公开(公告)号：CN106340505B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201610542639.1

申请日：2016-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明洵 ,  郑显秀 ,  李灿浩

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/498

Abstract: 公开了一种半导体芯片，所述半导体芯片包括：芯片焊盘，设置在芯片主体的第一区域中；再分布布线测试焊盘，设置在芯片主体的第一区域中，与芯片焊盘分隔开并且通过再分布布线结构连接到芯片焊盘；以及再分布布线连接焊盘，设置在芯片主体的第一区域中或芯片主体的第二区域中并且通过再分布布线结构连接到芯片焊盘。

公开(公告)号：CN106847762A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201611025660.0

申请日：2016-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李灿浩 ,  郑显秀 ,  朴明洵

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/14166 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 公开了一种半导体装置和一种半导体封装件。所述半导体装置包括：基底；去耦电容器，设置在基底上；第一连接焊盘，与去耦电容器竖直地叠置；钝化层，暴露第一连接焊盘的一部分；以及第一焊料凸块，设置在第一连接焊盘上并覆盖钝化层的顶表面的一部分。

公开(公告)号：CN106206531A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610361755.3

申请日：2016-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明洵 ,  郑显秀 ,  李灿浩

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49811

Abstract: 如下提供了一种集成电路装置。连接端子设置在半导体结构的第一表面上。导电焊盘设置在半导体结构的与第一表面相对的第二表面上。基底穿透通孔(TSV)结构贯穿半导体结构。TSV结构的端部延伸到半导体结构的第二表面之外。导电焊盘围绕TSV结构的端部。连接端子通过TSV结构电连接到导电焊盘。

公开(公告)号：CN101252121A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200710169121.9

申请日：2007-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  张东铉 ,  郑泰敬 ,  金南锡 ,  柳承官

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/19 ,  H01L23/13 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/05599

Abstract: 提供了一种堆叠封装及其制造方法。堆叠封装包括在其中插入具有键合衬垫的半导体芯片的至少一个或多个插入器，由于半导体芯片与半导体芯片插入的空腔之间的面积差而形成的互连端子槽，以及在互连端子槽中形成与键合衬垫连接的互连端子。在堆叠封装中，插入器彼此堆叠，并且互连端子相互连接，以使得一个或多个半导体芯片彼此堆叠并电连接。

公开(公告)号：CN1996565A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200710001527.6

申请日：2007-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  李镐珍 ,  张东铉 ,  李东镐

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/274 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087

Abstract: 本发明提供了一种具有应力消除分隔件的半导体器件封装和一种制造该半导体器件封装的方法，在该半导体器件封装中，从芯片的本体延伸的金属互连指状物提供芯片互连。金属指状物通过应力消除分隔件与芯片的本体隔离。在一个示例中，这种隔离采取空气间隙的形式。在另一示例中，这种隔离采取弹性体材料的形式。在任一种情况下，避免了金属互连指状物和芯片的本体之间的热膨胀系数的不匹配，从而减轻了与裂纹和剥离相关的问题，并使得器件产量和器件可靠性提高。

公开(公告)号：CN116137257A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211378731.0

申请日：2022-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  金泳龙 ,  朴相天

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L23/538 ,  H01L21/02

Abstract: 一种半导体封装件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述第一半导体芯片包括：第一衬底，具有前表面和后表面；第一绝缘层，位于所述后表面上；凹陷部分，穿过所述第一绝缘层延伸到所述第一衬底中；绝缘保护层，沿着所述凹陷部分的内侧表面和底表面延伸；贯通电极，从所述前表面延伸穿过所述凹陷部分的所述底表面和所述绝缘保护层；以及第一连接焊盘，在所述凹陷部分中接触所述贯通电极，并且被所述绝缘保护层围绕，所述第一半导体芯片具有由所述第一绝缘层的上表面、所述绝缘保护层的上表面和所述第一连接焊盘的上表面限定的平坦的上表面，并且所述第二半导体芯片设置在所述第一半导体芯片的所述上表面上。

公开(公告)号：CN114203680A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110824114.8

申请日：2021-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  郑命杞 ,  金泳龙

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 一种半导体封装包括：封装基板；封装基板上的下封装结构，下封装结构包括模制基板、模制基板中的具有通过模制基板而暴露的芯片焊盘的半导体芯片、模制基板中的与半导体芯片隔开的间隔物芯片、以及模制基板上的重分布布线层，重分布布线层具有电连接到芯片焊盘的重分布布线；下封装结构上彼此隔开的第一堆叠结构和第二堆叠结构，第一堆叠结构和第二堆叠结构中的每一个包括堆叠的存储器芯片；以及模制构件，模制构件覆盖下封装结构以及第一堆叠结构和第二堆叠结构，其中模制基板包括覆盖半导体芯片和间隔物芯片的侧表面的第一覆盖部分、以及覆盖半导体芯片的下表面的第二覆盖部分。

公开(公告)号：CN106340505A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610542639.1

申请日：2016-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明洵 ,  郑显秀 ,  李灿浩

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/498

Abstract: 公开了一种半导体芯片，所述半导体芯片包括：芯片焊盘，设置在芯片主体的第一区域中；再分布布线测试焊盘，设置在芯片主体的第一区域中，与芯片焊盘分隔开并且通过再分布布线结构连接到芯片焊盘；以及再分布布线连接焊盘，设置在芯片主体的第一区域中或芯片主体的第二区域中并且通过再分布布线结构连接到芯片焊盘。

公开(公告)号：CN104637901A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410638228.3

申请日：2014-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵汊济 ,  赵泰济 ,  郑显秀

IPC: H01L23/485 ,  H01L27/146 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明提供了一种具有贯通电极的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可包括：第一半导体芯片，其包括上面设有第一顶部焊盘的第一有源表面；第二半导体芯片，其包括上面设有第二顶部焊盘的第二有源表面和上面设有第二底部焊盘的第二无源表面，第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上以使得第二有源表面面对第一有源表面；以及导电互连部分，其被配置为将第一半导体芯片电连接至第二半导体芯片，其中，导电互连部分包括：第一贯通电极，其穿通第二半导体芯片，并将第二底部焊盘电连接至第二顶部焊盘；以及第二贯通电极，其穿通第二半导体芯片，穿过第二顶部焊盘的水平面而不接触第二顶部焊盘，并将第二底部焊盘电连接至第一顶部焊盘。

公开(公告)号：CN104241229A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410279831.7

申请日：2014-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  马金希 ,  李仁荣 ,  赵文祺 ,  赵汊济 ,  赵泰济

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了具有贯穿电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括：设置包括第一电路层的第一基板；在第一基板的前表面上形成前模制层；研磨第一基板的背表面；形成穿透第一基板以电连接到第一电路层的第一贯穿电极；在第一基板的背表面上设置第二基板，第二基板包括电连接到第一贯穿电极的第二电路层；在第一基板的背表面上形成后模制层，后模制层包封第二基板；以及去除前模制层。