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公开(公告)号:CN102593274B
公开(公告)日:2014-07-30
申请号:CN201110132001.8
申请日:2011-05-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种脉冲气流法生长GaP电流扩展层的方法,在生长GaP电流扩展层时,向金属有机化学气相沉积系统的反应室中,脉冲式交替通入含有镓原子的MO源、磷烷和掺杂源,或者保持磷烷的流量不变,脉冲式通入含镓的MO源和掺杂源。该方法可以增加镓原子和磷原子在外延层表面的迁移时间,使其充分覆盖外延层表面,从而得到高质量的GaP电流扩展层。
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公开(公告)号:CN102208472A
公开(公告)日:2011-10-05
申请号:CN201110132005.6
申请日:2011-05-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/052 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种高聚光倍数太阳能电池的散热器,由铜薄层、银铜钛合金层、金刚石膜、银铜钛合金层和铜底座组成,在聚光太阳能电池底下形成铜薄层,铜薄层下面形成银铜钛合金层,此铜薄层和银铜钛合金层上形成绝缘通道,银铜钛合金层下面形成金刚石膜,金刚石膜下面再形成银铜钛合金层,银铜钛合金层下面形成铜底座,铜底座中形成冷却水通道。本发明还公开了该散热器的制造方法。本发明的散热器能应用在聚光倍数1600倍以上的聚光太阳能电池上,整体热导率高达400W/(m·K)以上,散热效果优于热导率为280W/(m·K)的Al2O3陶瓷散热器,具有更高效的散热作用,使得聚光太阳能电池能在较高的聚光倍数下稳定工作且减少光电转换效率的下降。
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公开(公告)号:CN102208472B
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201110132005.6
申请日:2011-05-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/052 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种高聚光倍数太阳能电池的散热器,由铜薄层、银铜钛合金层、金刚石膜、银铜钛合金层和铜底座组成,在聚光太阳能电池底下形成铜薄层,铜薄层下面形成银铜钛合金层,此铜薄层和银铜钛合金层上形成绝缘通道,银铜钛合金层下面形成金刚石膜,金刚石膜下面再形成银铜钛合金层,银铜钛合金层下面形成铜底座,铜底座中形成冷却水通道。本发明还公开了该散热器的制造方法。本发明的散热器能应用在聚光倍数1600倍以上的聚光太阳能电池上,整体热导率高达400W/(m·K)以上,散热效果优于热导率为280W/(m·K)的Al2O3陶瓷散热器,具有更高效的散热作用,使得聚光太阳能电池能在较高的聚光倍数下稳定工作且减少光电转换效率的下降。
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公开(公告)号:CN102593274A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201110132001.8
申请日:2011-05-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种脉冲气流法生长GaP电流扩展层的方法,在生长GaP电流扩展层时,向金属有机化学气相沉积系统的反应室中,脉冲式交替通入含有镓原子的MO源、磷烷和掺杂源,或者保持磷烷的流量不变,脉冲式通入含镓的MO源和掺杂源。该方法可以增加镓原子和磷原子在外延层表面的迁移时间,使其充分覆盖外延层表面,从而得到高质量的GaP电流扩展层。
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公开(公告)号:CN202159691U
公开(公告)日:2012-03-07
申请号:CN201120163361.X
申请日:2011-05-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/052
Abstract: 本实用新型公开一种高聚光倍数太阳能电池的散热器,由铜薄层、银铜钛合金层、金刚石膜、银铜钛合金层和铜底座组成,在聚光太阳能电池底下形成铜薄层,铜薄层下面形成银铜钛合金层,此铜薄层和银铜钛合金层上形成绝缘通道,银铜钛合金层下面形成金刚石膜,金刚石膜下面再形成银铜钛合金层,银铜钛合金层下面形成铜底座,铜底座中形成冷却水通道。本实用新型的散热器能应用在聚光倍数1600倍以上的聚光太阳能电池上,整体热导率高达400W/(m·K)以上,散热效果优于热导率为280W/(m·K)的Al2O3陶瓷散热器,具有更高效的散热作用,使得聚光太阳能电池能在较高的聚光倍数下稳定工作且减少光电转换效率的下降。
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