公开(公告)号：CN107778876A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710259297.7

申请日：2017-04-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李知虎 ,  沈秀姸 ,  金眞敎 ,  朱英在

IPC: C08L83/16 ,  C08L83/14 ,  C09D183/16 ,  C09D183/14 ,  H01L29/51

Abstract: 一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含在1H-NMR光谱中满足等式1和2的含硅聚合物以及溶剂。等式1和2的定义与具体实施方式中相同。根据一个实施例的用于形成二氧化硅层的含硅聚合物具有极佳耐蚀刻性、间隙填充特征以及平面化特征。通过提供包含其的组成物，所获得的二氧化硅层可实现极佳耐蚀刻性和平面化特征。B/A＝0.2到0.4 [等式1](A+B)/C＝4.8到12.0 [等式2]。

公开(公告)号：CN107778876B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201710259297.7

申请日：2017-04-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李知虎 ,  沈秀姸 ,  金眞敎 ,  朱英在

IPC: C08L83/16 ,  C08L83/14 ,  C09D183/16 ,  C09D183/14 ,  H01L29/51

Abstract: 一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含在1H‑NMR光谱中满足等式1和2的含硅聚合物以及溶剂。等式1和2的定义与具体实施方式中相同。根据一个实施例的用于形成二氧化硅层的含硅聚合物具有极佳耐蚀刻性、间隙填充特征以及平面化特征。通过提供包含其的组成物，所获得的二氧化硅层可实现极佳耐蚀刻性和平面化特征。B/A＝0.2到0.4 [等式1](A+B)/C＝4.8到12.0 [等式2]。