公开(公告)号：CN107419236A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710654905.4

申请日：2014-01-10

申请人： 加州理工学院

发明人： 大卫·A·博伊德 ,  乃-昌·叶

IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  C23C16/511 ,  H01L29/92

CPC分类号： C23C16/26 ,  C01B32/184 ,  C01B32/186 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/511 ,  Y10T428/24355 ,  H01L29/92

摘要： 本申请涉及用于石墨烯形成的方法和系统。一种形成石墨烯的方法包括将基底放置在处理室中并且将包括氢气和氮气的清洁气体引入到处理室中。该方法还包括将碳源引入到处理室中并且在处理室中引发微波等离子体。该方法还包括使基底经受清洁气体和碳源的流动持续预定的时间段以形成石墨烯。

公开(公告)号：CN102844864B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201180018461.6

申请日：2011-02-17

申请人： 阿尔特拉公司

发明人： 陈淑鲜 ,  J·T·瓦特

IPC分类号： H01L27/04

CPC分类号： H01L29/92 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种屏蔽结构包括：第一梳状结构和第二梳状结构，限定于集成电路上的第一金属化层中，每个梳状结构包括多个齿，每个梳状结构的齿朝着另一齿状结构延伸；第一多个电传导过孔，从第一梳状结构向上延伸；第二多个电传导过孔，从第二梳状结构向上延伸；第一平面结构和第二平面结构，在第一金属化层之上的第二金属化层中；第三多个电传导过孔，从第一平面结构朝着第一多个电传导过孔向下延伸；以及第四多个电传导过孔，从第二平面结构朝着第二多个电传导过孔向下延伸。第一梳状结构和第二梳状结构、第一平面结构和第二平面结构以及第一电传导过孔、第二电传导过孔、第三电传导过孔和第四电传导过孔都在基本上相同电势。在一个实施例中，一个或者多个信号线在第一平面结构与第二平面结构之间位于第二金属化层中；并且在另一实施例中，它们位于第一金属化层与第二金属化层之间的第三金属化层中。

公开(公告)号：CN103311191A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310074184.1

申请日：2013-03-08

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 宫本升 ,  角田义一

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/64 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L29/92 ,  H01G4/232 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33 ,  H01G4/40 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49589 ,  H01L23/642 ,  H01L24/32 ,  H01L25/16 ,  H01L28/82 ,  H01L28/86 ,  H01L28/90 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的目的在于，提供一种能够将半导体元件和电容器接近配置并且具有高装载性的半导体装置。具备：半导体元件；第一电极，电连接于该半导体元件的上表面；第一内部电极，具有多个第一梳齿部和连结该多个第一梳齿部的第一连结部，该第一内部电极电连接于该半导体元件的下表面；第二电极，与该第一内部电极电连接；第二内部电极，具有不与该多个第一梳齿部接触地进入到该多个第一梳齿部之间的多个第二梳齿部、以及连结该多个第二梳齿部的第二连结部，该第二内部电极电连接于该第一电极的下表面；以及下部电介质，填补在该多个第一梳齿部和该多个第二梳齿部之间。

公开(公告)号：CN102844864A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201180018461.6

申请日：2011-02-17

申请人： 阿尔特拉公司

发明人： 陈淑鲜 ,  J·T·瓦特

IPC分类号： H01L27/04

CPC分类号： H01L29/92 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种屏蔽结构包括：第一梳状结构和第二梳状结构，限定于集成电路上的第一金属化层中，每个梳状结构包括多个齿，每个梳状结构的齿朝着另一齿状结构延伸；第一多个电传导过孔，从第一梳状结构向上延伸；第二多个电传导过孔，从第二梳状结构向上延伸；第一平面结构和第二平面结构，在第一金属化层之上的第二金属化层中；第三多个电传导过孔，从第一平面结构朝着第一多个电传导过孔向下延伸；以及第四多个电传导过孔，从第二平面结构朝着第二多个电传导过孔向下延伸。第一梳状结构和第二梳状结构、第一平面结构和第二平面结构以及第一电传导过孔、第二电传导过孔、第三电传导过孔和第四电传导过孔都在基本上相同电势。在一个实施例中，一个或者多个信号线在第一平面结构与第二平面结构之间位于第二金属化层中；并且在另一实施例中，它们位于第一金属化层与第二金属化层之间的第三金属化层中。

公开(公告)号：CN102082171A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010271741.5

申请日：2010-09-03

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 都官佑 ,  李起正 ,  朴京雄 ,  李正烨

IPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/28 ,  H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L28/75 ,  H01L29/47 ,  H01L29/92 ,  H01L29/94

摘要： 本发明的半导体器件的电极包括TiCN层和TiN层。本发明的制造半导体器件电极的方法包括制备衬底、形成TiCN层和形成TiN层。

公开(公告)号：CN103367312B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201210574779.9

申请日：2012-12-26

申请人： 马克西姆综合产品公司

发明人： K·特兰 ,  J·P·埃卢尔 ,  E·M·戈德沙尔克 ,  池内清子 ,  A·斯里瓦斯塔瓦

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L29/92 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66083

摘要： 描述了半导体装置，其包含集成在其中的电容器。在一实施例中，半导体装置包含基板。基板包含多个电容器区，比如邻近彼此的第一电容器区和第二电容器区。每个电容器区包含形成在基板内的沟槽。金属‑绝缘体‑金属电容器形成在沟槽内并且至少部分地位于基板上方。设置在第一电容器区内的沟槽至少基本上垂直于设置在第二电容器区内的沟槽。

公开(公告)号：CN106098800A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610471343.5

申请日：2016-06-23

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 廖望 ,  高炜祺 ,  雷郎成 ,  刘虹宏 ,  赵思源 ,  苏晨 ,  刘文喆

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L29/92 ,  H01L27/02

摘要： 本发明提供一种电容结构及电容阵列，该电容结构包括上极板和下极板，其中上极板包括主上极板和次上极板，主上极板与公共端连接，次上极板接地，且主上极板与下极板构成主电容，次上极板与下极板构成次电容。本发明通过在电容结构中设置有主上极板和次上极板，并使对应的主电容参与电荷重分配，次电容不参与电荷重分配，通过修改主上极板的面积可以改变主电容的电容值，从而使电容结构具有不同的分数倍电容值，并且在使用电容结构时通过使各个电容结构中主上极板与次上极板的面积之和相等，可以解决使用多个电容值大小不同的电容结构时存在的电容失配的问题。

公开(公告)号：CN103311191B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310074184.1

申请日：2013-03-08

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 宫本升 ,  角田义一

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/64 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L29/92 ,  H01G4/232 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33 ,  H01G4/40 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49589 ,  H01L23/642 ,  H01L24/32 ,  H01L25/16 ,  H01L28/82 ,  H01L28/86 ,  H01L28/90 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的目的在于，提供一种能够将半导体元件和电容器接近配置并且具有高装载性的半导体装置。具备：半导体元件；第一电极，电连接于该半导体元件的上表面；第一内部电极，具有多个第一梳齿部和连结该多个第一梳齿部的第一连结部，该第一内部电极电连接于该半导体元件的下表面；第二电极，与该第一内部电极电连接；第二内部电极，具有不与该多个第一梳齿部接触地进入到该多个第一梳齿部之间的多个第二梳齿部、以及连结该多个第二梳齿部的第二连结部，该第二内部电极电连接于该第一电极的下表面；以及下部电介质，填补在该多个第一梳齿部和该多个第二梳齿部之间。

公开(公告)号：CN104409331A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410736950.0

申请日：2014-12-05

申请人： 国家电网公司 ,  国网河南省电力公司安阳供电公司

发明人： 杨增

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/92

CPC分类号： H01L29/66075 ,  H01L29/92

摘要： 本发明涉及一种新型电容器及其制造方法，电容器的制造方法包括在工件区中成型和图案化第一材料，在工件第一区内形成第一个电容器金属板，在工件第二区形成第一个元件；第二材料在工件区成型，图案化第一材料；第二材料在工件第一区内图案化形成电容器介质和第二电容器金属板，在第一电容器金属板上，然后在工件的第三区形成第二元件。本发明提供了一个简易电容器及其制造方法，有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN103794655A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201210426774.1

申请日：2012-10-31

申请人： 天钰科技股份有限公司

发明人： 杨俊平 ,  张大鹏

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/92 ,  H01L29/0684

摘要： 本发明涉及一种半导体电容及具有该半导体电容的半导体装置。该半导体电容包括：下电极板，该下电极板包括电容井区及设置于该电容井区上的扩散区，该电容井区与该扩散区均具有第一导电型，且该扩散区的掺杂浓度高于该电容井区的掺杂浓度；绝缘层，该绝缘层设置于该下电极板上；及上电极板，该上电极板设置于该绝缘层上；其中，该电容井区包括第一子井区，该第一子井区至少为该电容井区的部分区域，该第一子井区的掺杂浓度达到一预定掺杂浓度，以使得该半导体电容的最大电容值与最小电容值之差值占该最大电容值的百分比不超过70%。该半导体电容以及具有该半导体电容的半导体装置的工作性能较好。