一种钎剂中有效化学成分的测定方法

    公开(公告)号:CN112730143A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202011532337.9

    申请日:2020-12-22

    Abstract: 本发明涉及一种钎剂中有效化学成分的测定方法,属于成分分析技术领域。该方法取三个平行试样,一个试样装入烧杯并加入水,然后升温,使试样溶解,分离出不溶物,测Na+、B3+含量;另一个试样装入烧杯并加入盐酸,使试样溶解,测Ca2+、F‑含量;再一个试样装入坩埚并置于马弗炉内,然后升温脱水,最后随炉冷却并称重,测试样的含水量。本发明方法测定的是钎剂中的有效成分,测定结果直观、准确,通过检测可以直接确定钎剂是否能满足使用要求,能减少质量异议,能保证产品的可靠性稳定性。本发明的测定方法适于含硼化物和氟化物的钎剂中各组分的测定方法,还可应用于其他钎剂中有相同组分的测定。

    一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法

    公开(公告)号:CN107855679B

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN201711104843.6

    申请日:2017-11-10

    Abstract: 本发明公开一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法,属于钎焊材料技术领域。按质量百分比计,其组成为:Ag 42.0%~48.0%,Ga 3.0%~5.0%,Ni 0.1%~2.0%,余量为Cu。采用“真空连续铸造—固溶热处理—轧制—在线拉矫热处理—精轧”的方法,可制备出厚度20μm,宽度250mm的宽幅极薄带材,该制备方法简单,利于批量生产。该低银钎料熔化温度与AgCuNi钎料相当,钎焊工艺性好,具有良好的润湿性和银含量低、蒸气压低等优点,对无氧铜、镍等材料的钎着率高于99%;焊缝抗拉强度σb≥150MPa;用于真空电子管等真空器件的封接的封装漏率≤1.0×10‑11Pam3/s。

    一种片状软钎料制品的制备和包装方法

    公开(公告)号:CN108161446B

    公开(公告)日:2019-08-27

    申请号:CN201711420332.5

    申请日:2017-12-25

    Abstract: 本发明涉及一种片状软钎料制品的制备和包装方法,属于有色金属冲压加工领域。该方法包括在线清洗、带材底部覆膜轧制、带材成品模切、成品覆膜绕轴成卷、自动制标、塑料盒封装等步骤,最终得到采用PE塑料薄膜上下粘覆,成卷放入塑料盒包装的软钎料制品。该制备包装方法工艺自动化程度高,生产效率高,利于大批量生产。采用该方法制备包装的软钎料制品可以实现复杂形状一次成型、成品制品按一定的规格尺寸有序粘覆PE塑料薄膜并且保证成品表面洁净无污染、无明显划痕裂纹、不易受外力变形,具有广泛的市场前景。

    一种AgCuNiV合金材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108149057A

    公开(公告)日:2018-06-12

    申请号:CN201711431543.9

    申请日:2017-12-26

    Abstract: 本发明涉及一种AgCuNiV合金材料及其制备方法,属于粉末冶金技术领域。AgCuNiV合金材料的重量百分比组成为:Ag 66.5%-89.1%,Cu 9.5%-27.72%,Ni 0%-1.98%,V 1.0%-5.0%。通过制备AgCuNi合金粉,然后将AgCuNi合金粉和V粉混合后采用放电等离子烧结制备得到AgCuNiV合金材料。本发明解决了V很难加入到合金中并且在合金中产生宏观偏析,化学成分不均匀、表面有黑斑和气孔等问题。本发明采用放电等离子烧结技术制备AgCuNiV合金,组织细小均匀,无偏析,可以有效保证雷达电子器件中电接触材料的可靠性,获得成分均匀、表面无缺陷的电接触材料;同时制备工艺简单,生产流程短。

    一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法

    公开(公告)号:CN107855679A

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201711104843.6

    申请日:2017-11-10

    CPC classification number: B23K35/30 B23K35/40

    Abstract: 本发明公开一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法,属于钎焊材料技术领域。按质量百分比计,其组成为:Ag 42.0%~48.0%,Ga 3.0%~5.0%,Ni 0.1%~2.0%,余量为Cu。采用“真空连续铸造—固溶热处理—轧制—在线拉矫热处理—精轧”的方法,可制备出厚度20μm,宽度250mm的宽幅极薄带材,该制备方法简单,利于批量生产。该低银钎料熔化温度与AgCuNi钎料相当,钎焊工艺性好,具有良好的润湿性和银含量低、蒸气压低等优点,对无氧铜、镍等材料的钎着率高于99%;焊缝抗拉强度σb≥150MPa;用于真空电子管等真空器件的封接的封装漏率≤1.0×10-11Pam3/s。

    一种Al-Ag-Ge-Mg-Ti铝基中温真空钎料及其制备方法

    公开(公告)号:CN106312363A

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201610784834.5

    申请日:2016-08-30

    CPC classification number: B23K35/286 B23K35/40

    Abstract: 一种Al-Cu-Ag-Ge-Mg-Ti铝基中温真空钎料及其制备方法,钎料组成为:Cu 15-25wt%、Ag 15-25wt%、Ge 5-15wt%、Mg 1-5wt%,Ti 0.01-0.5wt%,Al余量。该钎料的熔化温度低:460~500℃,在520~530℃便能实现铝合金真空钎焊,钎焊工艺性好,具有良好的润湿性,钎焊润湿角≤20°,焊着率≥90%,焊缝抗拉强度≥95MPa,适于多种铝合金中温钎焊以及分级真空钎焊。制备方法包括:配料,制备中间合金,合金拉铸,固溶处理,热挤压,等温轧制+精密等变形量轧制。采用该制备方法可制备出厚度0.10±0.05mm、宽度大于100mm规格的箔状钎料。

Patent Agency Ranking