- 专利标题： 具有集成在其中的沟槽电容器结构的半导体装置
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申请号： CN201210574779.9申请日： 2012-12-26
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公开(公告)号： CN103367312B公开(公告)日： 2017-12-05
- 发明人: K·特兰 , J·P·埃卢尔 , E·M·戈德沙尔克 , 池内清子 , A·斯里瓦斯塔瓦
- 申请人： 马克西姆综合产品公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 马克西姆综合产品公司
- 当前专利权人： 马克西姆综合产品公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 周家新; 蔡洪贵
- 优先权： 61/580,518 2011.12.27 US
- 主分类号： H01L23/522
- IPC分类号： H01L23/522
摘要：
描述了半导体装置，其包含集成在其中的电容器。在一实施例中，半导体装置包含基板。基板包含多个电容器区，比如邻近彼此的第一电容器区和第二电容器区。每个电容器区包含形成在基板内的沟槽。金属‑绝缘体‑金属电容器形成在沟槽内并且至少部分地位于基板上方。设置在第一电容器区内的沟槽至少基本上垂直于设置在第二电容器区内的沟槽。
公开/授权文献
- CN103367312A 具有集成在其中的沟槽电容器结构的半导体装置 公开/授权日：2013-10-23
IPC分类:
