公开(公告)号：CN114350263A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111152096.X

申请日：2021-09-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金元中 ,  具仑永 ,  金亨默 ,  朴泰远 ,  李义郞 ,  李锺元 ,  赵娟振

IPC: C09G1/02 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明涉及一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法。化学机械抛光组合物包含溶剂和研磨剂。研磨剂包含用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅，且组合物具有4到7的pH。所述组合物可改进钨图案晶片的抛光速率和平整度，同时抑制在抛光后产生刮痕缺陷。

公开(公告)号：CN114302930A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202080060553.X

申请日：2020-10-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李知虎 ,  南沇希 ,  辛奈律 ,  李泳基 ,  李永熙 ,  李锺元

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321

Abstract: 一种研磨钨图案晶圆的化学机械研磨(CMP)浆料组成物以及一种使用其研磨钨图案晶圆的方法。所述化学机械研磨浆料组成物包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者；磨蚀剂；由式1表示的化合物；及多羧酸，其中在化学机械研磨浆料组成物中，由式1表示的化合物以约0.001重量％至约2重量％的量存在，且多羧酸以约0.001重量％至约5重量％的量存在。

公开(公告)号：CN115109519A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210263056.0

申请日：2022-03-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李知虎 ,  李泳基 ,  沈秀姸 ,  李贤玗 ,  李昌锡 ,  李锺元

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明提供一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法。化学机械抛光组合物包含：溶剂；研磨剂；以及树枝状聚(酰氨基胺)，含有pKa为6或小于6的末端官能团。本发明可改进凹陷特性且降低腐蚀速率，同时使钨图案晶片的抛光速率的降低最小化。

公开(公告)号：CN113969106A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202110829759.0

申请日：2021-07-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李义郞 ,  具仑永 ,  金元中 ,  金亨默 ,  朴泰远 ,  李锺元 ,  赵娟振

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/48

Abstract: 一种用于抛光钨图案晶片的CMP浆料组合物以及使用其抛光钨图案晶片的方法。所述CMP浆料组合物包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一种溶剂；研磨剂；以及杀生物剂，其中所述研磨剂包含用选自含两个氮原子的硅烷及含三个氮原子的硅烷中的至少一者改性的二氧化硅，并且所述杀生物剂包含式3的化合物。所述CMP浆料组合物可在抛光钨图案晶片时提高钨图案晶片的抛光速率及平整度。

公开(公告)号：CN112680109A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011111565.9

申请日：2020-10-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金亨默 ,  张根三 ,  姜东宪 ,  李锺元

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06

Abstract: 本发明涉及一种用于铜膜的化学机械抛光浆料组合物和使用其来抛光铜膜的方法。化学机械抛光浆料组合物包含：自极性溶剂和非极性溶剂当中选出的至少一溶剂；以及硅烷改性的抛光颗粒，其中硅烷由式1表示。

公开(公告)号：CN115710463B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202211011094.3

申请日：2022-08-23

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李知虎 ,  李泳基 ,  沈秀姸 ,  李贤玗 ,  李锺元

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明公开一种用于图案化钨晶片的CMP浆料组成物和使用其的钨抛光方法。CMP浆料组成物包含：溶剂；磨料；以及非树枝状聚(酰胺基胺)。

公开(公告)号：CN114350263B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202111152096.X

申请日：2021-09-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金元中 ,  具仑永 ,  金亨默 ,  朴泰远 ,  李义郞 ,  李锺元 ,  赵娟振

IPC: C09G1/02 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明涉及一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法。化学机械抛光组合物包含溶剂和研磨剂。研磨剂包含用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅，且组合物具有4到7的pH。所述组合物可改进钨图案晶片的抛光速率和平整度，同时抑制在抛光后产生刮痕缺陷。

公开(公告)号：CN112680109B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202011111565.9

申请日：2020-10-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金亨默 ,  张根三 ,  姜东宪 ,  李锺元

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06

Abstract: 本发明涉及一种用于铜膜的化学机械抛光浆料组合物和使用其来抛光铜膜的方法。化学机械抛光浆料组合物包含：自极性溶剂和非极性溶剂当中选出的至少一溶剂；以及硅烷改性的抛光颗粒，其中硅烷由式1表示。

公开(公告)号：CN114302930B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202080060553.X

申请日：2020-10-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李知虎 ,  南沇希 ,  辛奈律 ,  李泳基 ,  李永熙 ,  李锺元

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321

Abstract: 一种研磨钨图案晶圆的化学机械研磨(CMP)浆料组成物以及一种使用其研磨钨图案晶圆的方法。所述化学机械研磨浆料组成物包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者；磨蚀剂；由式1表示的化合物；及多羧酸，其中在化学机械研磨浆料组成物中，由式1表示的化合物以约0.001重量％至约2重量％的量存在，且多羧酸以约0.001重量％至约5重量％的量存在。

公开(公告)号：CN115305010A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210262803.9

申请日：2022-03-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 沈秀姸 ,  李知虎 ,  李贤玗 ,  李锺元

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明提供一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法。化学机械抛光组合物包含：溶剂；研磨剂；以及含有末端氨基的树枝状聚(酰氨基胺)。本发明可改进钨图案晶片的平整度，同时降低腐蚀速率。