公开(公告)号：CN116410668A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202211433983.9

申请日：2022-11-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴泰远 ,  金眞敎 ,  李知虎 ,  李义郞 ,  李东炫

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/3213

Abstract: 公开一种用于对钨图案晶片进行抛光的化学机械抛光浆料组合物以及一种使用所述化学机械抛光浆料组合物对钨图案晶片进行抛光的方法。所述用于对钨图案晶片进行抛光的化学机械抛光浆料组合物可包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一种溶剂；研磨剂，含有用具有至少一个氮原子的硅烷化合物改性的氧化硅；以及含环氧烷基的氟类表面活性剂。

公开(公告)号：CN108164711B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201710636140.1

申请日：2017-07-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 沈秀姸 ,  裵鎭希 ,  郭泽秀 ,  金龙国 ,  金眞敎 ,  卢健培 ,  尹熙灿 ,  李知虎 ,  黄丙奎

IPC: C08G77/62 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种用于形成硅氧层的组成物、一种制造硅氧层的方法及一种电子装置，所述用于形成硅氧层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物的重量平均分子量在2,000到100,000范围内，并且由方程式1计算的含硅聚合物的分支比(a)在0.25到0.50范围内。η＝k×Ma[方程式1]在方程式1中，η是含硅聚合物的固有粘度，M是含硅聚合物的绝对分子量，a是分支比，以及k是固有常数。因此，使用用于形成硅氧层的组成物制造的硅氧层具有密集型结构，并且因此减少损耗和层应力以及改良抗蚀刻性和平面化特征。

公开(公告)号：CN117987014A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311398081.0

申请日：2023-10-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张根三 ,  金元中 ,  朴泰远 ,  李知虎 ,  李义郞 ,  金眞敎 ,  李东炫 ,  李昌锡

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06 ,  H01L21/321

Abstract: 在本文中公开一种用于对钨进行抛光的化学机械抛光浆料组合物以及使用其对钨进行抛光的方法。所述用于对钨进行抛光的化学机械抛光浆料组合物包括：选自极性溶剂和非极性溶剂的至少一种溶剂；磨料剂；以及由式3表示的化合物或其络合物。本发明可提高抛光表面的平整度。

公开(公告)号：CN107778876B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201710259297.7

申请日：2017-04-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李知虎 ,  沈秀姸 ,  金眞敎 ,  朱英在

IPC: C08L83/16 ,  C08L83/14 ,  C09D183/16 ,  C09D183/14 ,  H01L29/51

Abstract: 一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含在1H‑NMR光谱中满足等式1和2的含硅聚合物以及溶剂。等式1和2的定义与具体实施方式中相同。根据一个实施例的用于形成二氧化硅层的含硅聚合物具有极佳耐蚀刻性、间隙填充特征以及平面化特征。通过提供包含其的组成物，所获得的二氧化硅层可实现极佳耐蚀刻性和平面化特征。B/A＝0.2到0.4 [等式1](A+B)/C＝4.8到12.0 [等式2]。

公开(公告)号：CN108164711A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201710636140.1

申请日：2017-07-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 沈秀姸 ,  裵鎭希 ,  郭泽秀 ,  金龙国 ,  金眞敎 ,  卢健培 ,  尹熙灿 ,  李知虎 ,  黄丙奎

IPC: C08G77/62 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种用于形成硅氧层的组成物、一种制造硅氧层的方法及一种电子装置，所述用于形成硅氧层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物的重量平均分子量在2,000到100,000范围内，并且由方程式1计算的含硅聚合物的分支比(a)在0.25到0.50范围内。η＝k×Ma [方程式1]在方程式1中，η是含硅聚合物的固有粘度，M是含硅聚合物的绝对分子量，a是分支比，以及k是固有常数。因此，使用用于形成硅氧层的组成物制造的硅氧层具有密集型结构，并且因此减少损耗和层应力以及改良抗蚀刻性和平面化特征。

公开(公告)号：CN107778876A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710259297.7

申请日：2017-04-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李知虎 ,  沈秀姸 ,  金眞敎 ,  朱英在

IPC: C08L83/16 ,  C08L83/14 ,  C09D183/16 ,  C09D183/14 ,  H01L29/51

Abstract: 一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含在1H-NMR光谱中满足等式1和2的含硅聚合物以及溶剂。等式1和2的定义与具体实施方式中相同。根据一个实施例的用于形成二氧化硅层的含硅聚合物具有极佳耐蚀刻性、间隙填充特征以及平面化特征。通过提供包含其的组成物，所获得的二氧化硅层可实现极佳耐蚀刻性和平面化特征。B/A＝0.2到0.4 [等式1](A+B)/C＝4.8到12.0 [等式2]。