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公开(公告)号:CN110003127B
公开(公告)日:2023-03-24
申请号:CN201811603758.9
申请日:2018-12-26
IPC: C07D251/24 , C07D239/26 , C07D401/04 , C07D409/04 , C07D405/04 , C07D487/14 , C09K11/06 , H10K50/10 , H10K85/60
Abstract: 公开了一种组合物、有机光电子装置及显示装置,所述组合物包含由化学式1表示的第一化合物和由化学式2或化学式3表示的第二化合物。
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公开(公告)号:CN106278997B
公开(公告)日:2021-07-27
申请号:CN201610321943.3
申请日:2016-05-16
IPC: C07D209/88 , C07D209/86 , C07D405/14 , C07D409/14 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 公开稠环化合物和包括其的有机发光器件。由式1表示的稠环化合物,其中,在式1中,基团和变量与说明书中描述的相同。式1
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公开(公告)号:CN112680228A
公开(公告)日:2021-04-20
申请号:CN202011107899.9
申请日:2020-10-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 本文公开一种用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法。用于氮化硅层的蚀刻组合物包含:无机酸或其盐;溶剂;选自酸改性二氧化硅及酸改性硅酸的群组中的至少一者;及含有四个或更多个氮原子的环状化合物。本发明当在高温下用于蚀刻时可显著增加氮化硅层对氧化硅层的蚀刻选择性。
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公开(公告)号:CN105254555B
公开(公告)日:2020-12-29
申请号:CN201510401180.9
申请日:2015-07-09
IPC: C07D209/88 , C07D401/14 , C07D405/14 , C07D409/14 , C07D471/04 , C07D403/14 , C07F7/10 , C07D421/14 , C07F9/6568 , C09K11/06 , H01L51/54
Abstract: 提供稠环化合物和包括所述稠环化合物的有机发光器件。所述稠环化合物由式1表示,其中X1‑X8、X11‑X18、L1、L2、a1、a2和Ar1如说明书中所定义。所述稠环化合物具有优异的电特性和热稳定性。因此,使用所述稠环化合物的有机发光器件可具有低的驱动电压、高的效率、高的亮度、和长的寿命。
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公开(公告)号:CN115895662B
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN202211018998.9
申请日:2022-08-24
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法。该蚀刻组合物包含:无机酸或其盐;以及硅烷化合物,其中,该硅烷化合物包括含反应性基团的第一硅烷化合物和含可溶性基团的第二硅烷化合物的混合物的聚合物、聚合物的反应产物、其盐、或它们的组合。
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公开(公告)号:CN105254555A
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201510401180.9
申请日:2015-07-09
IPC: C07D209/88 , C07D401/14 , C07D405/14 , C07D409/14 , C07D471/04 , C07D403/14 , C07F7/10 , C07D421/14 , C07F9/6568 , C09K11/06 , H01L51/54
Abstract: 提供稠环化合物和包括所述稠环化合物的有机发光器件。所述稠环化合物由式1表示,其中X1-X8、X11-X18、L1、L2、a1、a2和Ar1如说明书中所定义。所述稠环化合物具有优异的电特性和热稳定性。因此,使用所述稠环化合物的有机发光器件可具有低的驱动电压、高的效率、高的亮度、和长的寿命。
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公开(公告)号:CN111247226B
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN201880067911.2
申请日:2018-10-10
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明涉及用于有机光电元件的组合物、有机光电元件以及使用该有机光电元件的显示装置,其中该组合物包含用于有机光电元件的第一化合物,该第一化合物由特定化学式的组合表示;以及用于有机光电元件的第二化合物,该第二化合物由不同的特定化学式表示。
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