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公开(公告)号：CN117917771A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202310952326.3
申请日：2023-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：衬底；一对鳍型有源区，从衬底突出，以在衬底上限定沟槽区，该鳍型有源区在第一横向方向上延伸；一对源/漏区，分别在鳍型有源区上；器件隔离膜，在沟槽区中，该器件隔离膜在竖直方向上与衬底分开；蚀刻停止结构，在衬底和器件隔离膜之间填充沟槽区的至少一部分；过孔电力轨，在该对鳍型有源区之间、以及在该对源/漏区之间，该过孔电力轨穿过蚀刻停止结构的至少一部分；以及背侧电力轨，穿过衬底，该背侧电力轨与过孔电力轨的一端接触。
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公开(公告)号：CN107887362A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710911772.4
申请日：2017-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/764 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/76826 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L23/5222 , H01L23/5283 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L23/522 , H01L21/764 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的第一层间电介质膜；在第一层间电介质膜内在第一方向上分别延伸的第一布线和第二布线，第一布线和第二布线在不同于第一方向的第二方向上彼此相邻；在第一层间电介质膜上的硬掩模图案，硬掩模图案包括开口；以及在第一层间电介质膜内的气隙，气隙在第一方向上包括与开口垂直交叠的第一部分和不与开口交叠的第二部分。
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公开(公告)号：CN105428308A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510522886.0
申请日：2015-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在包括下图案的基板上顺序地形成层间绝缘层和包括第一开口的硬掩模图案；利用硬掩模图案在层间绝缘层中形成暴露下图案的沟槽；形成衬垫层，该衬垫层包括沿着沟槽的侧壁和底表面形成的第一部分以及沿着硬掩模图案的顶表面形成的第二部分；在沟槽中形成暴露衬垫层的第二部分的牺牲图案；利用牺牲图案去除衬垫层的第二部分和硬掩模图案；以及在去除硬掩模图案之后，去除牺牲图案以暴露衬垫层的第一部分。
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公开(公告)号：CN109904140B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201811255948.6
申请日：2018-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522
Abstract: 提供了半导体装置。半导体装置可以包括基底、位于基底上的第一绝缘膜、位于第一绝缘膜中的下金属层和位于第一绝缘膜上的第二绝缘膜。下金属层的一部分可以位于第二绝缘膜中，第二绝缘膜可以包括面对基底的下表面和与下表面相对的上表面，并且第二绝缘膜的上表面可以是向上凸出的。半导体装置还可以包括位于第二绝缘膜上的限定凹部的一部分的阻挡介电膜和位于凹部的由阻挡介电膜限定的所述一部分中并与下金属层电连接的过孔金属层。第一绝缘膜和第二绝缘膜可以在竖直方向上顺序地堆叠在基底上，并且下金属层的上表面与基底之间的最长竖直距离可以小于第二绝缘膜的上表面与基底之间的最长竖直距离。
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公开(公告)号：CN107887362B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201710911772.4
申请日：2017-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/764 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的第一层间电介质膜；在第一层间电介质膜内在第一方向上分别延伸的第一布线和第二布线，第一布线和第二布线在不同于第一方向的第二方向上彼此相邻；在第一层间电介质膜上的硬掩模图案，硬掩模图案包括开口；以及在第一层间电介质膜内的气隙，气隙在第一方向上包括与开口垂直交叠的第一部分和不与开口交叠的第二部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113629037A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110120166.7
申请日：2021-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/535 , H01L23/48 , H01L29/78 , H01L27/02
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：晶体管，位于基底上；第一层间绝缘层，位于晶体管上；下互连线，位于第一层间绝缘层的上部中；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；上互连线，位于第二层间绝缘层中，上互连线包括穿透蚀刻停止层以接触下互连线的通路部分；蚀刻停止图案，位于蚀刻停止层上并且与通路部分的第一侧壁接触。第二层间绝缘层在蚀刻停止图案和蚀刻停止层的其上没有蚀刻停止图案的顶表面上延伸。蚀刻停止图案的介电常数比蚀刻停止层的介电常数高。
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公开(公告)号：CN105428308B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201510522886.0
申请日：2015-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在包括下图案的基板上顺序地形成层间绝缘层和包括第一开口的硬掩模图案；利用硬掩模图案在层间绝缘层中形成暴露下图案的沟槽；形成衬垫层，该衬垫层包括沿着沟槽的侧壁和底表面形成的第一部分以及沿着硬掩模图案的顶表面形成的第二部分；在沟槽中形成暴露衬垫层的第二部分的牺牲图案；利用牺牲图案去除衬垫层的第二部分和硬掩模图案；以及在去除硬掩模图案之后，去除牺牲图案以暴露衬垫层的第一部分。
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公开(公告)号：CN107665855A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710610070.2
申请日：2017-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/764 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76883 , H01L21/76802 , H01L21/7682 , H01L21/76829 , H01L23/528 , H01L21/764
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成第一绝缘夹层；图案化第一绝缘夹层以形成多个第一开口；在被图案化的第一绝缘夹层中的第一开口内形成牺牲图案；图案化牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层以在牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层中形成多个第二开口；形成多个金属线，金属线在各自的第二开口中；去除牺牲图案的剩余部分中的至少一些以在金属线中的至少一些之间形成空隙；以及在金属线的顶表面、被图案化的第一绝缘夹层的顶表面、以及金属线的和被图案化的第一绝缘夹层的暴露的侧表面上共形地形成衬垫层。
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公开(公告)号：CN107026148A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611165928.0
申请日：2016-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件可以包括：基板；第一中间绝缘层，在基板上并具有开口；导电图案，设置在开口中；第一至第四绝缘图案，堆叠在设置有导电图案的基板上；和第二中间绝缘层，设置在第四绝缘图案上。
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公开(公告)号：CN118412377A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410074806.9
申请日：2024-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，其包括在第一方向上延伸的有源区；栅极结构，其在有源区上在第二方向上延伸；源极/漏极区，其位于有源区上并与栅极结构相邻；背面绝缘层，其位于衬底的下表面上；竖直电力结构，其位于相邻的源极/漏极区之间，其中，竖直电力结构延伸穿过衬底和背面绝缘层，并且具有暴露的下表面；层间绝缘层，其位于背面绝缘层上；背面电力结构，其延伸穿过层间绝缘层并且连接到竖直电力结构；以及第一对准绝缘层，其位于背面绝缘层和层间绝缘层之间，其中，第一对准绝缘层具有暴露出竖直电力结构的下表面并与背面电力结构接触的第一开口。
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