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公开(公告)号：CN204257688U
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201420601237.0
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种具有电极出光的发光二极管，在外延发光结构上形成第一电极及第二电极，其中，第一电极或第二电极作为焊台电极，在作为焊台电极的第一电极或第二电极内部设置若干规则的微细透明柱体，且透明柱体与外延发光结构形成连接。本实用新型可以减少电极挡光面积，提高发光二极管的外量子效率。
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公开(公告)号：CN204243043U
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201420699609.8
申请日：2014-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型一种高发光效率的高压发光二极管，由n个具有独立发光结构的子级发光二极管串联构成，其中，第一子级发光二极管上设置第一电极，第n子级发光二极管上设置第二电极。本实用新型可以增加有源区的出光面积，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN204167348U
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201420601588.1
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构，在衬底上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、N型掺杂层、应力平衡层、InxGa1-xN/GaN有源层、空穴注入层、电子阻挡层及P型掺杂层；InxGa1-xN/GaN有源层由多组InxGa1-xN量子阱层及GaN量子垒层构成，其中0.1
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公开(公告)号：CN202797040U
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201220399941.3
申请日：2012-08-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0304
CPC classification number: Y02E10/544
Abstract: 本实用新型公开一种倒置三结太阳能电池，包括第一欧姆接触层，在第一欧姆接触层的上面依次连接有第一子电池、第一隧穿结、第二子电池、第二隧穿结、第三子电池、第二欧姆接触层，第一子电池、第二子电池、第三子电池的晶格常数相同，第一子电池具有第一带隙，第二子电池具有第二带隙，且其值小于第一带隙，第三子电池具有第三带隙，且其值小于第二带隙；本实用新型有效提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN202159691U
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201120163361.X
申请日：2011-05-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/052
Abstract: 本实用新型公开一种高聚光倍数太阳能电池的散热器，由铜薄层、银铜钛合金层、金刚石膜、银铜钛合金层和铜底座组成，在聚光太阳能电池底下形成铜薄层，铜薄层下面形成银铜钛合金层，此铜薄层和银铜钛合金层上形成绝缘通道，银铜钛合金层下面形成金刚石膜，金刚石膜下面再形成银铜钛合金层，银铜钛合金层下面形成铜底座，铜底座中形成冷却水通道。本实用新型的散热器能应用在聚光倍数1600倍以上的聚光太阳能电池上，整体热导率高达400W/(m·K)以上，散热效果优于热导率为280W/(m·K)的Al2O3陶瓷散热器，具有更高效的散热作用，使得聚光太阳能电池能在较高的聚光倍数下稳定工作且减少光电转换效率的下降。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN218975467U
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202222560992.6
申请日：2022-09-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种集成式RGB Mini‑LED芯片，集成式RGB Mini‑LED芯片包括：在同一水平面上，呈阵列分布的RGB发光单元，阵列分布的RGB发光单元由双色LED芯片和单色LED芯片交替排列构成，相邻RGB发光单元之间互相绝缘，且其中一种同性电极相邻，使得相邻的RGB发光单元的同性电极形成较大的电极打线点，既可避免单个电极焊点太小造成漏焊等不良；又可以使一个电极打线点同时覆盖四个芯片的同性电极，减少三次打线工艺，有效减少工艺流程及成本；还可有效减小单个电极的面积，增加发光面积，避免小尺寸芯片的出光面积被过多的阻挡，进而提高RGB Mini‑LED芯片的出光效率。
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公开(公告)号：CN218351494U
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202222440257.1
申请日：2022-09-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种多色LED芯片，在衬底表面依次层叠的第一反射层、第一型限制层、有源区、第二型限制层、复合电流扩展结构以及欧姆接触层；其中，所述复合电流扩展结构至少包括沿第一方向依次堆叠的电流扩展底层、第二反射层、第三反射层以及电流扩展顶层；且所述第一反射层、第二反射层以及第三反射层所反射的光波依次减小，以实现单颗LED芯片的多色立体显示效果。基于此，从发光外延结构的底面开始依次反射的波段逐渐减小，并在发光外延结构表面通过反射层配合电流扩展层，有效避免发光外延结构表面的光下射到有源区而损耗光效，同时可实现发光外延结构表面的横向电流扩展。
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公开(公告)号：CN218215344U
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202220608754.5
申请日：2022-03-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种外延结构、LED芯片，其中外延结构包括：图形化的混合生长衬底、N型半导体层、有源区和P型半导体层；混合生长衬底包括蓝宝石衬底及设置在蓝宝石衬底上表面的多个凸起结构和缓冲层，凸起结构为易腐蚀性材料，且相邻凸起结构的底部相互紧挨，形成底部相连的凸起结构，部分凸起结构的底部边沿与蓝宝石衬底上表面的边沿部分重叠，再者缓冲层与蓝宝石衬底的接触面积远小于各所述凸起结构与蓝宝石衬底的接触面积，可使LED芯片能够采用湿法剥离的方法，高效、低成本的剥离蓝宝石衬底。
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公开(公告)号：CN217933825U
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202222092562.6
申请日：2022-08-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体外延结构、LED芯片，通过在有源层的表面依次设有空穴存储层、电子阻挡层以及空穴注入层，所述空穴存储层用于提高P型区域的空穴浓度，所述电子阻挡层用于阻挡电子在所述空穴存储层表面的纵向传输，所述空穴注入层用于提供空穴；且所述电子阻挡层的禁带宽度大于所述空穴注入层的禁带宽度，且所述空穴注入层的禁带宽度不小于所述空穴存储层的禁带宽度。从而，通过所述电子阻挡层提高导带势垒高度，从而减少电子溢流；并配合空穴存储层，在避免电子与空穴在非有源层区域进行复合发光的同时，通过空穴存储层的P型掺杂提供更多的空穴，进一步增加空穴在靠近有源层区域的储存及迁移，从而提高LED发光效率。
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公开(公告)号：CN214254445U
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202120347236.8
申请日：2021-02-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体外延结构及LED芯片，通过将靠近所述P型半导体层的势阱层设置为：包括沿生长方向In组分逐渐减少的AlxGayInzN材料层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1；进一步地，沿所述生长方向的最后一层势阱层包括P型掺杂且沿生长方向In组分逐渐减少的AlxGayInzN材料层；可在有源区的边缘储存一定的空穴，从而有利于后续空穴往有源区的迁移，从而提高电子与空穴在有源区空间内的复合效率。
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