组合物在研磨具有高碳含量、高膜密度以及高硬度的有机膜时提供优良效应，在研磨有机膜时具有比在研磨无机膜时更佳的研磨速率，在研磨有机膜之后在经研磨表面上提供良好平坦性，以及通过容易自研磨停止膜移除残余有机膜材料而使得研磨更均一。

公开(公告)号：CN107636110B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201680027986.9

申请日：2016-05-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  金泰完 ,  都均奉 ,  姜东宪 ,  金东珍 ,  兪龙植 ,  崔渶楠

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明揭示用于研磨碳含量为约50原子％至约99原子％的有机膜的化学机械研磨(CMP)浆料组合物的用途及用于研磨有机膜的方法。CMP浆料组合物包含：极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者；金属氧化物磨蚀剂；氧化剂；以及分子量为3500克/摩尔或小于3500克/摩尔的聚丙烯酸。CMP浆料组合物在研磨具有高碳含量、高膜密度以及高硬度的有机膜时提供优良效应，在研磨有机膜时具有比在研磨无机膜时更佳的研磨速率，在研磨有机膜之后在经研磨表面上提供良好平坦性，以及通过容易自研磨停止膜移除残余有机膜材料而使得研磨更均一。