公开(公告)号：CN109153907B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201680068602.8

申请日：2016-10-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 姜东宪 ,  金廷熙 ,  崔正敏 ,  兪龙植

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及一种CMP研浆组成物及使用其研磨有机膜的方法，所述CMP研浆组成物包含：含有含铁组分的氧化剂；具有一个羧基的有机酸；以及水。本发明的CMP研浆组成物不包含研磨颗粒，藉此有效地阻止研磨颗粒引起的过度研磨和/或在研磨有机膜时出现刮痕。

公开(公告)号：CN105143390B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201480021926.7

申请日：2014-04-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  能条治辉 ,  朴容淳 ,  兪龙植 ,  姜东宪 ,  金高恩 ,  金泰完

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B1/00 ,  B24B37/044 ,  C09G1/00 ,  C09G1/04 ,  C09G1/06 ,  C09K3/1454 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472 ,  C09K13/06 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及一种用于研磨有机膜的有机膜CMP浆料组成物及使用其的研磨方法，该CMP浆料组成物包含至少极性溶剂或非极性溶剂以及金属氧化物研磨剂，其中所述组成物为酸性，且所述有机膜具有约50原子％至95原子％的碳含量。该CMP浆料组成物在研磨具有高碳含量、膜密度及硬度的有机膜后在研磨表面上展示极优良平坦化程度，且使残余在研磨停止膜上的有机膜的残余物(residue)易于移除，借此确保更均匀研磨。

公开(公告)号：CN108138029A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680056927.4

申请日：2016-09-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  都均奉 ,  姜东宪 ,  金东珍 ,  兪龙植 ,  郑荣哲 ,  赵炫洙

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/306

CPC classification number: C09K3/14 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种有机膜CMP浆料组成物及使用其的研磨方法。所述CMP浆料组成物包含氧化铈及硝酸铈，其中由方程式(1)所计算的选择性比为约100或大于100：[方程式(1)]选择性比＝α/β(其中α是对有机膜的研磨速率(埃/分钟)且β是对无机膜的研磨速率(埃/分钟))。

公开(公告)号：CN114660897A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111572845.4

申请日：2021-12-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 元东勋 ,  兪龙植 ,  李贤洙 ,  崔世一 ,  崔熙瑄

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及一种包含聚合物及溶剂的硬掩模组合物以及一种使用所述硬掩模组合物形成图案的方法，所述聚合物包含衍生自由化学式1表示的化合物的部分。在化学式1中，X1到X3、A1到A3及L1到L3的定义如说明书中所阐述。[化学式1]。

公开(公告)号：CN107922819B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201680047980.8

申请日：2016-07-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 都均奉 ,  金东珍 ,  郑荣哲 ,  兪龙植 ,  崔正敏

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/306 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明是有关于一种用于有机膜的化学机械研磨研浆组成物、其制备方法以及使用其的研磨有机膜的方法，化学机械研磨研浆组成物包括氧化剂及溶剂。本发明的有机膜的化学机械研磨研浆具有通过方程式(1)所呈现的为约5°至90°的Δθw，其为水接触角变化，且在将涂布有有机膜而待研磨的晶圆，浸渍于化学机械研磨研浆中10小时之后所测量。方程式(1)：水接触角变化Δθw＝|θ1‑θ2|。

公开(公告)号：CN107636110B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201680027986.9

申请日：2016-05-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  金泰完 ,  都均奉 ,  姜东宪 ,  金东珍 ,  兪龙植 ,  崔渶楠

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明揭示用于研磨碳含量为约50原子％至约99原子％的有机膜的化学机械研磨(CMP)浆料组合物的用途及用于研磨有机膜的方法。CMP浆料组合物包含：极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者；金属氧化物磨蚀剂；氧化剂；以及分子量为3500克/摩尔或小于3500克/摩尔的聚丙烯酸。CMP浆料组合物在研磨具有高碳含量、高膜密度以及高硬度的有机膜时提供优良效应，在研磨有机膜时具有比在研磨无机膜时更佳的研磨速率，在研磨有机膜之后在经研磨表面上提供良好平坦性，以及通过容易自研磨停止膜移除残余有机膜材料而使得研磨更均一。

公开(公告)号：CN108138029B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201680056927.4

申请日：2016-09-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  都均奉 ,  姜东宪 ,  金东珍 ,  兪龙植 ,  郑荣哲 ,  赵炫洙

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种有机膜CMP浆料组成物及使用其的研磨方法。所述CMP浆料组成物包含氧化铈及硝酸铈，其中由方程式(1)所计算的选择性比为约100或大于100：[方程式(1)]选择性比＝α/β(其中α是对有机膜的研磨速率(埃/分钟)且β是对无机膜的研磨速率(埃/分钟))。本发明的有机膜CMP浆料组成物具有有机膜相对于无机膜的高选择性比。

公开(公告)号：CN111378084A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911356022.0

申请日：2019-12-25

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴昭姸 ,  金永珉 ,  兪龙植

IPC: C08G12/26 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  G03F7/11

Abstract: 本发明公开一种聚合物、一种包含聚合物的硬掩模组合物以及一种使用硬掩模组合物来形成图案的方法，聚合物包含通过反应混合物的反应获得的结构单元，反应混合物包含：经取代或未经取代的吲哚或其衍生物；在末端处具有经取代或未经取代的C3到C20支链烷基的第一芳香族醛化合物；以及与第一芳香族醛化合物不同的第二芳香族醛化合物。

公开(公告)号：CN109153907A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201680068602.8

申请日：2016-10-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 姜东宪 ,  金廷熙 ,  崔正敏 ,  兪龙植

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及一种CMP研浆组成物及使用其研磨有机膜的方法，所述CMP研浆组成物包含：含有含铁组分的氧化剂；具有一个羧基的有机酸；以及水。

公开(公告)号：CN105143390A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480021926.7

申请日：2014-04-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  能条治辉 ,  朴容淳 ,  兪龙植 ,  姜东宪 ,  金高恩 ,  金泰完

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B1/00 ,  B24B37/044 ,  C09G1/00 ,  C09G1/04 ,  C09G1/06 ,  C09K3/1454 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472 ,  C09K13/06 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及一种用于研磨有机膜的有机膜CMP浆料组成物，其包含至少极性溶剂或非极性溶剂以及金属氧化物研磨剂，其中所述组成物为酸性，且所述有机膜具有约50原子％至95原子％的碳含量，且本发明涉及使用其的研磨方法。